公开(公告)号：CN1681975A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821285.4

申请日：2003-07-08

申请人： BTG国际有限公司

发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 ,  约纳斯·比约恩·奥尔松

IPC分类号： C30B11/12 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/882 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  H01L33/04 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763

摘要： 通过采用具有不同带隙的不同材料形成晶须的长度部分，将共振隧穿二极管和其它一维电子、光子结构以及机电MEMS装置制成纳米晶须中的异质结构。因此，共振隧穿二极管包括纳米晶须，该纳米晶须在其一端具有籽晶颗粒熔融体并具有纳米尺寸的恒定直径的柱，从而展现出量子局限效应，该柱包括：分别包含发射极和集电极的第一和第二半导体部分、位于第一和第二半导体部分之间的第三和第四部分以及位于第三和第四部分之间并形成量子阱的第五中央部分，其中，第三和第四部分的材料具有不同于第一和第二半导体部分的带隙，第五中央部分的半导体材料具有不同于第三和第四部分的带隙。RTD通过一种方法制成，该方法包括：在衬底上沉积颗粒，并将该籽晶颗粒暴露于处于温度和压力控制条件下的材料中，从而用该籽晶颗粒形成熔融体，因此，该籽晶颗粒在柱的顶端爬升，以形成纳米晶须，该纳米晶须的柱具有纳米尺寸的恒定直径；在柱的生长过程中，有选择地改变所述气体的组分，从而不连续地改变该柱在沿着其长度区域中的材料组分，并同时维持外延生长，其中，所述部分的材料之间的晶格失配通过边界处的晶须沿径向向外膨胀得以调适。