复合硬质铬镀覆
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117940615A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280062430.9

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本发明的目的在于提供在实用的铬镀覆条件下在镀覆膜与陶瓷粒子之间非密合部位受到抑制、作为覆膜的缺陷少、硬度和耐磨损性优异的复合硬质铬镀覆覆膜、以及被覆有上述覆膜的滑动构件。具体而言,提供以下的包含板状氧化铝的复合硬质铬镀覆覆膜,其特征在于,上述复合硬质铬镀覆覆膜的铬源为三价铬,上述板状氧化铝的每单位表面积的酸吸附量A(μmol/m2)与每单位表面积的碱吸附量B(μmol/m2)之比A/B为0.5以上且1.5以下。

    铜微粒子烧结体
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111417735B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201880077321.8

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明所要解决的课题在于提供一种接合构件,所述接合构件将铜微粒子设为半导体装置零件的接合构件,且在200℃以上的高温条件下的运行中,不会在半导体装置内产生龟裂或剥离等。本发明通过提供一种铜微粒子烧结体来解决所述课题,所述铜微粒子烧结体用于半导体装置零件接合,当将铜微粒子烧结体在150℃下的维氏硬度设为Hvb,将所述铜微粒子烧结体在25℃下的维氏硬度设为Hva时,(Hvb/Hva)×100%的值为5%以上、20%以下。

    铜微粒子烧结体
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111417735A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201880077321.8

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明所要解决的课题在于提供一种接合构件,所述接合构件将铜微粒子设为半导体装置零件的接合构件,且在200℃以上的高温条件下的运行中,不会在半导体装置内产生龟裂或剥离等。本发明通过提供一种铜微粒子烧结体来解决所述课题,所述铜微粒子烧结体用于半导体装置零件接合,其特征在于:当将铜微粒子烧结体在150℃下的维氏硬度设为Hvb,将所述铜微粒子烧结体在25℃下的维氏硬度设为Hva时,(Hvb/Hva)×100的值为5%以上、20%以下。

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