一种半导体薄膜真空气相沉积的连续自动进料装置

    公开(公告)号:CN104451551A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410654290.1

    申请日:2014-11-17

    IPC分类号: C23C14/24

    CPC分类号: C23C14/246

    摘要: 本发明涉及一种半导体薄膜真空气相沉积的连续自动进料装置。该装置包括从上至下依次布置的一上料斗、一下料斗、一原材料转移机构以及一原材料输送机构;原材料转移机构包括一上下方向的通道、设于通道内的一旋转轴以及驱动旋转轴转动的驱动装置;旋转轴垂直于通道的长度方向穿设于通道内,旋转轴的直径与通道的宽度相匹配将通道封堵,旋转轴的周向上设有至少两个凹槽,这些凹槽容积相等,并以旋转轴的轴心为中心呈对称分布;并且,在通道内旋转轴的上方设有一贴着旋转轴表面的遮挡面,该遮挡面偏于通道内旋转轴径向上的一侧,使旋转轴上部径向上的一侧敞开作为落料口,另一侧被封挡。本实施例工作可靠,整体结构简单、实现成本不高。

    低电阻率透明导电膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104332215A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410604067.6

    申请日:2014-10-30

    IPC分类号: H01B1/22 H01B5/14 H01B13/00

    摘要: 一种低电阻率透明导电膜的制备方法,包括如下步骤:(a)利用银线原料合成高长径比纳米银线;(b)以步骤(a)中制得的所述银线为填料调配导电银浆;(c)将步骤(b)中得到的导电银浆涂覆在衬底上形成膜层;及(d)对所述膜层后处理。本发明开发了以高长径比纳米银线取代球状纳米银颗粒作为导电银浆主要填充材料的新技术,实现以浆料中银线之间的相互接触来达到导电目的,相比于颗粒式接触,线状纳米银在提高可靠性的同时明显提升了其导电性能。

    二氧化钛自洁薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104195534A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410470088.3

    申请日:2014-09-16

    IPC分类号: C23C20/08 C03C17/23 C04B41/85

    摘要: 提供了一种二氧化钛自洁薄膜的制备方法,包括如下步骤:一种二氧化钛自洁薄膜的制备方法,包括如下步骤:(a)制备正钛酸沉淀物;(b)在所述正钛酸沉淀物中添加结构导向剂,以形成溶胶,及(c)将所述透明溶胶镀膜在基材上,通过热处理,得到具有超亲水性能的二氧化钛自洁薄膜。根据本发明的方法采用液相法通过添加不同结构导向剂制备二氧化钛薄膜,在热处理后薄膜表面分布均匀,其亲水性优异,在暗室中薄膜与水接触角就达到5°以下。此外,几乎不影响基材的可见光透过率。本发明方法所用原料廉价,所需设备简单,易于操作。

    一种空心粉体抗压强度测试仪

    公开(公告)号:CN103760029A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310683823.4

    申请日:2013-12-14

    IPC分类号: G01N3/12

    摘要: 本发明涉及一种空心粉体抗压强度测试仪,其特征在于:包括增压装置(4),增压装置连接测量装置(5);增压装置通过增压主机(1)连接油箱(3)和精密增压缸(2),精密增压缸连接水箱(6)和控制装置(24);测量装置包括低压测试装置(5a)和高压测试装置(5b);每个测试装置都利用管道连接精密增压缸和压力罐(19),在压力罐内设有包囊,管道上设有单向阀和传感器,传感器连接控制装置,低压测试装置的官道还连接截止阀(12)。本发明的优点:本装置采用单增压、双控压系统,提高了高、低压的加压控制精度,可精确测量空心粉体无机材料在不同压力下的破碎率,且本装置可以有效避免人为操作差异。

    一种空心微球SiO2减反射膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103074620A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201310049382.2

    申请日:2013-02-07

    IPC分类号: C23C20/08

    摘要: 本发明涉及一种空心微球SiO2减反射膜的制备方法:制备浓度为0.02mol/L~0.8mol/L的SiO2溶胶,在搅拌的条件下向其中加入成核剂,随后加入稳定剂,搅拌均化形成溶胶。其中成核剂为数均分子量2000~5000,可与水互溶、在300℃以下易分解的聚电解质,稳定剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等。用该溶胶在洁净的玻璃基片上镀膜,于70~150℃干燥后,升温至300~500℃进行热处理,保温时间不少于0.1h,即得到SiO2减反射膜。本发明制备的SiO2薄膜能够降低太阳光的反射率,进而提高太阳光的透过率,可以有效提高太阳电池的光电转化效率,且方法简单,成本低,经济效益显著。

    一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法

    公开(公告)号:CN103018652A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210561783.1

    申请日:2012-12-22

    IPC分类号: G01R31/26 G01B21/08

    摘要: 本发明公开一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法,通过测试不同偏压条件下电池器件的量子效率值,与标准电池器件的量子效率值对比,定性判断硅基薄膜电池P、I、N各层的性能优劣,本发明的量子效率测试与常规的量子效率测试不同,本发明是在不同的偏压条件下进行的测试,通过这一手段可以有效地对单结PIN非晶硅(或微晶硅)电池进行快速准确的性能评价,并找出电池器件性能低下的症结所在,进而有针对性的加以改进,减少现有常规评价中繁多的测试项目,节省工业生产中的时间,是工业化生产过程中较为理想的评价方法。

    一种低介低膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103011788A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210561636.4

    申请日:2012-12-22

    摘要: 本发明涉及一种低介低膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法,包括:a、将重量百分比为(60~80)%的硼硅酸盐玻璃粉,与(20~40)%的球形熔融石英微粉混合得到低温共烧陶瓷粉料;b、向低温共烧陶瓷粉料中加入溶剂、粘结剂、增塑剂、分散剂,得到流延浆料,流延瓷浆料制成生瓷带;c、生瓷带置于电炉烧结后形成低温共烧陶瓷材料。本发明通过在一种典型的硼硅酸玻璃中加入高纯超细球形熔融石英材料,既降低了LTCC基板材料的介电常数和热膨胀系数,又实现了球形熔融石英材料的低温烧结。本发明制备的低温共烧陶瓷材料的介电常数为5.1(1MHz),热膨胀系数为4.2×10-6K-1,具有良好的应用前景。

    一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102931285A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210469093.3

    申请日:2012-11-20

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备TiO2与Nb2O5共掺的氧化物陶瓷靶材,(2)磁控溅射法制备铌掺杂二氧化钛透明导电膜;本方法制备的铌掺杂二氧化钛透明导电膜载流子浓度大为增加,薄膜导电性能更好,折射率达2.4~2.7,比ITO、AZO高,与薄膜硅材料折射率更为匹配,有利于减小光线在两介质界面传输的损失,增加光线的透过率和电池对光的吸收率,提高电池光电转换效率,适用于硅基薄膜太阳能电池的前电极,尤其是非晶硅/微晶硅叠层电池的前电极,比ITO、FTO、AZO在高还原性气体的气氛中更为稳定,不会被还原而影响其性能,从而保持了透明导电膜作为前电极的光电性能。