一种测量量子点的发光光谱随温度变化规律的装置及方法

    公开(公告)号:CN107064022B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201710262969.X

    申请日:2017-04-20

    IPC分类号: G01N21/27 G01J3/28

    摘要: 本发明提供一种测量量子点的发光光谱随温度变化规律的装置及方法,装置包括蓝光或紫外LED照明光源,设置在蓝光或紫外LED照明光源上的空心圆柱体,设置在空心圆柱体中间的镀有量子点薄膜的透明薄片,环绕在空心圆柱体上的电阻丝,内插在电阻丝和空心圆柱体外表面之间的万用表温度探头,固定在空心圆柱体顶端的光电探头。点亮LED照明光源后利用电阻丝加热空心圆柱体内的量子点薄膜,利用光电探头采集经过LED照明光源照射量子点膜所形成的发光光源的信号,根据获得的不同温度下量子点的发光光谱等发光特性参数,获得量子点的发光光谱等随温度变化的规律。

    一种LED封装结构及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107093601A

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201710375606.7

    申请日:2017-05-24

    IPC分类号: H01L25/075 H01L33/62

    摘要: 本发明提供了一种LED封装结构及方法,包括:基板、梳形电极、ACF导电胶、多个LED芯片以及LED芯片的正负极。本发明采用热压法,在精准对位后将LED芯片与下方基板上的梳形电极垂直连接,并对ACF导电胶进行两个阶段的热压,最后形成纵向导通、横向绝缘的稳定结构。不仅可以实现微小尺寸的LED芯片封装而且极大地将工艺简单化、成本降低等优点。并且可以较大增加光线透过率,实现光线的强度和亮度全方位一致的效果,因此提高光纯度。并可以增大了发光面积,使光线更柔和。同时还可以制备柔性基板实现透明显示和照明的器件。

    一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法

    公开(公告)号:CN107180907B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201710439733.9

    申请日:2017-06-12

    IPC分类号: H01L33/50

    摘要: 本发明提供了一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法,包括支架、固晶于支架上的LED芯片、起固晶作用的导热粘结胶、涂覆在LED芯片上的荧光粉层、涂覆在荧光粉层上的填充硅胶封装层及包裹住填充硅胶封装层并实现配光的塑料透镜,将支架焊接在铝基板上,铝基板上刻蚀有铜箔电路,铜箔电路引出至外部,铝基板上的半圆柱形磨砂玻璃罩包围住光源,由于采用了一定浓度的黄色和橙色荧光粉,得到了不含蓝光成分的纯黄光,光效显著提高,因而适合超净室使用。

    一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法

    公开(公告)号:CN107180907A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710439733.9

    申请日:2017-06-12

    IPC分类号: H01L33/50

    CPC分类号: H01L33/504 H01L2933/0041

    摘要: 本发明提供了一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法,包括支架、固晶于支架上的LED芯片、起固晶作用的导热粘结胶、涂覆在LED芯片上的荧光粉层、涂覆在荧光粉层上的填充硅胶封装层及包裹住填充硅胶封装层并实现配光的塑料透镜,将支架焊接在铝基板上,铝基板上刻蚀有铜箔电路,铜箔电路引出至外部,铝基板上的半圆柱形磨砂玻璃罩包围住光源,由于采用了一定浓度的黄色和橙色荧光粉,得到了不含蓝光成分的纯黄光,光效显著提高,因而适合超净室使用。

    一种单晶薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106702495A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611227956.0

    申请日:2016-12-27

    IPC分类号: C30B29/64 C30B1/02

    CPC分类号: C30B29/64 C30B1/02

    摘要: 本发明公开了一种单晶薄膜的制备方法,涉及单晶薄膜制备技术领域,具体是指对具有特定形状的非晶薄膜进行热处理来制备单晶薄膜的方法。首先在基板上形成非晶薄膜;然后对上述薄膜进行加工形成三段形状;再通过热处理、激光照射、微波处理或电磁辐射加热等手段,依次处理非晶薄膜的各个区,使其逐渐结晶,在基片上依次形成多晶区、选择区和单晶薄膜区,最后去掉多晶区和选择区即可得到单晶薄膜。

    一种透明OLED器件结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106920894B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201710299344.0

    申请日:2017-04-28

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种透明OLED器件结构及其制备方法,包括一种制备器件时使用的孔径大小为10‑500μm的新型网状掩模版。其中,新型网状掩模版的厚度为0.1‑0.5mm,掩模版网孔的形状可以是圆形、菱形、五边形以及六边形。新型网状掩模版是采用激光雕刻的方法具体为YAG激光结合点阵雕刻的方法获得各种网孔图案。本发明的网孔筛状的阴极又不同于传统的整片式蒸镀的阴极,在降低器件厚度的同时,也提升了透明器件的透过率。

    一种透明OLED器件结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106920894A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201710299344.0

    申请日:2017-04-28

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种透明OLED器件结构及其制备方法,包括一种制备器件时使用的孔径大小为10‑500μm的新型网状掩模版。其中,新型网状掩模版的厚度为0.1‑0.5mm,掩模版网孔的形状可以是圆形、菱形、五边形以及六边形。新型网状掩模版是采用激光雕刻的方法具体为YAG激光结合点阵雕刻的方法获得各种网孔图案。本发明的网孔筛状的阴极又不同于传统的整片式蒸镀的阴极,在降低器件厚度的同时,也提升了透明器件的透过率。