-
公开(公告)号:CN101356115B
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200580052491.3
申请日:2005-11-29
IPC分类号: B82B3/00
CPC分类号: C23C18/14 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02422 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/02675 , H01L29/0665 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/723 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/776 , Y10S977/777
摘要: 形成纳米尺寸簇群的本发明方法包括:引入含簇群形成材料的溶液到基片材料中所含的天然或人造源的纳米孔隙中,并随后曝光所述溶液到激光辐射脉冲的作用下,其方式是,低温等离子体在其存在的区域中产生气态介质,其中在等离子体冷却的同时,利用它在液态基片上产生的结晶,簇群材料返回成纯材料,从而形成与基片材料连接的单晶量子圆点。所述方法可以形成二维和三维簇群栅格以及由不同材料互相连接的簇群。本发明还能在基片的纳米孔腔中制作不同材料的布线以及从玻璃上分布的有机材料的溶液微滴中制作量子圆点。
-
公开(公告)号:CN1507661A
公开(公告)日:2004-06-23
申请号:CN02809601.0
申请日:2002-03-29
申请人: 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L24/45 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/125 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L35/00 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L2224/45565 , H01L2224/45599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/951 , Y10T428/24994 , Y10T428/249949 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/2916 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973 , Y10T428/298 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要: 一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构,我们称之为“纳米线”,包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构,所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构,因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线,其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分,以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
-
公开(公告)号:CN101562205B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200910141087.3
申请日:2003-07-08
申请人: 库纳诺公司
发明人: 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/102 , H01L27/144
CPC分类号: H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要: 本发明涉及一种光电装置,其包括:设有接点区的衬底;至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须,所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p-n结;在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池,其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外,本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器,其中所述光电装置适于探测辐射。
-
公开(公告)号:CN100500950C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN03821285.4
申请日:2003-07-08
申请人: 库纳诺公司
发明人: 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
CPC分类号: H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要: 通过采用具有不同带隙的不同材料形成晶须的长度部分,将共振隧穿二极管和其它一维电子、光子结构以及机电MEMS装置制成纳米晶须中的异质结构。因此,共振隧穿二极管包括纳米晶须,该纳米晶须在其一端具有籽晶颗粒熔融体并具有纳米尺寸的恒定直径的柱,从而展现出量子局限效应,该柱包括:分别包含发射极和集电极的第一和第二半导体部分、位于第一和第二半导体部分之间的第三和第四部分以及位于第三和第四部分之间并形成量子阱的第五中央部分,其中,第三和第四部分的材料具有不同于第一和第二半导体部分的带隙,第五中央部分的半导体材料具有不同于第三和第四部分的带隙。RTD通过一种方法制成,该方法包括:在衬底上沉积颗粒,并将该籽晶颗粒暴露于处于温度和压力控制条件下的材料中,从而用该籽晶颗粒形成熔融体,因此,该籽晶颗粒在柱的顶端爬升,以形成纳米晶须,该纳米晶须的柱具有纳米尺寸的恒定直径;在柱的生长过程中,有选择地改变所述气体的组分,从而不连续地改变该柱在沿着其长度区域中的材料组分,并同时维持外延生长,其中,所述部分的材料之间的晶格失配通过边界处的晶须沿径向向外膨胀得以调适。
-
公开(公告)号:CN103854971B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201210513894.5
申请日:2012-12-04
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号: H01L21/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/66439 , H01L29/66522 , H01L29/775 , H01L29/78 , Y10S977/763 , Y10S977/89 , Y10S977/938
摘要: 本发明提供一种纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法,所述纳米线的制造方法包括:形成横截面呈长方形的第一纳米线;在所述第一纳米线的表面上形成半导体层,形成包括所述第一纳米线和所述半导体层的第二纳米线,所述第二纳米线横截面为边长数大于或等于五的多边形;对所述第二纳米线进行退火,以形成纳米线。本发明还提供一种包括所述纳米线制造方法的纳米线场效应晶体管的制造方法。本发明能在简化制程的同时优化纳米线场效应晶体管的性能。
-
公开(公告)号:CN101562205A
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200910141087.3
申请日:2003-07-08
申请人: 库纳诺公司
发明人: 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/102 , H01L27/144
CPC分类号: H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要: 本发明涉及一种光电装置,其包括:设有接点区的衬底;至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须,所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p-n结;在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池,其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外,本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器,其中所述光电装置适于探测辐射。
-
公开(公告)号:CN101356115A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200580052491.3
申请日:2005-11-29
IPC分类号: B82B3/00
CPC分类号: C23C18/14 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02422 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/02675 , H01L29/0665 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/723 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/776 , Y10S977/777
摘要: 形成纳米尺寸簇群的本发明方法包括:引入含簇群形成材料的溶液到基片材料中所含的天然或人造源的纳米孔隙中,并随后曝光所述溶液到激光辐射脉冲的作用下,其方式是,低温等离子体在其存在的区域中产生气态介质,其中在等离子体冷却的同时,利用它在液态基片上产生的结晶,簇群材料返回成纯材料,从而形成与基片材料连接的单晶量子圆点。所述方法可以形成二维和三维簇群栅格以及由不同材料互相连接的簇群。本发明还能在基片的纳米孔腔中制作不同材料的布线以及从玻璃上分布的有机材料的溶液微滴中制作量子圆点。
-
公开(公告)号:CN100416781C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200480024282.3
申请日:2004-08-25
申请人: 纳米传导公司
发明人: C·丹格洛
IPC分类号: H01L21/461 , H01L21/469 , H01L21/31
CPC分类号: H01L23/473 , B82Y10/00 , H01L23/373 , H01L25/0652 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , H01L2924/00
摘要: 公开了采用碳纳米管或纳米线阵列以减小在集成电路芯片和散热器之间热接触电阻的散热器结构。碳纳米管阵列与布置在纳米管之间的导热金属填料结合。这个结构产生了具有高轴向和横向导热性的热界面。
-
公开(公告)号:CN103854971A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201210513894.5
申请日:2012-12-04
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号: H01L21/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/66439 , H01L29/66522 , H01L29/775 , H01L29/78 , Y10S977/763 , Y10S977/89 , Y10S977/938 , H01L21/02603 , H01L29/42356
摘要: 本发明提供一种纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法,所述纳米线的制造方法包括:形成横截面呈长方形的第一纳米线;在所述第一纳米线的表面上形成半导体层,形成包括所述第一纳米线和所述半导体层的第二纳米线,所述第二纳米线横截面为边长数大于或等于五的多边形;对所述第二纳米线进行退火,以形成纳米线。本发明还提供一种包括所述纳米线制造方法的纳米线场效应晶体管的制造方法。本发明能在简化制程的同时优化纳米线场效应晶体管的性能。
-
公开(公告)号:CN1856871A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200480024282.3
申请日:2004-08-25
申请人: 纳米传导公司
发明人: C·丹格洛
IPC分类号: H01L21/461 , H01L21/469 , H01L21/31
CPC分类号: H01L23/473 , B82Y10/00 , H01L23/373 , H01L25/0652 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , H01L2924/00
摘要: 公开了采用碳纳米管或纳米线阵列以减小在集成电路芯片和散热器之间热接触电阻的散热器结构。碳纳米管阵列与布置在纳米管之间的导热金属填料结合。这个结构产生了具有高轴向和横向导热性的热界面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-