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公开(公告)号：CN116405857A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310675561.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种降噪式MEMS麦克风及电子设备，包括：基板；外壳罩设于基板，外壳设有第一腔体和第二腔体；第一MEMS传感器，设于第一腔体内，用于生成第一振动信号；第二MEMS传感器，设于第二腔体内，用于生成第二振动信号和声信号；电路，用于对第一振动信号、第二振动信号以及声信号进行差分处理，生成差分处理后的输出信号。第二MEMS传感器既能拾取声信号又能拾取振动信号，第一MEMS传感器仅能拾取机械振动信号，通过差分处理，从而降低噪声中的机械振动引起的噪声，提高降噪式MEMS麦克风的信噪比；同时提高了MEMS麦克风整理的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN114513731B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210414860.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种麦克风组件及电子设备，其中，所述麦克风组件包括基底、振膜、以及背极板，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述振膜位于所述基底与所述背极板之间；所述振膜的声波传导区域上设置有在厚度方向上贯通所述振膜的至少一个声孔，所述基底的部分区域构成第一电极，所述第一电极具有至少一个第一镂空区域；所述背极板的部分区域构成第二电极，所述第二电极具有至少一个第二镂空区域；所述振膜的声波传导区域构成第三电极；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第一电极、所述第三电极以及所述第二电极三者的投影交叠。本发明所提供的技术方案实现了单振膜的差分电容方案，并且提升了麦克风组件的性能。
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公开(公告)号：CN118359167A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410788404.5
申请日：2024-06-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN117915251A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410312080.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、麦克风，制作方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制作背极板，背极板包括固定电极层和位于固定电极层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第二绝缘层位于第一绝缘层靠近衬底一侧，固定电极层和第二绝缘层开设有声孔，第一绝缘层在具有声孔的固定电极层上制作成型；对第一绝缘层进行刻蚀，以形成至少一个凸起结构和与所述声孔至少部分交叠的贯穿孔，所述凸起结构容置于所述贯穿孔；在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。
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公开(公告)号：CN117354705B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311642780.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、以及麦克风、电子设备，其中，声电转换结构的制作方法包括：提供衬底，并在衬底的一侧制作第一绝缘层；在第一绝缘层上方制作阻尼结构层；在阻尼结构层背离衬底的一侧制作第二绝缘层；在第二绝缘层上方制作背极板层，并在背极板层刻蚀出在厚度方向上贯穿背极板层的声孔；在背极板层背离阻尼结构层的一侧制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作振膜层；对衬底进行刻蚀，以刻蚀出贯穿衬底的背腔；通过背腔处将部分第一绝缘层、部分第二绝缘层、部分第三绝缘层刻蚀掉，以得到声电转换结构。本发明所提供的技术方案既实现了声电转换结构的单指向性能，同时又保障了声电转换结构对声音拾取的一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116405857B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310675561.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种降噪式MEMS麦克风及电子设备，包括：基板；外壳罩设于基板，外壳设有第一腔体和第二腔体；第一MEMS传感器，设于第一腔体内，用于生成第一振动信号；第二MEMS传感器，设于第二腔体内，用于生成第二振动信号和声信号；电路，用于对第一振动信号、第二振动信号以及声信号进行差分处理，生成差分处理后的输出信号。第二MEMS传感器既能拾取声信号又能拾取振动信号，第一MEMS传感器仅能拾取机械振动信号，通过差分处理，从而降低噪声中的机械振动引起的噪声，提高降噪式MEMS麦克风的信噪比；同时提高了MEMS麦克风整体的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN114513730A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210414581.8
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种麦克风组件及电子设备。所述麦克风组件包括基底以及振膜；所述基底的部分区域构成第一电极，所述振膜具有声波敏感区域，所述声波敏感区域构成第二电极；其中，所述第一电极以及所述第二电极两者在垂直于所述基底的厚度方向的平面上的投影相交叠。本申请所公开的技术方案通过基底的部分区域构成第一电极，在基底与振膜之间无须额外设置第一电极以形成电容结构，能够减小麦克风组件的体积，有效解决了现有的MEMS麦克风的尺寸过大，无法满足电子产品轻薄化设计的问题。
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公开(公告)号：CN218634295U
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202223280716.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型提供了一种麦克风组件及电子设备，其中，所述麦克风组件包括以层叠的方式依序设置的基底、压电薄膜结构、背极板、以及振膜；所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔，在入射在所述振膜或者所述背腔一侧上的声能的作用下，使得所述压电薄膜结构产生一组由压电式电容结构输出的电信号，以及所述振膜和所述背极板之间产生一组由可变式电容结构输出的电信号，从而提高了麦克风组件的灵敏度和信噪比。本实用新型所提供的技术方案能够提高麦克风组件的信噪比。
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公开(公告)号：CN217509036U
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202220923837.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型提供了一种麦克风组件及电子设备，其中，所述麦克风组件包括基底、振膜、以及背极板，在所述基底的厚度方向上，所述振膜位于所述背极板和所述基底之间，并且所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；所述背极板的部分区域上设置有第一电极，并且在所述第一电极上设置有至少一个声孔，所述背极板上还设置有至少一个第一镂空区域，所述至少一个第一镂空区域环绕所述第一电极，用以降低背极板与振膜之间的压膜阻尼。本实用新型所提供的技术方案能够提高麦克风组件的信噪比。
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公开(公告)号：CN217283378U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220794706.X
申请日：2022-04-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种声电转换结构、麦克风结构及电子设备，其中，所述声电转换结构包括衬底以及设置在所述衬底上的振膜，所述衬底上设有在厚度方向上贯通所述衬底的背腔；其中，所述声电转换结构还包括用于改变从所述背腔传入的声波的传导方向的声波止挡结构，所述声波止挡结构包括主体部和支撑部，所述主体部位于所述背腔中，并通过所述支撑部与所述背腔的侧壁固定连接。本实用新型所提供的声电转换结构、麦克风结构及电子设备能够改变从背腔传入的声波的传导方向，有效地提升了MEMS麦克风的机械可靠性，还能够降低因吹气、粉尘等导致的膜破失效概率。
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