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公开(公告)号：CN110233013A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201810177674.7
申请日：2018-03-05
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种温补衰减器的制备方法，所述温补衰减器由正温度系数电阻和负温度系数电阻组成，所述正温度系数电阻和负温度系数电阻分别由正温度系数电阻浆料和负温度系数电阻浆料印刷烧结形成，所述正温度系数电阻浆料包括超细金粉，所述负温度系数电阻浆料包括类球形的NTC功能粉体。本发明解决了温补衰减器高频性能与1GHz一致性问题，产品在标称的频率范围使用时可以保证系统不会出现较大的干扰，提高温补衰减器的高频性能。
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公开(公告)号：CN109906554A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780064934.3
申请日：2017-08-28
申请人： 天工方案公司
摘要： 具有相移和增益补偿电路的衰减器。在一些实施例中，射频(RF)衰减器电路可包括串联布置在输入节点和输出节点之间的一个或多个衰减块，其中每个衰减块包括本地旁路路径。所述RF衰减器电路可进一步包括实现在所述输入节点和所述输出节点之间的全局旁路路径。所述RF衰减器电路可进一步包括相位补偿电路，其配置为补偿与所述全局旁路路径和所述一个或多个本地旁路路径中的至少一个相关联的关断电容效应。
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公开(公告)号：CN106357233B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510600420.8
申请日：2015-09-18
申请人： 安伦股份有限公司
IPC分类号： H03H7/24
摘要： 装置包括具有第一主表面和第二主表面的、热传导和电绝缘的基板。耦合结构构造为由实质上预定数量的衰减功率来减少RF输入信号。调谐电路由实质上匹配至预定系统阻抗的调谐电抗来表征。电阻器设置在第一主表面的大部分上并且由被调谐电抗实质上无效掉的寄生电容来表征。电阻器包括第一电阻性部分和第二电阻性部分，所述第一电阻性部分和所述第二电阻性部分中的每个均构造为将所述衰减功率的近似一半引导至接地部分。
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公开(公告)号：CN108292911A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680070791.2
申请日：2016-09-30
申请人： 派瑞格恩半导体有限公司
发明人： 维卡斯·夏尔马
CPC分类号： H03H11/245 , H01P1/227 , H03H7/24 , H03H11/28 , H03K5/08 , H03K17/687
摘要： 一种宽带RF衰减器电路，当其在衰减状态与非衰减参考状态或旁路状态之间切换时，对施加的信号的相位的影响降低。通过利用在每个信号路径具有多个分布式传输线元件的切换式信号路径衰减器拓扑结构来提供宽带操作、分散寄生影响并改善隔离以在更高频率处实现更高的衰减并且同时仍保持低相移操作特性，可以实现高RF频率处的低相移衰减。在替选实施方式中，可以通过在每个信号路径的信号接口处利用四分之一波长传输线元件以从而改善插入损耗和功率处理，来实现向甚至更高频率的扩展。
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公开(公告)号：CN107332536A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710531237.6
申请日：2017-07-03
申请人： 重庆西南集成电路设计有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种可精准调试增益的温度补偿电路及方法；一种可精准调试增益的温度补偿电路，包括温度补偿衰减器和电位器，其特征在于：所述电位器与所述温度补偿衰减器并联连接；一种可精准调试增益的温度补偿方法，其特征在于：将电位器与温度补偿衰减器并联连接，通过调节电位器，即可调试温度补偿衰减器在高低温下的温度补偿斜率；本发明通过调节高精度电位器或电阻来调试温度补偿衰减器的温度补偿斜率，从而满足不同通信系统高低温增益补偿需求，调试非常简单且精度高，具有低成本、实用性强的特点。本发明可广泛应用于各种通讯电路中。
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公开(公告)号：CN104953975B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510406727.4
申请日：2015-07-12
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明公开了一种桥式差分无源衰减器，属于射频集成电路领域。桥式差分无源衰减器主体电路包括跨接在差分输入端正端与差分输出端正端的第一N型管、跨接在差分输入端正端与差分输出端负端的第二N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端正端的第三N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端负端的第四N型管，通过调节第一至第四N型管的源级、漏极和栅极电压来改变其导通电阻的大小，完成信号衰减的功能。源跟随器电路的输出信号作为差分输入端与差分输出端的直流偏置，使第一至第四N型管的导通电阻与阈值电压无关，减小了由于温度变化、生产工艺的偏差等因素引起的衰减器衰减量的变化。
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公开(公告)号：CN105659097A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480053354.0
申请日：2014-08-19
申请人： 西门子公司
发明人： 洛伦佐·焦瓦内利
摘要： 一种用于逐步降低高压系统中的输入高压(VIN)的高压分压器，包括具有第一组件(A1)和第二组件(A2)的初级部分(P1)，第一和第二组件包括在绝缘装置(INS)内且针对输入具有相同输入端子，即分压器输入端子(ΤIN)；第一组件(A1)是包括第一高压电容器(C1H)和中压电容器(CM)的第一电容器堆；第二组件(A2)包括彼此并联地电连接的第二电容器堆和电阻器堆；第二电容器堆包括第二高压电容器(C2H)和低压电容器(CL)；电阻器堆包括高压电阻器(RH)和低压电阻器(RL)；其中次级部分(P2)包括电磁单元(UEM)，并且其中次级部分输出集(TOUT1，TOUT2)至少包括：源自于第一中间端子(TINT1)、通过电磁单元(UEM)被处理的第一输出端子子集(TOUT1)，被设置成提供要用于在标称频率范围处测量输入电压(VIN)的幅值的第一输出电压子集(VOUT1)；源自于第二中间端子(TINT2)的第二输出端子(TOUT2)，被设置成提供要用于测量输入高压(VIN)的波形的第二输出电压(VINT2)。
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公开(公告)号：CN103427780B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310391024.X
申请日：2013-08-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03H7/24
摘要： 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器，包括0～7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块，采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构，以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关，由五位数字信号独立控制工作，通过共面波导传输线进行相邻衰减模块间，以及与50Ω的输入和输出阻抗之间的匹配，工作频率范围为0～50GHz，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、工作频段宽、电路结构简单的优点，可用于处理大功率信号的射频/微波系统。
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公开(公告)号：CN104917480A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510346113.1
申请日：2015-06-19
申请人： 烟台东方威思顿电气股份有限公司
IPC分类号： H03H7/24
摘要： 本发明是一种用于电力线载波测试的可调步进式无源衰减电路，由低通滤波部分和高频信号衰减部分并联后组成。低通滤波部分采用多级LRC低通滤波电路，屏蔽了外部干扰。高频衰减部分由多级π型/T型/桥T型平衡衰减网络组成。这三种网络类型都属于对称式衰减网络，主要用于信号衰减。在屏蔽220V电源干扰信号的同时，实现了对高频电力线载波信号的步进衰减调控。对通用载波频段实现了相同衰减度，且一致性很高。
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公开(公告)号：CN104868868A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510210470.5
申请日：2015-04-28
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H03H7/24
摘要： 本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用MEMS开关代替传统电子开关，MEMS开关关于电阻衰减网络对称，使得信号通过路径最短，结构更为紧凑；通过MEMS开关控制不同电阻衰减网络的接入，以实现不同的衰减量，电路拓扑结构简单、端口阻抗匹配好、制造简单、工艺兼容性好，有利于大规模生产；此外，在共面波导两个接地金属面之间引入空气桥，使得衰减器的衰减量在较宽频带内的平坦度更好。
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