一种发光板及其制备方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108155301B

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201711322522.3

    申请日:2017-12-12

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明提供了一种发光板及其制备方法,将铝基板的一边的小部分面积氧化,形成一层氧化铝层,再在氧化铝层的2/3面积上镀上一层薄铝层,将铝基板上剩下的区域留出窄的U形边作为阴极,U形边内的区域镀上一层LiF层,LiF层上镀上一层Alq3层,Alq3层上镀上一层Alq3:C5457层,Alq3:C5457层上镀上一层NPB层,NPB层之上镀上一层MoO3层、MoO3层上镀上一层铝膜,铝膜不仅镀在MoO3层上,还覆盖氧化铝层,与薄铝层相连,最后在铝膜上镀上一层SiO2层,形成发光板。可应用于城市亮化、装饰照明等方面。

    一种宽带化采样的光子时间拉伸模数转换系统

    公开(公告)号:CN108227335A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810117089.8

    申请日:2018-02-06

    IPC分类号: G02F7/00 G02B27/28

    摘要: 本发明公开了一种宽带化采样的光子时间拉伸模数转换系统,包括有依次连接的锁模激光器、第一色散介质、第一偏振控制器、偏振调制器及光耦合器,光耦合器的输出端为两路输出,分别为上支路和下支路,光耦合器的输出上支路连接有第二偏振控制器,光耦合器的输出下支路连接有第三偏振控制器,第二偏振控制器和第三偏振控制器的输出端共同连接有偏振合束器,偏振合束器还依次连接有第二色散介质、光电探测器及电模数转换器。本发明的一种宽带化采样的光子时间拉伸模数转换系统,能消除常规光子时间拉伸模数转换系统中的功率衰落传递函数,从而解决了现有系统中采样带宽受限的问题,提高了系统的时间带宽积性能。

    2-氰-5-氟溴苄修饰的碳基全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN118825130A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410916277.2

    申请日:2024-07-09

    摘要: 本发明公开了一种2‑氰‑5‑氟溴苄修饰的碳基全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。上述制备方法如下:在FTO玻璃基底上制备TiO2电子传输层;制备无机CsPbI3‑xBrx前驱体溶液,并将2‑氰‑5‑氟溴苄粉末和氯苯混合制得2‑氰‑5‑氟溴苄溶液;将无机CsPbI3‑xBrx前驱体溶液滴加在TiO2电子传输层上进行旋涂处理,在旋涂处理过程中加入2‑氰‑5‑氟溴苄溶液后进行热处理,获得2‑氰‑5‑氟溴苄修饰的钙钛矿光吸收层;在2‑氰‑5‑氟溴苄修饰的钙钛矿光吸收层上制备碳电极。其中,2‑氰‑5‑氟溴苄其结构中含有的氰基能够钝化未配位的铅离子并且减少钙钛矿表面缺陷,能够有效地填补缺陷态,并且该添加剂能加强钙钛矿层和碳电极之间的界面接触,能够减少钙钛矿层的缺陷。

    一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法

    公开(公告)号:CN107180907B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201710439733.9

    申请日:2017-06-12

    IPC分类号: H01L33/50

    摘要: 本发明提供了一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法,包括支架、固晶于支架上的LED芯片、起固晶作用的导热粘结胶、涂覆在LED芯片上的荧光粉层、涂覆在荧光粉层上的填充硅胶封装层及包裹住填充硅胶封装层并实现配光的塑料透镜,将支架焊接在铝基板上,铝基板上刻蚀有铜箔电路,铜箔电路引出至外部,铝基板上的半圆柱形磨砂玻璃罩包围住光源,由于采用了一定浓度的黄色和橙色荧光粉,得到了不含蓝光成分的纯黄光,光效显著提高,因而适合超净室使用。

    一种发光板及其制备方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108155301A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201711322522.3

    申请日:2017-12-12

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明提供了一种发光板及其制备方法,将铝基板的一边的小部分面积氧化,形成一层氧化铝层,再在氧化铝层的2/3面积上镀上一层薄铝层,将铝基板上剩下的区域留出窄的U形边作为阴极,U形边内的区域镀上一层LiF层,LiF层上镀上一层Alq3层,Alq3层上镀上一层Alq3:C5457层,Alq3:C5457层上镀上一层NPB层,NPB层之上镀上一层MoO3层、MoO3层上镀上一层铝膜,铝膜不仅镀在MoO3层上,还覆盖氧化铝层,与薄铝层相连,最后在铝膜上镀上一层SiO2层,形成发光板。可应用于城市亮化、装饰照明等方面。

    一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法

    公开(公告)号:CN107180907A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710439733.9

    申请日:2017-06-12

    IPC分类号: H01L33/50

    CPC分类号: H01L33/504 H01L2933/0041

    摘要: 本发明提供了一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法,包括支架、固晶于支架上的LED芯片、起固晶作用的导热粘结胶、涂覆在LED芯片上的荧光粉层、涂覆在荧光粉层上的填充硅胶封装层及包裹住填充硅胶封装层并实现配光的塑料透镜,将支架焊接在铝基板上,铝基板上刻蚀有铜箔电路,铜箔电路引出至外部,铝基板上的半圆柱形磨砂玻璃罩包围住光源,由于采用了一定浓度的黄色和橙色荧光粉,得到了不含蓝光成分的纯黄光,光效显著提高,因而适合超净室使用。

    一种深红-近红外发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116709797A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310722404.0

    申请日:2023-06-17

    摘要: 本发明公开了一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法,其中深红‑近红外发光二极管包括:从下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、深红‑近红外发光层、电子传输层和阴极;阳极采用透明导电玻璃基片;空穴注入层采用有机注入材料;空穴传输层采用TFB;深红‑近红外发光层采用F8BT:PIDT‑2TPD;电子传输层采用富勒烯衍生物和n型共轭聚合物;阴极采用金属电极修饰层和金属电极。本申请提出的一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法,降低了近红外二极管内部能量损耗,减轻了发光性能衰减。

    一种电子传输层的制备方法、电子传输层及太阳能电池

    公开(公告)号:CN115132929A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210793134.8

    申请日:2022-07-05

    摘要: 本发明公开了一种电子传输层的制备方法、电子传输层及太阳能电池,电子传输层的制备方法包括:设置衬底;在衬底上采用电子束蒸发法沉积形成TiOx电子传输层。本发明通过电子束蒸发法制备高质量的电子传输层,需要的设备简单且成本低,能够沉积形成致密的TiOx薄膜,薄膜均匀性提高,由其作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池器件效率得到提高,并且器件稳定性提高,制备工艺具有优异的可重复性,适合大批量商业化生产。