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公开(公告)号：CN116837455A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310589827.X
申请日：2023-05-24
申请人： 山东新升光电科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了蓝宝石单晶生长技术领域的一种蓝宝石单晶炉的隔热屏结构，包括侧面隔热屏，侧面隔热屏包括隔热层，包括由内到外直径逐渐变大的多层钼筒组成，每层钼筒顶部均连接于上部隔热屏上，由内到外的每层钼筒高度逐渐变长，最外层钼筒连接于上部隔热屏和底部隔热屏之间，保温层，包括由内层陶瓷保温层和外层陶瓷保温层组成的双层陶瓷保温层，内层陶瓷保温层和外层陶瓷保温层之间具有填充区，填充区内设有多层由内到外直径逐渐变大的间隔层，能够增强侧面隔热保温效果，有利于形成均匀的轴向温度梯度，且可控制和改善炉内的轴向温度梯度，从而促进晶体生长过程中凸的液固界面的形成，降低原位退火过程中晶体内部的热应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN116575112A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310546189.3
申请日：2023-05-16
申请人： 苏州苏晶晶体元件有限公司
发明人： 陈周民
摘要： 本发明公开了一种球形宝石晶体生长设备，属于晶体生长技术领域，包括：安装台；生长炉组件，所述生长炉组件包括生长炉壳体，所述生长炉壳体的内部设置有钨笼发热体，所述钨笼发热体的内部设置有坩埚，所述生长炉壳体的下方设置有用于对坩埚进行旋转和振动的驱动件，所述生长炉壳体的顶部设置有生长炉盖体，所述生长炉盖体上设置有籽晶棒，所述籽晶棒的底端延伸至坩埚的内部并设置有籽晶；真空组件，所述真空组件通过真空管道与生长炉壳体的内部相连通；温度控制组件，其设置于安装台上，所述温度控制组件用于对钨笼发热体进行控制。由此，能够将熔融状态的混合原料中的气体排出，提升后期宝石结晶的质量。
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公开(公告)号：CN116288713A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310301399.6
申请日：2023-03-24
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B28/02 , C30B28/04 , C30B9/12 , C30B9/06 , C30B7/10 , C30B17/00 , G02F1/355 , C01B35/12
摘要： 本发明涉及系列含氟稀土硼酸盐化合物及系列含氟稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A2REB3O6F2，其中A＝Rb，Cs，NH4；RE＝Sc,Y,La，分子量为247.46‑571.14，该系列晶体属于正交晶系，空间群Amm2，晶胞参数Z＝2，该系列含氟稀土硼酸盐化合物采用固相反应法或水热法合成，该系列非线性光学晶体采用高温熔液法、水热法或溶液法生长。该系列材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
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公开(公告)号：CN113818078B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111106058.0
申请日：2021-09-22
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明涉及激光材料技术领域，尤其涉及一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供的铕掺杂硼酸盐激光晶体材料的化学式为：(EuxLa1‑x)2CaB10O19，其中，x的取值范围为：0.001≤x≤0.999。与现有技术相比，本发明具有以下优势：将铕离子掺杂在所述硼酸钙镧晶体中后，具有宽的吸收和荧光光谱，可实现高效的560～720nm波段的大功率激光输出，并且此材料具有良好的非线性光学效应，高的激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN115635606B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211442613.1
申请日：2022-11-18
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明提供一种晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法。晶体截断装置包括至少部分设置于晶体生长炉内的连接单元、安装于连接单元的截断单元，截断单元安装于连接单元位于晶体生长炉内的部分；截断单元包括可活动的断晶元件，晶体截断装置还包括连接断晶元件的动力单元，动力单元能够驱动断晶元件活动摩擦晶体，以使晶体接触断晶元件的部位断裂。
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公开(公告)号：CN114875489A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210812995.6
申请日：2022-07-12
申请人： 太原源瀚科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种大尺寸蓝宝石晶锭长晶技术，具体涉及一种利用大尺寸籽晶生长蓝宝石晶锭的快速长晶工艺。该技术所使用的大尺寸籽晶分为夹持端和长晶端，其特征在于长晶端为圆柱体或圆锥体、圆台体、梯形棱台等异形结构，直径与所生长的大尺寸蓝宝石晶锭直径相近，底面与熔体液面接触；夹持端籽晶条整体为矩形或圆柱形结构。该技术所采用的长晶工艺环节包括装炉升温、微熔籽晶、等径生长、降温开炉、籽晶切割五个步骤。采用上述籽晶结构和长晶工艺，本发明的一种大尺寸蓝宝石晶锭的快速长晶技术能够直接开始大尺寸蓝宝石晶锭的等径生长，缩短工艺时长，使大尺寸蓝宝石晶锭的长晶效率得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN114349017A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210041936.3
申请日：2022-01-14
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明提供一种化合物锶锌硼氧和锶锌硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途。该化合物的化学式为SrZn2(BO3)2，分子量为336.06，采用固相合成法制成；该晶体的化学式为SrZn2(BO3)2，分子量为336.06，属于正交晶系，空间群为Aba2，晶胞参数为a=12.2205(12)Å，b=8.7361(9)Å，c=4.9882(4)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为532.54(9)Å3，同粒径下具有3‑4倍KDP（磷酸二氢钾）的粉末倍频效应，双折射为0.07，紫外截止边可达到200 nm，采用熔体法或高温熔液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为短波长非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
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公开(公告)号：CN114232097A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111666567.9
申请日：2021-12-31
申请人： 广州半导体材料研究所
摘要： 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，包括将原料进行酸洗，去除原料中的外来氧化物；将去除外来氧化物后的原料用纯净水冲洗，去除残留酸和其他污物。然后风干；对风干后的原料经敲、凿，将其中的不合格碳化硅晶体从其中分离出来，成为块状碳化硅晶体；将分离出来的块状碳化硅晶体，破碎至最大截面尺寸不大于15mm的碳化硅晶体；将破碎后的碳化硅晶体再次酸洗，后用纯水清洗，再风干；将碳化硅晶体和助熔剂按比例放入坩埚；将坩埚放入中频加热炉加热，当坩埚内的碳化硅晶体已成熔体状态时，将碳化硅籽晶下降至与熔体液面接触，直至获得碳化硅单晶后结束。
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公开(公告)号：CN114057207A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111504276.X
申请日：2021-12-10
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC分类号： C01B35/06 , C01B35/10 , C30B7/04 , C30B7/10 , C30B9/12 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B17/00 , C30B29/10
摘要： 本发明提供一种化合物十氟化八硼酸钠和十氟化八硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Na4B8O9F10，分子量为512.44，采用水热法或真空封装法制成，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=18.680(18)Å，b=15.852(16)Å，c=4.816(4)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为1425.9(7)Å3，晶体的倍频效应为0.7×KH2PO4（@1064 nm）和0.1×β‑BaB2O4（@532 nm），紫外吸收边短于200 nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，具有较小的折射率色散，可作为深紫外透过非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
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公开(公告)号：CN112126980B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010950232.9
申请日：2020-09-11
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体，方法为采用硼酸和碳酸锂为原料，采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置，铂籽晶杆上具有多片平行且倾斜向上的铂片，束腰形铂金坩埚为中间小，两端大，上下左右呈轴对称结构。本发明在铂籽晶杆上面设置多片平行的铂片，以给该铂杆进行散热，从而降低吸收值；铂片以倾斜向上的方式设计，既又不影响籽晶下种以及观察晶体生长过程，又防止了挥发物的掉入；特殊设计的束腰形铂金坩埚，利用两端大，中间小形成的特殊温场，避免特定的铂籽晶杆对温度场的影响，同时保持加快熔体流动，降低硼酸体系粘度，减少晶体包络，提高了晶体质量。
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