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公开(公告)号：CN115332400A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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公开(公告)号：CN111798764B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN111769054A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010535346.7
申请日：2020-06-12
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L27/15
Abstract: 本发明涉及一种彩色μLED巨量转移方法。在不同发光颜色μLED芯片上表面修饰不同的抗体分子，在转移过渡基板或驱动背板修饰相应抗原分子，利用抗原抗体反应的特异性，将不同颜色μLED芯片同时批量转移到转移过渡基板或驱动背板，最后，将装载板上的彩色μLED芯片阵列批量转移至对应驱动背板进行焊接和封装。本发明方法可以精准实现不同发光颜色的μLED芯片的同时巨量转移，简化转移工艺，提高转移效率，同时降低μLED显示屏的生产成本。
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公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332238B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
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公开(公告)号：CN118507603A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410573912.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00 , H01L23/544 , H01L33/62 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种分辨率可调且无需对位的高密度Micro‑LED显示键合方法，涉及光电显示领域，包括：首先，在CMOS驱动背板的每个驱动像素上制备包含有第一金属凸点的第一金属阵列，在Micro‑LED外延片上制备包含第二金属凸点的第二金属阵列；然后，基于无对位式，将制备有第二金属阵列的Micro‑LED外延片与制备有第一金属阵列的CMOS驱动背板进行键合；然后，键合后将Micro‑LED外延片的衬底剥离，露出Micro‑LED显示层；最后，根据所需分辨率，在剥离后的Micro‑LED显示层上进行光刻刻蚀，并划分出Micro‑LED显示像素单元；Micro‑LED显示像素单元与CMOS驱动背板对应区域的M个驱动单元相对应，并形成相应分辨率的Micro‑LED显示阵列。本发明所需成本低廉，大大的降低了金属凸点间键合对位难度，提高Micro‑LED显示器的画质和生产效率。
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公开(公告)号：CN117374183A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311585963.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明提出一种基于高温难熔金属衬底外延生长GaN进而制备LED的方法，在高温难熔金属衬底，AlN缓冲层和AlxGa1‑xN渐变层上所生长的外延结构包括依次层叠的N型GaN层，量子阱层，P型GaN层。该方案使用高温难熔金属作为衬底，且在衬底上层叠生长了一层AlN和AlxGa1‑xN作为缓冲层。相比于使用传统的衬底生长GaN层制备LED的方法，新衬底方案不仅容易获得更大的尺寸从而外延生长出尺寸更大的GaN层，而且金属衬底能够通过采用酸溶液进行湿法腐蚀，在不对外延生长的GaN层造成过多影响下便捷的去除，间接的提高了GaN的生长质量且能减少相关时间成本和经济成本。
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公开(公告)号：CN117348299A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311351929.4
申请日：2023-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02B30/28 , G02B30/29
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶透镜的二维三维切换显示屏，包括：第一基板；第一基板上设置有多个第一电极组，各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极，各个第一环形电极呈同心环排布；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上与第一基板上的各个第一环形电极相对应区域设置有第二环形电极组；第二环形电极组包括多个第二环形电极且各个第二环形电极组用于施加不同偏置电压以使第二环形电极组与第一环形电极之间形成渐变电位差；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明在提高显示效果的同时无需增加过多的驱动电压源。
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公开(公告)号：CN117234006A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311243426.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种防引线区域畸变的液晶透镜，包括：第一基板；第一基板包括引出电极层、绝缘层以及环形电极层；环形电极层设置有若干个环形电极；绝缘层设置于引出电极层与环形电极层之间；引出电极层通过搭桥与环形电极层电连接，引出电极层设置有与各个环形电极进行电连接的引出电极，引出电极用于为环形电极提供相对应的电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个引出电极的位置相对应的高阻引线；各个高阻引线的内端部与公共面电极进行电连接，高阻引线的外端部连接于第一供电端上；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明避免引线区域畸变，提高液晶透镜成像的效果。
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