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公开(公告)号：CN102884605A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
申请人： 光实验室瑞典股份公司
发明人： 胡秋红
CPC分类号： H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要： 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN101752157B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要： 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号：CN101752160A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252313.5
申请日：2009-12-02
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： H01J9/025 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/30426 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0423 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要： 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN101689452A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880001000.6
申请日：2008-06-27
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 栗林正树
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要： 提供一种用于制造使用硼镧化合物薄膜的高强度电子发射装置的方法和设备。在设置有电子发射基体构件的第二基板中露出电子发射基体构件区域，并且利用掩模遮蔽其它区域，从而溅射沉积低功函数物质靶材的溅射粒子。利用密封剂密封溅射沉积过的第二基板和设置有荧光体的第一基板以制成真空室。在制作工序期间，始终将第一和第二基板维持在真空环境或减压环境中。
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公开(公告)号：CN102884605B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
申请人： 光实验室瑞典股份公司
发明人： 胡秋红
CPC分类号： H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要： 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN101752157A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要： 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号：CN101689451A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880000760.5
申请日：2008-06-27
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 栗林正树
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要： 提供了一种使用硼镧化合物薄膜制造高强度电子发射装置的方法和设备。在布置有电子发射基础构件的第二基板上累积低功函数物质靶的溅射粒子。通过使用用于遮蔽电子发射基础构件区域并开放其它区域的掩模，对第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻，之后，利用密封剂密封第二基板和布置有荧光体的第一基板，以制作真空室。在制作步骤期间，将第一基板和第二基板始终维持真空环境或减压环境。
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