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公开(公告)号：CN114075688B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010850424.2
申请日：2020-08-21
申请人： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
摘要： 本发明提供一种电镀载具及电镀方法。电镀载具包括阳极底板、导电板及盖板，导电板包括导电板本体及导电线，阳极底板上设置有容纳凹槽及线槽，导电板本体嵌设于容纳凹槽内，导电线嵌设于线槽内，待电镀的晶圆位于导电板本体的表面，盖板覆盖晶圆的周向边缘，盖板与阳极底板相固定。本发明经改善的结构设计，采用导电板将待电镀的晶圆与电源电连接，而无需在阳极底板上另外设置导电线，可以有效确保晶圆在电镀过程中的电连接，可以有效提高电镀品质，减少晶圆污染，且有助于延长电镀载具的使用寿命，降低生产成本。采用本发明的电镀载具进行的电镀方法，有助于提高电镀质量和降低电镀成本。
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公开(公告)号：CN115775849B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211658986.2
申请日：2022-12-22
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
摘要： 太阳电池及其制备方法、电镀装置及电镀系统，属于光伏技术领域。在对电池本体进行电镀时，将电池本体的第一金属层与第一阳极导电连接形成第一电镀回路，将电池本体的第二金属层与第二阳极导电连接形成第二电镀回路；第一电镀回路产生的电力线和第二电镀回路产生的电力线相互隔离。通过第一电镀回路在第一金属层上形成第一金属栅线，同时通过第二电镀回路在第二金属层上电镀形成第二金属栅线。由于第一电镀回路和第二电镀回路相互隔离，能够减少第一电镀回路的电力线绕过电池本体至第二金属层的几率，同样减少第二电镀回路的电力线绕过电池本体至第一金属层的几率，可以降低绕镀的几率，改善第一金属层和第二金属层处的镀层过薄或过厚的问题。
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公开(公告)号：CN117716481B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280041240.9
申请日：2022-08-08
申请人： 株式会社荏原制作所
发明人： 矢作光敏
摘要： 实现能够进行不同的前处理的小型的预湿模块。预湿模块(200)包括：工作台(220)，其构成为对使被处理面(WF‑a)向上的基板(WF)的背面进行保持；旋转机构(224)，其构成为使工作台(220)旋转；清洗液供给部件(260)，其构成为具有配置于工作台(220)的上方的喷嘴(262)，经由喷嘴(262)向工作台(220)的方向供给清洗液；以及脱气液供给部件(250)，其构成为对被工作台(220)保持的基板(WF)的被处理面(WF‑a)供给脱气液，该脱气液供给部件(250)构成为能够在喷嘴(262)与基板(WF)的被处理面(WF‑a)之间的供给位置以及从喷嘴(262)与基板(WF)的被处理面(WF‑a)之间退避的退避位置之间移动。
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公开(公告)号：CN118374846B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410807541.9
申请日：2024-06-21
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种适用于镍金结构工艺的无氰电镀金溶液，该溶液配方包括以下组分：金离子3‑14g/L、络合剂30‑100g/L、无机盐10‑20g/L、表面活性剂10‑30mg/L、晶粒细化剂10‑40mg/L、稳定剂20‑60mg/L、促进剂30‑60mg/L、缓蚀剂0.5‑1.5g/L，pH值为7.5‑9，温度在40‑70℃之间，电流密度在0.1‑1.0A/dm2。该无氰电镀金溶液适用于半导体RDL、UBM、bumping，在镍镀层上面获得的金镀层具有良好的镀层结合力，获得的0.05‑2.0μm的金镀层，外观细腻，粗糙度低于20nm，镀液稳定性良好，并且对光刻胶无明显攻击。
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公开(公告)号：CN118532896A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410801092.7
申请日：2024-06-20
申请人： 合肥新汇成微电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了电镀机挂架内外盖吹干装置，涉及驱动芯片金凸块封装技术领域，包括安装底座，安装底座的顶部设置有吹干箱，吹干箱的内部设置有内盖吹干机构和外盖吹干机构，且内盖吹干机构和外盖吹干机构上下垂直分布，通过设置的内盖吹干机构和外盖吹干机构带动内外盖匀速旋转的同时，吹出氮气对放置的内盖和外盖进行吹干，使电镀时内盖和外盖上无水残留，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN118461112A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410665289.2
申请日：2024-05-27
申请人： 深圳市大能创智半导体有限公司
摘要： 本发明实施方式公开了一种电镀控制方法和电子设备，该方法包括：获取待电镀晶圆的数量；获取待电镀晶圆的硅通孔参数；根据硅通孔参数生成慢速打底参数和快速电镀参数；根据待电镀晶圆的数量、慢速打底参数和快速电镀参数，生成最优分配方案，以达到最大分均电镀量；根据最优分配方案调用指定数量的电镀腔，并将各电镀腔分配为慢速打底腔或快速电镀腔；将若干待电镀晶圆放置于各组合腔体的各个慢速打底腔电镀后，依次转移至相应的快速电镀腔电镀。本发明实施方式根据待电镀晶圆的数量、快速电镀参数和慢速打底参数，生成最优分配方案，并将最优分配方案应用于电镀过程，以实现最大分均电镀量，从而提高晶圆产量。
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公开(公告)号：CN118374860A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410631851.X
申请日：2024-05-21
申请人： 日月新半导体(昆山)有限公司
发明人： 郭剑云
摘要： 本发明涉及集成电路镍电极活化技术领域的集成电路电镀镍阳极表面活化装置，包括外槽体和内槽体，所述外槽体设于内槽体的一侧，所述外槽体和内槽体各自设有阳极和阴极，所述外槽体的阳极为外槽阳极钛蓝，所述外槽体的阴极为外槽阴极不锈钢网。本发明在现有外槽体基础上修改并架设一组独立电解槽，内外槽时时处于电解的状态,时时进行镀液中杂质的析出,同时阳极镍饼的表面时时处于解离状态,来消除阳极镍层钝化以及镀镍层质量下降带来的不利影响，还延长了药水的使用寿命，有助于降低生产成本；但通过这种方式可以有效避免镍镀层异常所带来的生产中断和品质问题，节省的循环时间和提升的产品良率，带来的正面效益远远超过了消耗的成本。
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公开(公告)号：CN118256968B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410659895.3
申请日：2024-05-27
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种无氰电镀金溶液及其应用。本发明的无氰电镀金溶液包括如下质量含量的组分：金离子2‑20 g/L，络合剂20‑150 g/L，缓冲剂3‑80 g/L，表面活性剂5‑500 mg/L，稳定剂2‑100 mg/L，晶粒细化剂1‑30 mg/L，硬化剂0.01‑5 g/L和抗氧剂0.1‑10 g/L，所述金离子来自无氰金盐。本发明的无氰电镀金溶液稳定性好，寿命可达4MTO，对光刻胶友好，适用于多种电镀金工艺，获得的金镀层可以满足0.05‑20μm的金厚需求，退火后的硬度在60‑80 Hv，镀层保形优异，肩部收缩≤0.5μm，粗糙度低于50 nm，具有优异的兼容性和广谱性，能够良好地满足打线、焊接、倒装压合等不同场景的实际应用需求。
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公开(公告)号：CN118360642A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410359178.9
申请日：2024-03-27
申请人： 崇辉半导体(江门)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体镀膜的技术领域，具体公开了一种增加半导体电镀层附着力的镀膜工艺方法。镀膜工艺方法包括如下步骤：将半导体材料进行表面处理，得到处理后的半导体材料；将附着剂通过物理气相沉积的方法使其覆盖在处理后的半导体材料上，然后在附着剂上进行电镀，得到电镀后的半导体材料，再经清洗，完成镀膜；附着剂包括以下重量份的原料：聚氨酯乳液30‑50份、氧化铝8‑15份、纳米二氧化硅10‑20份、碳酸钙6‑12份、复合物9‑18份、阳离子表面活性剂1‑5份、复合耐腐蚀剂3‑6份。本申请的增加半导体电镀层附着力的镀膜工艺方法，通过原料之间的协同作用，具有提高半导体电镀层的附着力的优点。
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公开(公告)号：CN118326480A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310035795.9
申请日：2023-01-10
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供的晶圆电镀设备，包括盛放电镀液的电镀槽、由阴极腔室和阳极腔室以及位于所述阴极腔室与所述阳极腔室之间的离子膜构成的电镀腔室、使所述电镀槽与所述电镀腔室互相连通的管路以及为电镀液的流通提供动力的泵体。基于上述方案的设计且由于阴极腔室和阳极腔室共用同一种镀液，因此仅使用一个泵体为阴极腔室和阳极腔室内电镀液流通提供动力，且使用泵体和流量调节器替代阳极泵，实现向阳极腔室泵送电镀液，从而既满足了阳极腔室的流量能够达到电镀要求，又不会出现由于金属离子析出而导致阳极泵卡死的现象，从而提高了晶圆电镀效率，且由于取消了阳极泵和附属管路，从而降低了生产、安装和维护成本。
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