公开(公告)号：CN204315586U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520041666.1

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 高鹏 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型给公开了一种GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池。其自上而下包括增透膜(1)、栅线层(3)、P型非晶硅层(4)、本征非晶硅层(5)、N型硅衬底(6)和背面电极(7)。栅线层(3)的周围设有正面电极(2)，该正面电极(2)与栅线连接，且上面设有金属接触电极(8)。其中正面电极(2)和背面电极(7)均采用厚度为100-200nm的多层石墨烯材料，栅线层(3)由相互交叉堆叠的GaN纳米线构成，每根纳米线直径为50-100nm，长度为10-20μm。该实用新型能够降低太阳能电池表面对光的反射损失，提高载流子的收集效率，降低生产成本，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204375768U

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201520042042.1

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 吴翔 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0236

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型公开了一种基于硅纳米线三维结构的太阳能电池。其包括N型硅衬底(6)、背面电极(7)和正面电极(1)，该N型硅衬底(6)的上表面为梯形形状，该梯形表面上依次层叠有硅纳米线绒面层(5)、本征多晶硅层(4)、P型多晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，形成三维倒梯形整体结构；正面电极(1)设置在该三维倒梯形整体结构的顶端。所述硅纳米线绒面层(5)中的每根硅纳米线直径为40-80nm，长度为20-40μm，该层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315610U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520041809.9

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 林瀚琪 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 本实用新型公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)，其中N型硅衬底(6)的上表面为梯形形状，该梯形表面上依次层叠有GaN纳米线绒面层(5)、本征多晶硅层(4)、P型多晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，形成三维倒梯形整体结构，该三维倒梯形整体结构的顶端设有正面电极(1)。该实用新型的GaN纳米线绒面层(5)中的每根GaN纳米线直径为50-100nm，长度为10-20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315609U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520042041.7

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 高鹏 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0352

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型公开了一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池。其自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、硅纳米线绒面层(5)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)。其中硅纳米线绒面层(5)是通过溶液转移至N型硅衬底(6)上形成的相互交叉堆叠的硅纳米线层，每根硅纳米线直径为40-80nm，长度为20-40μm，该硅纳米线层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型提高了异质结太阳能电池对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315608U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520041807.X

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 张治 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0224 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型给公开了一种硅纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池。自上而下包括增透膜(1)、栅线层(3)、P型非晶硅层(4)、本征非晶硅层(5)、N型硅衬底(6)和背面电极(7)；栅线层(3)的周围设有正面电极(2)，正面电极(2)的上面设有金属接触电极(8)，该正面电极(2)与栅线连接。其中正面电极(2)和背面电极(7)采用厚度为100-200nm的多层石墨烯材料，栅线层(3)由相互交叉堆叠的硅纳米线构成，每根纳米线直径为40-80nm，长度为20-40μm。本实用新型能够降低太阳能电池表面对光的反射损失，提高了载流子的收集效率，降低了生产成本，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315587U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520042043.6

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 宋志成 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/054

CPC分类号： Y02E10/52

摘要： 本实用新型公开了一种基于GaN纳米线阵列的太阳能电池。其包括正电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、第一掺杂层(3)、第二掺杂层(4)、硅衬底(5)和背电极(6)。其中第一掺杂层和第二掺杂层采用宽禁带的GaN材料，且相互接触形成PN结；第二掺杂层表面为GaN纳米线阵列结构，阵列中每根GaN纳米线的直径为50-100nm，长度为2-6μm；该第一掺杂层和ITO氧化铟锡透明导电膜依次层叠在纳米线阵列结构表面，正电极设在纳米线阵列结构顶端。本实用新型具有良好的陷光效果，且能吸收从可见光到紫外光区的光子，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315580U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520041667.6

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 倪玉凤 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0216

摘要： 本实用新型公开了一种双层硅纳米线太阳能电池，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其自上而下依次为第一纳米线层(1)、窗口层(2)、吸收层(3)、第二纳米线层(4)、背电极(5)、钢化玻璃衬底层(6)。其中第一纳米线层(1)和第二纳米线层(4)均由相互交叉堆叠的硅纳米线构成，该相互交叉堆叠的硅纳米线层是通过酒精溶液转移形成，每根硅纳米线的直径为40-80nm，长度为20-40μm。本实用新型通过采用硅纳米线层，有效降低了电池表面的光反射率，增强了太阳能电池的陷光性能，提高了太阳能电池光电转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315606U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520041808.4

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 董鹏 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型公开了一种双异质结双面太阳能电池。其由上到下依次为正面电极(1)，正面增透膜(2)、P型掺杂非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型掺杂硅衬底(5)、背面本征非晶硅层(6)、N型掺杂非晶硅层(7)、背面增透膜(8)、背面电极(9)。其中P型掺杂非晶硅层(3)、正面非晶硅层(4)和N型掺杂硅衬底(5)构成正面的异质结；N型掺杂硅衬底(5)、背面本征非晶硅层(6)和N型掺杂非晶硅层(7)三者构成另一背面异质结。本实用新型通过层叠两个不同能带结构的异质结，提高了太阳能电池对光的吸收利用，减小界面缺陷态密度，提高对载流子收集，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315594U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520042039.X

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 张婷 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本实用新型公开了一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池。其包括背电极(6)和N型硅衬底(5)，其中N型硅衬底(5)的上表面采用纳米线阵列结构，每根硅纳米线的直径为40-80nm，长度为5-10μm；该纳米线阵列结构表面依次层叠有本征非晶硅层(4)、P型非晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)。本实用新型由于采用硅纳米线阵列结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204315579U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520039504.4

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 苗林 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0224

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型公开了一种双层GaN纳米线太阳能电池，主要解决了现有太阳能电池对入射光利用率低，难以得到更高光电转换效率的问题。其自上而下依次为第一纳米线层(1)、窗口层(2)、吸收层(3)、第二纳米线层(4)、背电极(5)、钢化玻璃衬底层(6)。其中所述第一纳米线层(1)和第二纳米线层(4)均为通过溶液转移形成的相互交叉堆叠的GaN纳米线层构成，该层中每根GaN纳米线的直径为50-100nm，长度为10-20μm。本实用新型由于引入GaN纳米线层，故能有效降低电池表面的光反射率，增强太阳能电池的陷光性能，并进一步减小串联电阻，从而提高了太阳能电池光电转换效率，可用于光伏发电。