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公开(公告)号：CN117876335A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410048707.3
申请日：2024-01-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T7/00 , G06T7/10 , G06T5/90 , G06T5/70 , G06T5/20 , G06T5/60 , G06N3/0895 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种基于图像分割与降噪的弱监督钢铁表面缺陷检测方法，包括如下步骤：采集钢铁表面数据；优化U‑net网络模型以适应对钢铁表面缺陷数据进行图像分割；嵌入结构相似性指数SSIM测量系统作为模型的损失函数，结合优化的U‑net网络模型，提出一种新的网络模型SSIM‑Unet，生成钢铁表面初步缺陷分割灰度图；将得到的缺陷分割灰度图先利用高斯滤波去除成像过程中的高斯噪声，最后利用中值滤波消除图像的椒盐噪声，突出图像缺陷部分；输出钢铁表面缺陷的最终的检测结果。本方法利用少量的钢铁表面缺陷数据，无需标注即可检测出缺陷的形状，相比现有检测方法，减少人力投入的同时、在检测速度、精确率，召回率上有大幅提高。
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公开(公告)号：CN111818138A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010596476.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向智能车的车云实时数据通信方法，在智能车的云端服务器搭建MQTT控制总台与服务端，将智能车主系统进行控制模块划分，设置MQTT客户端为其中一个控制模块，MQTT客户端所对应的ROS节点订阅所有其他ROS节点的智能车驾驶数据，对接收到的数据处理后进行融合，发送至云端的MQTT服务端，在云端服务器搭建Flask监控界面框架，并融合MQTT服务端，通过多线程的方式对智能车上传的数据进行处理并送到Flask前端页面进行显示。本发明结合MQTT协议和Flask，提高车云通信的实时性和安全性。
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公开(公告)号：CN104195552A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410338437.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/02381 , H01L21/02565
Abstract: 本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大的提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN111863988B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010748348.4
申请日：2020-07-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0376 , H01L31/20 , G06N3/067
Abstract: 本发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法，该器件以不同能量的光信号作为激励源，以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位，在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子，利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化，以器件的光电流响应模拟突触后电流，实现不同颜色即能量的识别，从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能，巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂键为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化，实现器件的突触功能，本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si‑CMOS工艺兼容等特点，还具有颜色识别能力，可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。
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公开(公告)号：CN111863988A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010748348.4
申请日：2020-07-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0376 , H01L31/20 , G06N3/067
Abstract: 本发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法，该器件以不同能量的光信号作为激励源，以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位，在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子，利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化，以器件的光电流响应模拟突触后电流，实现不同颜色即能量的识别，从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能，巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂鍵为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化，实现器件的突触功能，本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si-CMOS工艺兼容等特点，还具有颜色识别能力，可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116342553A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310330005.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T7/00 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06V10/44 , G06V10/82 , G06V10/762
Abstract: 本发明公开了一种基于ConvNext‑yolov7的建筑工地环境检测方法，包括如下步骤：1）采集建筑工地环境数据集：2）在YOLOv7网络中嵌入ConvNext结构，得到ConvNext‑yolov7网络模型，经过该网络模型将建筑工地中，不同特征的物体每一种的相对得分高的特征图和对应的权重打包成权重文件；3）通过权重对图像进行特征图分割，采用模糊均值聚类算法对X个特征对象生成图像特征初始聚类中心，再将初始聚类中心点传入K‑means算法，最后生成预测框；4）输出建筑工地环境检测结果。本发明方法可以识别多种不同的建筑工地内环境特征并且加以标注，修改过的网络模型提高了检测精度，相比于同类型的检测技术，其检测速度、精度均有进步，检测错误率大幅降低。
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公开(公告)号：CN111818138B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010596476.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向智能车的车云实时数据通信方法，在智能车的云端服务器搭建MQTT控制总台与服务端，将智能车主系统进行控制模块划分，设置MQTT客户端为其中一个控制模块，MQTT客户端所对应的ROS节点订阅所有其他ROS节点的智能车驾驶数据，对接收到的数据处理后进行融合，发送至云端的MQTT服务端，在云端服务器搭建Flask监控界面框架，并融合MQTT服务端，通过多线程的方式对智能车上传的数据进行处理并送到Flask前端页面进行显示。本发明结合MQTT协议和Flask，提高车云通信的实时性和安全性。
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公开(公告)号：CN110400873A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910796689.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx:Ag/TiOx双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
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公开(公告)号：CN111969108A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010880247.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，忆阻器自上而下依次具有上电极、阻变层、下电极、柔性基底的垂直四层结构；忆阻器的上电极为铜薄膜或银薄膜；忆阻器件的阻变层为偏铝酸铜薄膜；下电极为氧化铟锡透明导电薄膜；柔性基底为聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯材料，本发明基于偏铝酸铜薄膜的柔性忆阻器，制备工艺简单、成本低廉且能够在聚合物柔性基底上获得良好的阻变特性。本发明所述的忆阻器扩宽了忆阻器阻变层的材料体系，有望在柔性器件、可穿戴电子器件领域获得应用。
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公开(公告)号：CN110444662A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910799379.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx:Ag/AlOx双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
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