公开(公告)号：CN101866799A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010115887.0

申请日：2010-02-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 諏访高典 ,  武田俊彦 ,  广木珠代

IPC: H01J29/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J1/3046 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2203/0216 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2329/0423 ,  H01J2329/4613 ,  H01J2329/4673 ,  H01J2329/4682

Abstract: 本发明公开了一种电子束装置和使用电子束装置的图像显示装置。所提供的电子束装置具有电子发射器件，所述电子发射器件具有简单的配置、展现出高的电子发射效率、操作稳定并且其中有效会聚发射的电子。电子束装置包括：绝缘部件，在其表面上具有凹口；栅极，位于所述绝缘部件的表面上；至少一个阴极，具有从所述凹口的边缘向所述栅极突起的突起部分，并且位于所述绝缘部件的表面上使得所述突起部分与所述栅极相对；和阳极，被布置为经由所述栅极与所述突起部分相对，其中，在所述绝缘部件的表面上形成所述栅极，使得至少与所述阴极相对的区域的一部分向外突出，并且设置其中所述栅极的端部凹陷并且夹着突出区域的凹陷部分。

公开(公告)号：CN101847557A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010200646.6

申请日：2010-06-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  张永爱 ,  林金堂 ,  翁卫祥 ,  叶芸

IPC: H01J29/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3046 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2329/0423

Abstract: 本发明涉及一种具有边缘增强效应的栅极场发射显示器中的阴极结构，该阴极结构具有阴极基板，阴极单元包括电子发射阴极材料层、栅极层以及介电层。其中，电子发射阴极材料层与栅极层共面地设置在阴极玻璃基板上，而且相互对应并用介电层隔开。通过在结构边缘会增加电场强度的电学特性，将条状电极与介电层的宽度比进行控制，使得阴极板上条状电极边缘露出，而最靠近玻璃基板的条状通过刻蚀玻璃的方式而露出，实现发射极和栅极的任意选择及调控。这样在发射源处构成具有边缘结构，以提高位于发射源处的电场，增强栅极调控作用，降低场发射阴极开启电场，提高场发射显示器件的阴极场发射性能，简化工艺程序，降低制造成本。

公开(公告)号：CN101752160A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252313.5

申请日：2009-12-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木直文 ,  西田彰志

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J1/3046 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0423 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。

公开(公告)号：CN1287679A

公开(公告)日：2001-03-14

申请号：CN99801823.6

申请日：1999-02-06

Applicant: 先进图像技术公司

Inventor： 迈克尔D·波特

IPC: H01J21/10 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30423

Abstract: 横向发射体场致发射器件(10)具有栅极(60),该栅极通过绝缘层(80)与包含器件(10)的其它部件的真空或填充气体的微腔室环境(20)隔开。例如在微腔室(20)的外部设置栅极(60)。设置绝缘层(80)以便对从横向发射体(40,100)发射的电子来说不存在通过真空或填充气体到达栅极的通路。设置在发射体与栅极之间的绝缘层(70,80)最好包括具有介电常数大于1的材料。该绝缘层最好还在器件的电子能量工作范围内具有低二次电子产生率。对于显示应用来说,绝缘层最好是透明的。发射的电子被限制到包含发射体(100)的微腔室(20)内。发射体电流的栅极电流成分仅由位移电流组成。该位移电流是栅极电位相对其它部件例如相对发射体的任何变化的结果。防止从发射体到栅极的直接电子电流。器件的阵列包括微腔室阵列,以致来自各发射体(100)的电子电流仅可到达相同微腔室中的阳极(50,55),即使对于没有栅电极(60)的二极管器件也如此。制造工艺方法(S1－S28)特别适于制造器件和这种器件的阵列。

公开(公告)号：CN1281584A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN98812141.7

申请日：1998-12-11

Applicant: 先进图像技术公司

Inventor： 迈克尔D·波特

IPC: H01J1/02 ,  H01J1/16 ,  H01J19/10 ,  H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  H01J17/24 ,  H01J19/70 ,  H01J61/26

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2329/00

Abstract: 自吸气电子场致发射体(30)具有用于电子发射的低功函数材料形成的第一部分(40),和用作低电阻导电体和用作吸气表面的成一体的第二部分(50)。通过平行于衬底设置低功函数材料的薄膜,和通过平行于衬底且与低功函数材料薄膜接触地设置低电阻吸气材料薄膜,形成自吸气发射体(30)。自吸气发射体(30)特别适用于横向场致发射器件(10)。优选的发射体结构具有逐渐变细的边缘(60),该边缘具有超过吸气和低电阻材料边缘(55)延伸一小段距离的低功函数材料的突出部分(45)。制造工艺(S1－S6)本身特别适于形成自吸气电子场致发射体同时制造微电子场致发射器件。

公开(公告)号：CN1186568A

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：CN96194391.2

申请日：1996-05-31

Applicant: 先进图像技术公司

Inventor： 迈克尔·D·波特

IPC: H01J1/62 ,  H01J63/04

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2209/385

Abstract: 横向场发射器件(10)具有基本与基片(20)平行的横向发射极(100),并具有简化的阳极结构(70)。阳极的上表面与横向发射极平面精确隔开,当加合适偏压时它接收来自横向发射阴极边缘场发射所发射的电子。该器件可以构成为二极管,或有控制极(140)的三极管,四极管等,控制极定位成给它们加电信号时能够控制发射极到阳极的电流。