一种彩色μLED发光显示器件

    公开(公告)号:CN110556459B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201910982269.7

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种彩色μLED发光显示器件,其特征在于:包括从上到下依次设置的上驱动电极基板、上驱动电极,μLED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板;所述μLED晶粒由至少2种不同颜色的发光层堆叠而成,不同颜色发光层之间设置有载流子阻挡层;所述μLED晶粒均匀放置于上、下驱动电极之间;所述上下驱动电极均连接于交流控制模块,所述交流控制模块提供交变驱动信号,通过电磁耦合实现对μLED晶粒的点亮;且通过控制交变驱动信号的电压和频率大小来控制载流子在不同发光层进行复合,发出不同颜色光,实现彩色μLED发光显示。本发明实现非直接电学接触和电压调控颜色方法,可免去巨量转移和色彩转化工艺,有效地降低工艺成本。

    一种柔性彩色micro-LED显示器件制备方法

    公开(公告)号:CN109216590B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201811104014.2

    申请日:2018-09-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种柔性彩色micro‑LED显示器件制备方法。包括由下至上依次设置的带有驱动电路的柔性基板、micro‑LED阵列、柔性彩色滤光膜;所述柔性彩色滤光膜的制作步骤包括:配制具有不同发光波长的量子点聚合物溶液、配制作为柔性彩色滤光膜主体的液态聚合物树脂、采用喷墨打印方式分别将具有不同发光波长的量子点聚合物溶液按相应的Micro‑LED阵列排列方式打印到液态聚合物树脂上、对液态聚合物树脂进行加热或紫外固化,形成高分辨率柔性彩色滤光膜。本发明制备方法快速有效,结构简单,操作简便、成本低,能制成具有高像素密度、高分辨率的彩色micro‑LED显示器件,且为柔性光电器件的制作提供一种新思路。

    一种自驱动深紫外杀菌材料的杀菌方法

    公开(公告)号:CN111840597A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010536398.6

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种自驱动深紫外杀菌材料的杀菌方法。所述的深紫外杀菌材料是在摩擦发电材料中,均匀掺杂入蓝光电致发光材料和上转换荧光材料,涂覆于应用产品中形成薄膜结构并固化。所述的薄膜在受到外力作用下由于摩擦、拉伸、压缩或者揉搓形变的瞬间,摩擦发电材料摩擦产生电荷,激发蓝光电致发光材料发出蓝光,进而蓝光激发上转换荧光材料产生波长200-290nm具有杀菌效果的深紫外线,在日常太阳光和照明灯光照射下同样具有杀菌效果。本发明杀菌材料制备方法简单,可广泛应用于医疗保健、环境治理和设备自清洁中。

    一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN109256455B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201811093385.5

    申请日:2018-09-19

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro‑LED显示结构及其制造方法,包括设置于一衬底表面且呈阵列排布的LED芯片阵列,设置于一透明基板上下表面的微透镜阵列以及与其一一对应的倒梯形微结构阵列,以及连接衬底和透明基板的封框体,倒梯形微结构阵列沿LED芯片的横向方向依次构成用于显示红光的R单元、用于显示绿光的G单元以及用于显示蓝光B单元。本发明利用蓝色LED芯片激发R单元内的红色/G单元内的绿色量子点层而转换为红光/绿光;同时,利用微结构中的分布式布拉格反射层,提高Micro‑LED显示出光效率,还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率和防止相邻像素色彩干扰,从而实现一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro‑LED显示。

    一种μLED巨量转移方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111128813A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010063816.4

    申请日:2020-01-20

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种µLED巨量转移方法,首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上,然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域,即筛选欲转移的µLED芯片位置,有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离,转移到驱动背板,没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板,等待下一次的转移,从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。

    一种Micro-LED发光显示器件的制备方法

    公开(公告)号:CN107887331B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201711108505.X

    申请日:2017-11-11

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法,首先制备GaN基外延层,然后采用芯片工艺形成Micro‑LED单元器件阵列,接着制作欧姆接触层,并采用微接触印刷的方式将Micro‑LED单元器件阵列连接在CMOS或TFT背板上,最后采用激光玻璃的方式将外延层与GaN基板玻璃,并通过金属焊接、键合或微接触印刷的方式Micro‑LED单元器件阵列连接在另一基板上,形成Micro‑LED发光显示器件。与现有技术相比,本发明工艺简单、良品率高、成本低,而且可以在玻璃、硅基甚至是聚合物柔性基板上制备Micro‑LED发光显示器件。

    一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件

    公开(公告)号:CN110690246A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910982274.8

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件,其特征在于,包括从上到下依次设置的上驱动电极基板,上驱动电极、纳米LED晶粒片、下驱动电极和下驱动电极基板;还设置有交流驱动控制模块,所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极;所述纳米LED晶粒片由若干个纳米LED晶粒有序排列而成,保证放置于电极基板间时,每个纳米LED晶粒的发光层与电极基板平行,与电场方向垂直;所述上驱动电极和下驱动电极至少有一个与纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离,在交变驱动信号下,通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用非直接电学接触方法实现有序nLED发光显示,可免去微米和纳米级LED巨量转移工艺,有效地降低工艺成本。

    基于异形纳米LED晶粒的发光显示器件

    公开(公告)号:CN110690245A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910982273.3

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于异形纳米LED晶粒的发光显示器件,包括从上到下依次设置的上驱动电极基板,上驱动电极、异形纳米LED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板;还设置有交流驱动控制模块,所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极;所述异形纳米LED晶粒为包含非平面形状发光层的纳米LED晶粒;所述驱动电极和纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离,在交变驱动信号下,通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用异形纳米LED晶粒,使得晶粒片放置于电极基板之间时,每个nLED晶粒的发光层总有一部分平行于电极基板,垂直于电场,大大提高电学耦合效率和发光效率。

    一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110676282A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910982320.4

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极,设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极,设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层,以及控制模块和彩色滤光膜;上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触,控制模块与上、下驱动电极电学连接,所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源,经波长下转换发光层转化为第二光源,第一、第二光源经反射层和扩散层后,经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。

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