公开(公告)号：CN104716170B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201410647568.2

申请日：2005-06-02

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L33/36 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  H01L21/02 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/22 ,  H05K3/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B81B3/00

CPC分类号： H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN108962976A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810706771.0

申请日：2018-06-29

申请人： 捷捷半导体有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

发明人： 刘新宇 ,  王成森 ,  王鑫华 ,  王泽卫 ,  黄森 ,  康玄武 ,  魏珂 ,  黄健

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/872 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/8611

摘要： 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件及其制备方法能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。

公开(公告)号：CN104992985B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201510394548.3

申请日：2015-07-07

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 卢马才

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/266 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/7869

摘要： 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板，在薄膜晶体管的有源层沟道区域形成相互独立的纳米导电点，使有源层沟道区域被分成多个相互独立的子沟道，从而增加了等效电场强度。等效电场强度越大，载流子迁移率越大。因此，形成的薄膜晶体管的开态电流就越大，有利于制造具有更高解析度和更高开口率的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN105705611B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201480060625.5

申请日：2014-09-11

申请人： 纳米技术有限公司

发明人： 奈杰尔·皮克特 ,  史蒂文·马修·丹尼尔斯 ,  翁布雷塔·马萨拉 ,  纳瑟莉·格雷斯蒂

IPC分类号： C09K11/54 ,  C01G9/02

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C01G9/02 ,  C01G11/00 ,  C01G13/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09K11/54 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/26

摘要： 本文公开了一种制备金属氧化物纳米粒子的方法。所述方法包括使纳米粒子前体在分子簇化合物群存在下反应。所述分子簇化合物可以含有或可以不含有与将在分子簇化合物中存在的金属相同的金属。同样，所述分子簇化合物可以含有或可以不含有氧。所述分子簇化合物充当晶种或模板，在其上开始纳米粒子生长。因为所述分子簇化合物都是相同的，所以相同的成核部位导致金属氧化物纳米粒子的高度单分散群。

公开(公告)号：CN105103291B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480013411.2

申请日：2014-03-09

申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构

发明人： 真岛丰 ,  寺西利治 ,  东康男 ,  坂本雅典 ,  加纳伸也 ,  丹尼尔·埃度华·乌尔塔德·萨利纳斯

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L29/66 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  G11C7/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/413 ,  H01L51/0098

摘要： 本发明提供不使用金属纳米粒子也能发挥开关功能和存储功能的电子元件。电子元件包括：一方的电极（5A）和另一方的电极（5B），其配置为具有纳米间隙；以及卤素离子（6），其设在一方的电极（5A）和另一方的电极（5B）之间的至少任一电极上。如果从正值到负值、从负值到正值连续地重复改变一方的电极（5A）和另一方的电极（5B）之间电压，则一方的电极（5A）和另一方的电极（5B）之间流动的电流波形为不对称。根据一方的电极（5A）和另一方的电极（5B）之间施加的电压值改变卤素离子（6）的状态，对应于一方的电极（5A）和另一方的电极（5B）之间流动的电流值，维持信息的写入状态和信息的擦除状态。

公开(公告)号：CN105347297B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510253715.2

申请日：2010-12-22

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L.萨穆尔森 ,  K.德珀特 ,  J.奥尔森 ,  M.马格努森

IPC分类号： B82B3/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B03C7/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种用于排列纳米线的方法，该方法可被用于制作包括纳米线的器件，其中无论被设置在何种衬底上，所述纳米线均具有明确限定并且受控的定向。所述方法包括以下步骤：提供纳米线(1)以及在纳米线(1)的群体上施加电场(E)，由此所述纳米线的电偶极矩使所述纳米线沿所述电场(E)排列。优选地，在所述提供和排列步骤期间使所述纳米线分散在流体中。当被排列好时，所述纳米线可以被固定，优选地被沉积在衬底(2)上。可以在沉积时应用所述电场。pn结或在所述纳米线(1)中引入的任何净电荷都可有助于所述排列和沉积制程。所述方法适合几乎在任何衬底材料上进行连续处理，例如在卷对卷制程中，而不限于适合粒子辅助生长的衬底。

公开(公告)号：CN104769424B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201380030209.6

申请日：2013-04-09

申请人： 巴拉什·塔库拉帕里 ,  INANOBIO有限公司

发明人： 巴拉什·塔库拉帕里 ,  J·阿比纳弗

IPC分类号： G01N27/414 ,  G01N33/487

CPC分类号： G01N33/54373 ,  C12Q1/6874 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/48721 ,  G01N33/54366 ,  G01N33/552 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66666

摘要： 本公开内容提供一种改进的场效应晶体管和装置，所述场效应晶体管和装置能够用于感测和表征不同材料。所述场效应晶体管和/或装置包括能够用于多种应用的晶体管，所述应用包括基因组测序、蛋白质测序、生物分子测序和对于离子、分子、化学品、生物分子、金属原子、聚合物、纳米颗粒等的检测。

公开(公告)号：CN104024146B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280044149.9

申请日：2012-07-31

申请人： 光子科学研究所

发明人： 耶拉西莫斯·康斯坦塔托斯 ,  弗兰克·科彭斯

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L31/112 ,  H01L29/06 ,  H01L51/42 ,  H01L29/16 ,  H01L31/0352 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明包含一种光电平台，其具有碳系导电层(2)和在该碳系导电层顶部作为光吸收材料的胶体量子点层(1)。所述碳系导电层可由石墨烯、被还原的氧化石墨烯或碳纳米管制成。其维持低工作电压的同时，能够获得约106的光电导增益。该平台可以用作晶体管。

公开(公告)号：CN106024861A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610378900.9

申请日：2016-05-31

申请人： 天津理工大学

发明人： 张楷亮 ,  唐登轩 ,  冯玉林 ,  王芳 ,  方明旭 ,  李悦 ,  韩叶梅 ,  邢宇鹏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/735 ,  H01L29/737 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L29/737 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/735 ,  H01L29/78 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 一种基于二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结的器件，其异质结为二维黑磷纳米薄片和二维过渡金属硫族化合物纳米薄片叠层结构，二维黑磷的层数为1‑50层、二维过渡金属硫族化合物的厚度为1‑50层；两类二维材料通过通过化学气相沉积、机械剥离、液相剥离等方法制备合成；该器件可用于制备双极型晶体管、场效应晶体管或光电探测器/光电二极管。本发明的优点是：采用黑磷、过渡金属硫族化合物两种二维材料结合，形成了一种全新的pn型异质结构，这种异质结以材料间天然的范德瓦尔斯力结合，相比于传统异质结外延生长工艺，更易制备，相比于目前的块体材料，体积更小、更薄，柔韧性更好，集成度更高，具有应用到未来穿戴设备上的潜力。

公开(公告)号：CN106024853A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610149245.X

申请日：2016-03-16

申请人： 环球晶圆股份有限公司

发明人： 叶哲良 ,  庄志远 ,  范俊一 ,  孙健仁 ,  施英汝 ,  徐文庆

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/0665 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02664

摘要： 本发明提供了一种微纳米化芯片及其制造方法。该微纳米化芯片，包含一基板及一纳米结构层，该基板具有一第一面与一第二面，该纳米结构层形成于该第二面。该微纳米化芯片的制造方法包含：在该基板的第二面上制作该纳米结构层，以形成该微纳米化芯片。借此，该纳米结构层可以有效地分散应力增加抗折强度，而在该基板的第一面上配置外延层后，避免在后续的外延层产生裂纹、基板翘曲或破片的情形。