公开(公告)号：CN102208521A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110090653.X

申请日：2005-05-25

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·O·穆勒 ,  R·B·穆勒-马克 ,  M·R·克拉默斯 ,  P·J·施米特 ,  H·贝克特尔 ,  J·迈耶 ,  J·德格拉夫 ,  T·A·科普

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  C04B35/44 ,  C09K11/80

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 包括沉积在n型区和p型区之间的发光层的半导体发光器件与沉积在发光层发出的光的路径上的陶瓷层结合。该陶瓷层包括一种波长转换材料例如磷光体。根据发明实施方式的发光陶瓷层比现有技术的磷光体层对温度具有更强的鲁棒性或更弱的敏感性。另外，发光陶瓷比现有技术的磷光体层显示出更少的散射并从而提高了转换效率。

公开(公告)号：CN101223824B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200680025554.0

申请日：2006-07-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·-H·贝克特尔 ,  W·巴塞尔特 ,  P·J·施米特

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/08 ,  H05B33/12

CPC classification number: H05B33/22 ,  H01L33/505 ,  H01L51/5036 ,  H05B33/145

Abstract: 一种场致发光器件，包括至少一个具有场致发光层(21)的场致发光光源(2)，该场致发光层(21)围绕中间发射方向(5)发射具有一种发射特性的初级辐射，和至少一个光转换元件(3)，用于将至少一部分述述初级辐射转化成二次辐射，其中使得光转换元件(3)的形状适应场致发光光源(2)的发射特性，以便于产生作为视角(10)函数的规定关联色温。

公开(公告)号：CN101903493A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121374.1

申请日：2008-12-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·迈耶 ,  P·J·施米特 ,  H-H·贝克特尔 ,  W·迈尔 ,  B-S·施赖尼马克 ,  M·海德曼

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7792 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/0883

Abstract: 本发明涉及一种成分为a(MIIN2/3)＊b (MIIIN)＊c (MIVN4/3)＊d1 CeO3/2＊d2 EuO＊x MIVO2＊y MIIIO3/2的红色发光材料，该材料中存在铈和铕。已经发现该材料具有增大的流明当量和对蓝色光的吸收效率。

公开(公告)号：CN101569019A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780045088.7

申请日：2007-11-30

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·-H·贝克特尔 ,  W·巴塞尔特 ,  P·J·施米特 ,  J·迈耶

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种照明装置(10)，包括覆盖有第一发光陶瓷转换层(12)且部分地覆盖有第二发光陶瓷转换层(13)的有源层(11)，例如蓝色LED。该第一和第二转换层(12，13)将该有源层(11)发射的初级光子(λp)转换成不同的更长波长(λ1，λ2)的光子，其中该照明装置(10)的色点可以通过调整该第二转换层(13)的相对尺寸来调整。

公开(公告)号：CN103314072A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180058117.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·J·施米特 ,  W·迈尔 ,  B-S·施赖纳玛彻 ,  J·迈耶 ,  H-H·贝克特尔

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/77

CPC classification number: H01L33/26 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明涉及新型的发射红光的材料(Ba1-x-y-zSrxCayEuz)2Si5-a-bAlaN8-a-4bOa+4b，其平均粒度分布d50＞6um，并且0.3≤x≤0.9、0.01≤y≤0.1、0.005≤z≤0.04、0≤a≤0.2和0≤b≤0.2。

公开(公告)号：CN101542754B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780041424.0

申请日：2007-10-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·-H·贝克特尔 ,  P·J·施米特 ,  M·温特

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在平均发射方向(5)上发射包括初级和次级辐射(51，52，53)的混合光(5)的装置，包括：至少一个第一电致发光光源(21)，用于发射在第一波长处具有最大强度的第一初级辐射(51)；至少一个第二电致发光光源(22)，用于发射在比第一波长更大的第二波长处具有最大强度的第二初级辐射(52)；以及光转换元件(3)，用于吸收所述初级辐射(52，53)中的至少一个并且重新发射次级辐射(53)，所述光转换元件(3)被如此设置，使得所述混合光中所有的初级辐射(51，52)都经过该光转换元件(3)，并且该光转换元件(3)包括陶瓷光转换材料，其微观结构被选择成使得包括初级和次级辐射的混合光(5)的色点基本上与视角(B)无关。

公开(公告)号：CN101605868A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004231.2

申请日：2008-01-30

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·J·施米特 ,  F·斯塔德勒 ,  W·施尼克

IPC: C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/963 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7792

Abstract: 本发明涉及化学式为MI4－xMIIxSi6N10+xO1－x的改善的红色发光材料。这一材料可以实现单一磷光体的发暖白色光LED，例如使用材料Ba1.746Ca2.134Si6N10.08O0.92:Eu0.04Ce0.08可以达成。

公开(公告)号：CN101366126A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200680044724.X

申请日：2006-11-23

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 ,  飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： M·R·克拉梅斯 ,  P·J·施米特

IPC: H01L33/00 ,  C09K11/77

Abstract: 一种包含定位于n类型区域和p类型区域的发光层的半导体结构被粘附到包含对器件提供机械支持的基质和含有发光材料的陶瓷层的复合衬底。在一些实施例中，该复合衬底包括一个晶体种子层，半导体结构在该层上生长。陶瓷层位于种子层和基质之间。在一些实施例中，在传统成长衬底上生长结构之后，复合衬底粘附到该半导体结构。在一些实施例中，复合衬底与半导体结构被间隔开，并且不提供对该结构的机械支撑。该陶瓷层的厚度低于500微米。

公开(公告)号：CN101305072A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041470.6

申请日：2006-10-27

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·J·施米特 ,  J·迈耶 ,  W·迈尔 ,  W·巴塞尔特 ,  H·-H·贝克特尔

IPC: C09K11/77 ,  H01L33/00

Abstract: 具有发射初级光的光源和将至少一部分初级光转换成二级光的发光层的发光器件，其中该光转换层含有CaAlSiN光转换材料，该CaAlSiN光转换材料对于波长＞580到≤1000nm范围内的光的透射率为＞10％到≤80％。

公开(公告)号：CN101248157A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680030796.9

申请日：2006-08-14

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·J·施米特 ,  T·朱斯特尔 ,  W·梅尔

IPC: C09K11/77 ,  C09K11/66

CPC classification number: C09K11/666 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7731 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993

Abstract: 本发明涉及包含用于产生光(4)的发光颗粒(20)的发光材料，其中所述发光颗粒(20)具有用于有效外部耦合在发光颗粒(20)内部产生的光(4)的结构化的颗粒表面。进一步的，本发明涉及包含本发明的发光材料和用于激发所述发光材料的装置的光源。