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公开(公告)号：CN113063542B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202011415463.6
申请日：2020-12-07
Applicant: 阿自倍尔株式会社(JP)
IPC: G01L13/02
Abstract: 本发明抑制差压计的S/N比的降低。本发明的差压计具备基台(101)、配置在基台(101)的上表面的第一部件(102)、配置在第一部件(102)上的第二部件(103)、以及配置在第一部件(101)与第二部件(103)之间的膜片层(104)。在形成于第二部件(103)的第二压力室(106)中，在受压部(107)侧的第一区域(121)与第一贯通孔(109)侧的第二区域(122)之间，与第二压力室(106)的内壁之间具备间隙地设置有壁(108)。
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公开(公告)号：CN113063542A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202011415463.6
申请日：2020-12-07
Applicant: 阿自倍尔株式会社
IPC: G01L13/02
Abstract: 本发明抑制差压计的S/N比的降低。本发明的差压计具备基台(101)、配置在基台(101)的上表面的第一部件(102)、配置在第一部件(102)上的第二部件(103)、以及配置在第一部件(101)与第二部件(103)之间的膜片层(104)。在形成于第二部件(103)的第二压力室(106)中，在受压部(107)侧的第一区域(121)与第一贯通孔(109)侧的第二区域(122)之间，与第二压力室(106)的内壁之间具备间隙地设置有壁(108)。
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公开(公告)号：CN101876575B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201010169200.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 阿自倍尔株式会社
CPC classification number: G01L9/0042
Abstract: 本发明提供一种小型且高性能的压力传感器及其制造方法。本发明的压力传感器(30)包括：传感器芯片(10)，其具备：具有开口部(1a)的第一半导体层(1)，和设置在第一半导体层(1)上且具有成为隔膜(4)的凹部(12)的第二半导体层(3)；和基座(11)，其具有与开口部(1a)连通的压力导入孔(17)并与传感器芯片(10)接合。第二半导体层(3)的凹部(12)比第一半导体层(1)的开口部(1a)大。第一半导体层(1)的开口部(1a)的第二半导体层(3)侧的开口口径比基座(11)侧的开口口径大。
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公开(公告)号：CN102252789B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110097553.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 阿自倍尔株式会社
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0042 , G01L15/00 , G01L19/02
Abstract: 本发明提供一种小型且高性能的压力传感器。该压力传感器具备：传感器芯片(10)；设置于传感器芯片(10)的中央部的差压用隔膜(4)；设置在差压用隔膜(4)的第1端边上且沿着相对于差压用隔膜(4)的中心的径向形成的第1差压用测定元件(5c)；设置在差压用隔膜(4)的第1端边上的第1差压用测定元件(5c)的附近、沿着与径向垂直的周方向形成的第2差压用测定元件(5a)；设置在差压用隔膜(4)的外侧、且配置在差压用隔膜(4)的除了第1端边以外的其他端边的任一个与传感器芯片(10)的端部之间的静压用隔膜(17)。
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公开(公告)号：CN101943623B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010220783.6
申请日：2010-07-02
Applicant: 阿自倍尔株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0054
Abstract: 本发明涉及压力传感器及压力传感器的制造方法，能够防止因漏电流引起的特性异常。该压力传感器(100)具备：形成有扩散电阻布线(6)的第2半导体层(3)、形成在第2半导体层(3)上的绝缘层(7)、形成在绝缘层(7)上的外部导电部(8)。在绝缘膜(7)中，形成有将外部导电部(8)与扩散电阻布线(6)电连接的接点(9)，外部导电部(8)形成在与第2半导体层(3)上形成的扩散电阻布线(6)的范围相当的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119104205A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410383954.9
申请日：2024-04-01
Applicant: 阿自倍尔株式会社
IPC: G01L19/00
Abstract: 本发明提供一种压力传感器用细管的粘接结构，所述压力传感器用细管的粘接结构中，无论粘接面的润湿性如何，使粘接剂涂布后的状态均匀，防止传感器元件的耐压性降低导致的破损，并且特性恒定。本发明包括：压力传感器的传感器元件(13)；导压孔(17)，形成于传感器元件(13)；导压用细管(14)，插入至导压孔(17)中；以及粘接剂(15)，在传感器元件(13)的导压孔(17)开口的粘接面(19)以覆盖导压用细管(14)的一部分的方式涂布，将导压用细管(14)粘接于传感器元件(13)。形成有在导压孔(17)的周围限制粘接剂(15)润湿扩散的限制部(20)。
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公开(公告)号：CN119023123A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410598555.4
申请日：2024-05-15
Applicant: 阿自倍尔株式会社
Abstract: 本发明提供一种破坏强度相对低的构件不会被破坏的压力导通路结构及具有所述压力导通路结构的压力传感器。所述压力导通路结构包括：层叠体，包括具有贯通孔～贯通孔的构件；以及压力导通路，包括贯通孔～贯通孔。层叠体包括：玻璃构件(低强度的构件)，破坏强度比其他构件低；以及第一硅构件(第一高强度的构件)及第二硅构件(第二高强度的构件)，夹着玻璃构件。在第一硅构件设置压力导入口，在第二硅构件设置堵塞压力导通路的隔膜。第一硅构件的贯通孔的孔径比玻璃构件的贯通孔的孔径大。第二硅构件的贯通孔的孔径比玻璃构件的贯通孔的孔径小。
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公开(公告)号：CN112649140A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011059500.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 阿自倍尔株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够同时测量多个压力的传感器元件。传感器元件(1)具备：膜片(32、33)，其通过受到压力而分别位移；以及多个压力导入通路(由贯通孔(21、37)、槽(42)及凹陷部(40、41)构成的第1压力导入通路、由贯通孔(20)、槽(36)及凹陷部(30)构成的第2压力导入通路)，其向各个膜片(32、33)传递相同或不同的压力。多个压力导入通路的每一个都填满有能够传递压力的压力传递介质，并且从多个压力导入通路中的一部分或全部分别向膜片(32、33)施加压力。
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公开(公告)号：CN110779652A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910634873.0
申请日：2019-07-15
Applicant: 阿自倍尔株式会社
Abstract: 本发明提供一种压力传感器芯片，以提高止动构件与传感器膜片的接合部的断裂韧性，并使得不会因为由低压引起的传感器膜片的轻微变形而导致其破坏。在止动构件(1-2)的周缘部(1-2b)中设置环状的壁(1-5)，环状的壁(1-5)的内壁面(1-5a)面对被传感器膜片(1-1)与止动构件(1-2)的曲面状的凹部(1-2b)包围的空间(1-4)。由此，在止动构件(1-2)与传感器膜片(1-1)的接合部跨越整个圆周地形成段差(极微小的段差)(h)，应力被该段差(h)所分散。
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公开(公告)号：CN110779638A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910670884.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 阿自倍尔株式会社
Abstract: 提供一种高灵敏度的压力传感器，其能够减小输出值的迟滞，并且能够用保护膜可靠地覆盖并保护表面。该压力传感器具备具有压敏部(11)的膜片(3)。压敏部(11)通过在下表面(11a)(表面和背面中的一个)形成凹部(13)而分成厚度厚的区域(B)和薄的区域。在压敏部(11)的厚度厚的区域(B)，即在未形成有凹部(13)的上表面(11b)，设有包括压阻元件的传感器应变片(21)。
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