-
公开(公告)号：CN110709989B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880036347.8
申请日：2018-03-30
申请人： 维耶尔公司
发明人： 格拉姆雷扎·查济
摘要： 随着光电子装置的像素密度变得更高，且所述光电子装置的大小变得更小，隔离个别微型装置的问题变得更困难。一种制作包含微型装置阵列的光电子装置的方法包括：在衬底上形成包含单片式有源层的装置层结构；在所述装置层结构上形成界定所述微型装置阵列的第一触点阵列；将所述第一触点阵列安装到背板，所述背板包括控制流动到所述微型装置阵列中的电流的驱动电路；移除所述衬底；及形成与所述第一触点阵列对应的第二触点阵列，其中在每一第二触点之间具有势垒。
-
公开(公告)号：CN110352483B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880001842.5
申请日：2018-07-26
申请人： 金柏科技有限公司
摘要： 一种适于扩散接合的衬底的制造方法，其提供柔性介电衬底，并对于介电衬底进行碱性改性，以在介电衬底的表面上形成聚酰胺酸(PAA)固定层，再将Ni‑P种晶层以无电镀方式镀在PAA层上，将铜走线镀在Ni‑P种晶层上的光阻图案内，将表面抛光层以电解方式镀在铜走线上，再将光阻图案和未被铜走线覆盖的Ni‑P种晶层予以移除，以完成适于扩散接合的衬底。
-
公开(公告)号：CN116349012A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180070136.8
申请日：2021-10-04
申请人： 德州仪器公司
IPC分类号： H01L27/00
摘要： 一种声波装置包含位于衬底(110)上方的第一电极(141)。压电膜(150)位于所述第一电极(141)上方且与所述第一电极(141)至少部分地重叠。第二电极(161)位于所述压电膜(150)上方且与所述第一电极(141)及所述压电膜(150)至少部分地重叠。温度传感器(165)与所述第一或第二电极(141、161)位于同一层级中。加热器(145)也可与所述第一电极(141)位于同一层级中。闭环系统可使用所述温度传感器(165)及所述加热器(145)操作以维持提供高度稳定操作的操作温度。
-
公开(公告)号：CN110088918B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201780077998.7
申请日：2017-12-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 诺温·文马尔姆 , 多米尼克·斯科尔茨 , 克里斯托弗·施瓦茨迈尔 , 马丁·鲁道夫·贝林格 , 亚历山大·F·普福伊费尔
摘要： 根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
-
公开(公告)号：CN115398624A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080099167.1
申请日：2020-05-11
申请人： 超极存储器股份有限公司
发明人： 长谷川雅俊
摘要： 本发明提供一种能够削减线圈的配置面积的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)层叠有三个以上的多个芯片(10、11、12……)，多个芯片(10、11、12……)分别具有：基板(20、21、……)；发送线圈(30、31、……)；接收线圈(40、41、……)，其设置在基板(20、21、……)的面内方向上与发送线圈(30、31、……)不重叠的区域，发送线圈(30、31、……)配置在层叠方向D上与另一个芯片(10、11、12……)的接收线圈(40、41、……)邻接且重叠的区域，接收线圈(40、41、……)构成为能够与配置在相同基板(20、21、……)的发送线圈(30、31、……)之间进行数据传输。
-
公开(公告)号：CN114556552A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071926.3
申请日：2020-10-13
申请人： 零能耗股份公司
发明人： 埃雷兹·哈拉米
IPC分类号： H01L23/52 , H01L25/065 , H01L27/00
摘要： 提供了一种用于电子芯片之间的通信的电子组件。电子组件包括承载至少一个基本块的机械支撑件，基本块包括至少两个电子芯片。电子芯片中的至少一个相对于至少一个另外的电子芯片被配置为数据发信号芯片，用于与所述至少一个另外的电子芯片的数据通信，并且所述至少一个另外的电子芯片相对于所述数据发信号芯片被配置为数据接收芯片。数据发信号芯片和数据接收芯片分别通过它们的表面彼此相对，这些表面以间隔开的关系布置并共同限定至少一个接口区域。从数据发信号芯片到至少一个数据接收芯片的数据通信的形式是至少一个电荷载流子通量经由在所述接口区域中的芯片的所述间隔开的表面之间的间隙在自由空间传播，以根据基本块的电子芯片中的至少一个的操作状态选择性地操作至少一个数据接收芯片。
-
公开(公告)号：CN113874713A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080031975.4
申请日：2020-04-22
申请人： 中尺度技术有限责任公司
摘要： 描述了用于进行测定的装置、系统、方法、试剂和试剂盒以及它们的制备方法。它们特别适用于以多孔板测定形式进行自动分析。还公开了本文提供的系统、器件和方法，其用于使用基于CCD相机的系统来生成具有减少的在多个空间分离对象的测量之间的串扰的测量。本文提供的基于CCD相机的系统使用改进的参考水平钳位电路，该电路被配置为在CCD读出期间完全重置参考水平，从而降低测量之间的串扰水平。
-
公开(公告)号：CN113811997A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080000232.0
申请日：2020-03-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 王珂
IPC分类号： H01L27/00 , G09G3/34 , G02F1/1335
摘要： 一种显示背板的制备方法，显示背板包括基底(1)，基底(1)具有第一区(10)、第二区(11)和第三区(12)，第一区(10)、第二区(11)和第三区(12)沿第一方向(L)依次排布且彼此邻接，制备方法包括：在基底(1)上形成柔性层(2)；其中，柔性层(2)由第一区(10)延伸至并覆盖第二区(11)和第三区(12)；在第一区(10)形成像素驱动电路(3)和在第三区(12)形成背光源电路(4)；其中，像素驱动电路(3)的部分膜层由第一区(10)延伸至并覆盖第二区(11)和第三区(12)；去除第二区(11)的位于柔性层(2)远离基底(1)一侧的膜层；将第二区(11)和第三区(12)的基底(1)与柔性层(2)分离；去除第二区(11)和第三区(12)的基底(1)；将第三区(12)的膜层弯折至第一区(10)的基底(1)远离柔性层(2)的一侧。
-
公开(公告)号：CN113632254A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080008052.7
申请日：2020-01-06
申请人： 阿汤姆H20有限责任公司
发明人： 李华平
摘要： 还提供了基于高性能碳纳米管(CNT)的毫米波晶体管技术和基于该技术的单片毫米波集成电路(MMICs)及其制造方法和工艺。与现有的GaAs、SiGe和RF‑CMOS技术相比，CNT技术和MMIC在功率效率、线性度、噪声和动态范围方面的性能均显示有所提高。CNT对准和沉积、材料接触和掺杂中的方法和工艺被配置成制造超出现有技术的高质量CNT阵列，并生产可缩放至晶圆尺寸的高性能RF晶体管，以实现基于CNT的单片集成电路的制造。
-
公开(公告)号：CN113272938A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201880100080.4
申请日：2018-12-11
申请人： 超极存储器股份有限公司
发明人： 增田隆俊
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种能够抑制层叠了的存储器彼此分离的半导体模块的制造方法。半导体模块(1)的制造方法具有：在电路模块(10)的外周侧端部形成槽部(13)的步骤，所述槽部(13)在厚度方向贯通布线层(12)并到达基板(11)的中部；将形成有槽部(13)的电路模块(10)组成一对，使彼此的布线层(12)相向，并且使槽部(13)在厚度方向对齐的步骤；通过接合一对电路模块(10)的布线层(12)来接合一对电路模块(10)的步骤；将一个电路模块(10)的基板(11)的面中与配置了布线层(12)的配置面相反的反面研磨至超过槽部(13)的底面的步骤；将研磨了的一个电路模块(10)的比槽部(13)更靠外周侧的端部去除的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
2436 条记录 (耗时 0.027 秒)
