一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法

    公开(公告)号:CN103018652A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210561783.1

    申请日:2012-12-22

    IPC分类号: G01R31/26 G01B21/08

    摘要: 本发明公开一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法,通过测试不同偏压条件下电池器件的量子效率值,与标准电池器件的量子效率值对比,定性判断硅基薄膜电池P、I、N各层的性能优劣,本发明的量子效率测试与常规的量子效率测试不同,本发明是在不同的偏压条件下进行的测试,通过这一手段可以有效地对单结PIN非晶硅(或微晶硅)电池进行快速准确的性能评价,并找出电池器件性能低下的症结所在,进而有针对性的加以改进,减少现有常规评价中繁多的测试项目,节省工业生产中的时间,是工业化生产过程中较为理想的评价方法。

    一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102931285A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210469093.3

    申请日:2012-11-20

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备TiO2与Nb2O5共掺的氧化物陶瓷靶材,(2)磁控溅射法制备铌掺杂二氧化钛透明导电膜;本方法制备的铌掺杂二氧化钛透明导电膜载流子浓度大为增加,薄膜导电性能更好,折射率达2.4~2.7,比ITO、AZO高,与薄膜硅材料折射率更为匹配,有利于减小光线在两介质界面传输的损失,增加光线的透过率和电池对光的吸收率,提高电池光电转换效率,适用于硅基薄膜太阳能电池的前电极,尤其是非晶硅/微晶硅叠层电池的前电极,比ITO、FTO、AZO在高还原性气体的气氛中更为稳定,不会被还原而影响其性能,从而保持了透明导电膜作为前电极的光电性能。

    一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102751383A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210233530.1

    申请日:2012-07-07

    IPC分类号: H01L31/18 C30B25/02 C30B29/06

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法,利用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),在N型(100)晶向FZ单晶硅片衬底上实现外延生长的本征硅薄膜(I)和P型硼掺杂硅薄膜(P),本发明的有益效果是:将这种实现外延生长的薄膜硅材料用于硅基异质结太阳能电池的发射极,可以实现对异质结电池界面的能带失配控制得尽量小,使得导带带阶和价带带阶减小,即光生载流子的势垒高度变小,使得对光生载流子的收集更加有效的进行,同时外延生长的薄膜掺杂效率大大提高,从而使得电导率明显提高,更有利于对载流子的收集,进而可提高电池的短路电流密度和光电转换效率。

    一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102931267B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201210469038.4

    申请日:2012-11-20

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明公开一种硅基异质结太阳能电池,依次包括栅电极、透明导电膜、硼掺杂非晶硅、本征非晶硅、N型单晶硅及背电极,背电极由分布布拉格反射器和铝薄膜构成,分布布拉格反射器是由掺铌二氧化钛薄膜与掺铝氧化锌薄膜间隔设置构成,铝薄膜设于分布布拉格反射器中最外层掺铝氧化锌薄膜的表层;采用两种折射率不同的透明导电膜构成分布布拉格反射器作为背电极,使得电池器件的串联电阻小,利于载流子的收集,进而电池的光电转换效率高;分布布拉格反射器与铝电极组合的背反射电极可以使具有特征波长的近红外部份的长波波段通过两层折射率差异的导电膜反射回晶体硅片内部被重新吸收,提高电池的电流和光电转换效率。

    一种具有绒面结构的AZO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103400907B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201310355170.7

    申请日:2013-08-15

    IPC分类号: H01L31/20

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种具有绒面结构的AZO薄膜的制备方法,采用磁控溅射工艺,首先在玻璃基底上预制一层SiO2薄膜,接着再溅射一层呈岛状生长的锡膜将其覆盖,并进行等离子体刻蚀,得到具有类似岛状表面形貌的SiO2薄膜,接下来以其作为后续AZO薄膜(掺铝的氧化锌)溅射法生长的基底模板,使得薄膜能够模仿其表面形貌而生长,最终可直接形成表面具有一定绒度的AZO薄膜,免去常规工艺中的酸刻蚀制绒过程,降低了所需的初始薄膜厚度,以及生产制造成本。

    测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置

    公开(公告)号:CN104979230A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510407829.8

    申请日:2015-07-13

    摘要: 一种测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置,包括:激励光源,其发出的照射光;介质材料,待测样品浸入所述介质材料,所述照射光照射到所述介质材料从而引起待测样品周围介质材料的折射率发生变化,由此造成引起所述待测样品的表面薄层内折射率发生变化;激光探针,其发出的光信号穿过所述介质材料,并因所述介质材料的折射率变化而发生偏转;位置传感器,其感测所述偏转并发出偏转信号;及计算装置,其根据所述偏转信号计算出所测薄膜材料的缺陷态密度。根据本发明的测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置,测量薄膜材料的光吸收谱来测试材料中的缺陷态,对低能端(

    一种自陷光AZO薄膜玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN103396010A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310355833.5

    申请日:2013-08-15

    IPC分类号: C03C17/23

    摘要: 本发明提出一种自陷光AZO薄膜玻璃的制备方法,通过采用Ar与氧或Ar与水蒸气的混合等离子体,首先高速生长一层AZO薄膜,厚度为50~100nm,接着再用单独的Ar等离子体,并采用更高的离子等量,以相对此前较慢的生长速度继续生长AZO薄膜,厚度为500~600nm,如此得到的总厚度为600~700nm的AZO薄膜具有绒面的结构形貌,避免了常规AZO制绒工艺中的酸刻蚀环节,有效地降低AZO薄膜所需厚度和生产制造成本。

    一种硅基薄膜太阳能电池用上转换铝硅酸盐玻璃

    公开(公告)号:CN102849943A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210352413.7

    申请日:2012-09-21

    IPC分类号: C03C3/095

    摘要: 本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池用上转换铝硅酸盐玻璃,原料质量百分比为:SiO2 60~65%,Al2O3 10~15%,Na2O 8~13%,MgO 1~5%,K2O 1~3%,CaO 1~3%,NaCl 1~3%,Er2O3 0.5~1.5%,Yb2O3 0.5~1.5%;本发明具有较高的可见光透过率(>90%),通过在铝硅酸盐玻璃组成中掺入包含Yb2O3和Er2O3稀土氧化物来实现上转换材料的功能;可以将太阳光谱中原本对硅基薄膜太阳能电池无用的近红外光线转化为可见光,从而被电池所吸收并转化为电能,扩大硅基薄膜太阳能电池对太阳光谱的响应范围,实现硅基薄膜太阳能电池对近红外光线的有效利用,进而提高电池的光电转换效率。