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公开(公告)号：CN104138766A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410392446.3
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种可实现可见光催化的N掺杂TiO2薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)用N离子源轰击TiO2薄膜；并且(b)使得所述薄膜中N元素的掺杂量提高到21％。本发明的可实现可见光催化的N掺杂TiO2薄膜催化剂，有相对较高的N掺杂量，减小TiO2价带与导带间的禁带宽度；形成的晶相为anatase相TiO2，并且，可直接制备得到纳米晶结构的anatase相TiO2。
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公开(公告)号：CN104465890A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410842463.2
申请日：2014-12-25
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0236
摘要： 一种薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；(2)采用反应离子束技术对所述玻璃基片表面进行刻蚀，使所述玻璃基片表面具有绒面结构；并且(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面的绒面结构上沉积450～750纳米的AZO薄膜，从而得到绒面结构的AZO薄膜。本发明开发了一种新的用于薄膜太阳能电池前电极的绒面AZO薄膜的制备方法，先采用离子束技术，对玻璃基片表面进行刻蚀处理，获得绒面结构的玻璃基片，然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积具有绒面结构的AZO薄膜，避免了现有刻蚀技术中对膜层厚度的浪费，同时也避免了湿法刻蚀工艺中产生的废酸腐蚀液对环境造成的污染。
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公开(公告)号：CN104120398B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201410391818.0
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积方法，包括(a)使用第一工作气体对靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在基片上；并且(b)使用第二工作气体对所述靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在所述基片上。本发明采用磁控溅射法在不换靶的情况下，仅通过改变通入的气体就可以实现折射率匹配层的制备，结构简单，制备方便，成本低，可以有效消除刻蚀阴影，有利于企业大规模生产。
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公开(公告)号：CN104120398A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410391818.0
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积方法，包括(a)使用第一工作气体对靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在基片上；并且(b)使用第二工作气体对所述靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在所述基片上。本发明采用磁控溅射法在不换靶的情况下，仅通过改变通入的气体就可以实现折射率匹配层的制备，结构简单，制备方便，成本低，可以有效消除刻蚀阴影，有利于企业大规模生产。
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公开(公告)号：CN204281848U
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201420450121.1
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积装置，包括第一溅射单元，其使用第一工作气体对靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在基片上；及第二溅射单元，其使用第二工作气体对所述靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在所述基片上。本实用新型采用磁控溅射法在不换靶的情况下，仅通过改变通入的气体就可以实现折射率匹配层的制备，结构简单，制备方便，成本低，可以有效消除刻蚀阴影，有利于企业大规模生产。
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公开(公告)号：CN204210110U
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201420450152.7
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种高透过消影导电玻璃，包括沿垂直方向依次层叠的玻璃基板，折射率匹配层，和透明导电膜层，所述折射率匹配层由高折射率层，折射率渐变层，及低折射率层组成，所述折射率渐变层沿垂直方向位于所述高折射率层和所述低折射率层之间，所述高折射率层与所述玻璃基板相连，所述低折射率层连接至所述透明导电膜层。所述折射率匹配层由SiOxNy构成，所述SiOxNy为SiO2和Si3N4的中间相。采用此种结构的消影导电玻璃，透明导电电极区域和刻蚀区域透过率差值在0.5％以下，并且整个消影导电玻璃的反射率降至5％以下，在实现消影的同时，大幅度的提高了其光学透过率。
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公开(公告)号：CN204058587U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420450696.3
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种能改变靶表面磁通量的可移动磁控溅射靶，包括靶材组件和磁体组件，所述靶材组件和所述磁体组件之间可以相对运动。本实用新型的能改变靶表面磁通量的可移动磁控溅射靶，由于有电子控制单元，磁体组件水平和垂直方向的运动速率可调，可精确控制磁体组件的位置；当磁体组件做水平方向运动时，相应的磁体在靶材表面所产生的“拱形”磁场在靶材表面来回移动，导致刻蚀区域变宽，不会产生固定的“V”型刻蚀沟，大大提高了靶材的利用率；当使用不同靶材镀膜时，磁体组件可以垂直方向运动，相应的靶表面磁通量也得到了调整，使不同靶材在镀膜时得到最佳的性能。
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公开(公告)号：CN105369206A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510876661.5
申请日：2015-12-03
申请人： 凯盛光伏材料有限公司 , 中国建筑材料科学研究总院 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开一种制备柔性衬底薄膜的磁控溅射装置，包括基片与靶材，所述靶材包括上靶材与下靶材，两个靶材上下相对设置；上靶材的上部与下靶材的下部设有在两个靶材之间形成磁场的磁体，磁场方向与靶材垂直；所述基片垂直设置于两个靶材的外侧；溅射过程中，二次电子飞出靶面后，被靶材阴极的电场加速，电子受磁场束缚向阳极运动，并被有效的封闭在两个靶极之间作洛仑兹运动，形成柱状等离子体，电子能量耗尽后，最终沉积在基片上；由于该电子的能量很低，基片温升较低并且使得薄膜有效避免了离子损伤，同时，薄膜是由靶材离子散射和热分解沉积得到，因此薄膜在室温中沉积，避免柔性衬底在传统磁控溅射过程中烧糊，变形等损坏，保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN105546857B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510876489.3
申请日：2015-12-03
申请人： 凯盛光伏材料有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： F24S70/225 , C23C14/06 , C23C14/10 , C23C14/35 , C23C14/02
CPC分类号： Y02E10/40
摘要： 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，包括金属基底，所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构，金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层，TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层，TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层，SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层；采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构，增大了金属基底与膜层之间的附着力，使膜层不易脱落，延长膜系的使用寿命；利用磁控溅射沉积各膜层，TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散，增大整个膜系对太阳光的吸收；利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果；AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能，在高温大气环境下，膜层寿命持久，提高使用寿命。
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公开(公告)号：CN105541124A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510985601.7
申请日：2015-12-25
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C03C17/34
CPC分类号： C03C17/3417
摘要： 本发明公开一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层；采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。
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