公开(公告)号：CN105509935B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510768364.9

申请日：2015-10-12

申请人： 恩德莱斯和豪瑟尔欧洲两合公司

发明人： 英·图安·塔姆

IPC分类号： G01L1/14

CPC分类号： G01L9/0075 ,  B22F3/1055 ,  B22F7/06 ,  B22F2999/00 ,  B28B1/001 ,  B28B1/008 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/486 ,  C04B35/653 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/72 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/62 ,  G01L9/0042 ,  Y02P10/295 ,  B22F1/0018

摘要： 陶瓷压力传感器及其生产方法。描述一种陶瓷压力传感器，其使用可替选的生产方法生产，并且具有陶瓷基体(1a、1b、1c)、布置在基体(1a、1b、1c)上并且被加载待测量的压力(p)的陶瓷测量膜(5a、5b)和在测量膜(5a、5b)下面封闭在基体(1a、1b、1c)中的压力测量室(3)，以及描述一种生产该压力传感器的方法，借助该方法，特别可以在具有最小细孔的情况下生产测量膜(5a、5b)和/或基体(1a、1b、1c)的更复杂的形状，其中基体(1a、1b、1c)和/或测量膜(5a、5b)具有用3‑D打印方法彼此施加并且通过纳米粉末层的选择性激光熔化生成的层。

公开(公告)号：CN107209078B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680006742.2

申请日：2016-02-03

申请人： 株式会社电装

发明人： 早川裕 ,  与仓久则

IPC分类号： G01L9/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

摘要： 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

公开(公告)号：CN104969049B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201380061895.3

申请日：2013-10-01

申请人： 罗伯特·博世有限公司 ,  A·费伊 ,  A·B·格雷厄姆

发明人： A·费伊 ,  A·B·格雷厄姆

IPC分类号： G01L9/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00476 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073

摘要： 在一个实施例中，形成MEMS装置的方法包括使得硅晶片设置有基底层和在所述基底层的上表面上方的中间层。在所述中间层中限定第一电极并且在所述中间层的上表面上方设置氧化物部。在所述氧化物部的上表面上设置罩层并且在所述罩层中限定第二电极。所述方法还包括蚀刻氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔投影到所述中间层上时，所述投影的第二电极包围所述投影的腔。

公开(公告)号：CN104949790B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510146420.5

申请日：2015-03-31

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.德赫 ,  A.韦斯鲍尔

IPC分类号： G01L9/12

CPC分类号： G01L9/0073 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0082 ,  G01L9/08 ,  G01L9/085 ,  H04R1/08 ,  H04R2201/003

摘要： 本发明涉及动态压力传感器。根据各种实施例，动态压力传感器包括基板、形成在基板中的参考体积、密封参考体积的可挠曲膜、耦合到膜并且被配置为测量膜的挠曲的挠曲感测元件，和被配置为使参考体积内的绝对压力与参考体积外的绝对周围压力均衡的通风孔。

公开(公告)号：CN107032289A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610925667.1

申请日：2016-10-24

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 李丰园 ,  C·S·达沃森 ,  A·C·迈克奈尔 ,  A·S·萨立安 ,  M·E·施拉曼

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01C19/00 ,  G01L1/14 ,  G01P15/08

CPC分类号： G01P15/125 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0092 ,  B81B7/0009 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00198 ,  G01C19/00 ,  G01L1/148 ,  G01P15/08 ,  G01P2015/0862

摘要： 本公开涉及具有集成多个刺激感测能力的MEMS传感器装置。传感器装置包括：装置结构；和顶盖，所述顶盖与所述装置结构耦合，以产生空腔，所述传感器装置的组件位于所述空腔内。所述装置结构包括衬底和与所述衬底的表面间隔开的可移动元件。端口延伸穿过位于所述可移动元件下面的所述衬底。传感元件与所述可移动元件间隔开，并从所述端口移离。所述可移动元件和所述传感元件形成惯性传感器，以感测当所述可移动元件相对于所述传感元件移动时的运动刺激。另外的传感元件连同隔膜一起跨越所述端口。所述可移动元件和所述另外的传感元件形成压力传感器，以感测当所述另外的传感元件连同所述隔膜一起相对于所述可移动元件移动时来自外部环境的压力刺激。

公开(公告)号：CN104517914B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410499924.0

申请日：2014-09-26

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H.托伊斯 ,  M.沃佩尔 ,  H.维乔尔克

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  G01L9/02

CPC分类号： G01L9/0045 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00325 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0007 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014

摘要： 公开了具有集成的密封的压力传感器封装。一种压力传感器封装，包括：引线；以及半导体管芯，与所述引线间隔开，并且包括被部署在所述管芯的第一侧部处的端子和隔膜。所述管芯被配置为响应于跨所述隔膜的压力差而改变电参数。所述封装还包括：电导体，将所述端子连接到所述引线；模制化合物，包封所述电导体、所述管芯和所述引线的一部分；在所述模制化合物中的腔体，暴露所述隔膜；以及密封环，被部署在具有所述腔体的所述模制化合物的侧部上。所述密封环围绕所述腔体，并且具有比所述模制化合物更低的弹性模量。替换地，所述密封环可以是从具有所述腔体的所述模制化合物的所述侧部突出并且围绕所述腔体的所述模制化合物的脊。还提供一种封装制造方法。

公开(公告)号：CN102243125B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110008491.0

申请日：2011-01-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 吉川英治 ,  出尾晋一

IPC分类号： G01L9/04

CPC分类号： G01L9/0042 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127

摘要： 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。

公开(公告)号：CN106461481A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580010811.2

申请日：2015-02-27

申请人： 测量专业股份有限公司

发明人： D.E.瓦格纳 ,  J.H.霍夫曼 ,  K.L.詹尼

IPC分类号： G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0054 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0052 ,  G01L13/025 ,  G01L19/0038 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种压差传感器包括压力感测基座，压力感测基座包括半导体基座，半导体基座具有形成膜的减薄部分。膜包括压阻元件，其呈现基于施加在膜上的力的变化的阻抗。第一支撑结构连结到半导体基座的第一表面，具有孔，该孔限定为穿过该支撑结构使得膜的第一表面通过该孔而暴露。第二支撑结构连结到半导体基座的相反侧，并且具有与膜的相反侧对齐的孔。与压阻元件电连通的电气部件布置在由第一和第二支撑元件及半导体基座之间的连结部限定的区域之外。油填充的空间可被限定在半导体基座和恶劣的媒介之间，其将流体压力传递至基座，而恶劣的媒介没有接触基座。

公开(公告)号：CN105565256A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510617061.7

申请日：2015-09-24

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： A·皮科

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81B7/0048 ,  B81B7/0051 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00325 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  B81B7/02 ,  B81B7/0038 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/01

摘要： 微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。

公开(公告)号：CN105366623A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510487846.7

申请日：2015-08-10

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 林和也 ,  永松昌一 ,  竹内淳一 ,  衣川拓也

IPC分类号： B81B3/00 ,  G01L9/06 ,  G01C5/06

CPC分类号： G01L9/0042 ,  G01C5/06 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/147

摘要： 本发明提供一种具有优异的温度特性的物理量传感器，并且提供具有该物理量传感器的压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。本发明的物理量传感器(1)具有：具有在一面上开口的凹部(24)的基板(2)、包括凹部(24)的底部并通过受压而发生挠曲变形的隔膜部(20)、配置于隔膜部(20)上的压敏电阻元件(5)、隔着空穴部(S)与隔膜部(20)对置覆盖层(641)、配置于基板(2)与覆盖层(641)之间且同基板(2)以及覆盖层(641)一起构成空穴部S的布线层(62、64)，布线层(62、64)构成为含有金属，在俯视视图中，凹部(24)的底部的外周缘(241)与布线层(62)的内壁面的基板(2)侧的端部(621)相比位于隔膜部(20)的中心侧。