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公开(公告)号:CN118732757A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410365935.3
申请日:2024-03-28
申请人: 艾普凌科株式会社
发明人: 铃木聡之
IPC分类号: G05F1/56
摘要: 一种抑制了消耗电流以及来自外部的应力的影响的基准电压产生装置。包括:恒流电路(101),相对于输入电压(VDD)输出恒流;电压生成电路(102),串联连接于恒流电路,将恒流作为输入电流,生成基于输入电流的输出电压;以及基准电压输出端子(3),输出输出电压,恒流电路(101)将多个耗尽型MOS晶体管(D11)、··(D1n)串联连接,各栅极宽度相同且各栅极长度总和是恒流电路的总栅极长度,电压生成电路(102)将多个增强型MOS晶体管(E1)、··(E1m)串联连接,各栅极宽度相同且各栅极长度的总和是电压生成电路的总栅极长度,将各耗尽型MOS晶体管、增强型MOS晶体管设为抑制应力影响的晶体管尺寸。
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公开(公告)号:CN118694168A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410282452.7
申请日:2024-03-13
申请人: 艾普凌科株式会社
发明人: 须藤稔
摘要: 本发明提供一种即使在供给小的电力的情况下也能够进行高效率的电力转换的DC‑DC转换器。DC‑DC转换器(10)包括:端子(T1)~端子(T4);电荷泵电路(151),具有振荡电路且设置于端子(T1)与端子(T3)之间;比较电路(120),具有比较器(122),所述比较器(122)具有磁滞特性,且基于和端子(T3)及端子(T4)之间的输出电压成比例的电压与第一基准电压的大小关系,输出用于对所述振荡电路的振荡动作的导通以及断开进行切换控制的振荡通断控制信号;以及比较电路(110),基于与端子(T1)和端子(T2)之间的输入电压成比例的电压以及第二基准电压,输出用于对所述振荡电路的振荡动作进行控制的控制信号。
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公开(公告)号:CN118424483A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202311392113.6
申请日:2023-10-25
申请人: 艾普凌科株式会社
摘要: 本发明提供一种能够测定微小的温度变化、并且不需要高性能的IC测试仪而能够以低成本制造的温度传感器装置。温度传感器装置包括温度传感器电路(2)以及温度传感器(1),所述温度传感器(1)包括:作为感温元件的PN接合元件(15);可变电流源,向所述PN接合元件(15)供给至少两个值不同的正向电流;以及恒定电压源(16),输出具有与所述PN接合元件(15)的正向电压相同的温度特性的恒定电压。
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公开(公告)号:CN117310821A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202310667577.7
申请日:2023-06-07
摘要: 本发明提供一种发电传感器,在将接收发电电力的模块与发电电极连接时容易进行对位。发电传感器是利用液体进行发电的发电传感器,包括:基座;沿基座的第一方向设置且包含第一材料的作为发电用正极的电极;沿基座的第一方向设置且包含第二材料的作为发电用负极的电极;与正极的第一方向的其中一端连接且与传感器模块连接的第一连接器电极;以及与负极的第一方向的所述其中一端连接且与传感器模块连接的第二连接器电极,第一连接器电极包含第一材料,与第一方向正交的第二方向上的宽度比正极的第二方向上的宽度宽,第二连接器电极包含第二材料,第二方向上的宽度比负极的第二方向上的宽度宽。
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公开(公告)号:CN116895652A
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN202310229916.3
申请日:2023-03-10
申请人: 艾普凌科株式会社
发明人: 加藤伸二郎
IPC分类号: H01L27/02
摘要: 本发明提供一种可减低在泄放电阻电路中电阻元件中产生的电阻值的偏差,并且使结构简化的半导体装置。半导体装置包括:第一电路,具有串联连接的多个固定电阻元件;第二电路,与所述第一电路串联连接,并且具有串联连接的多个可变电阻元件;第一盖部,设置于所述第一电路的上层侧,覆盖所述第一电路;以及第二盖部,设置于所述第二电路的上层侧,覆盖所述第二电路,所述第一盖部包括两个以上的第一金属膜,所述两个以上的第一金属膜与包含任意个数的所述固定电阻元件的单元相对应地电性连接,所述第二盖部包括与多个所述可变电阻元件电性连接的第二金属膜。
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公开(公告)号:CN116345605A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211474320.1
申请日:2022-11-23
申请人: 艾普凌科株式会社
IPC分类号: H02J7/00 , G01R31/385 , H02M3/07 , H02M3/155 , H02M1/08
摘要: 本发明提供一种包括升压电路的电子机器。所述电子机器包括:第一蓄电电容,包含与输入端子连接的第一端及连接于基准电位端子的第二端;第一整流元件;第二蓄电电容,包含经由所述第一整流元件而与所述第一蓄电电容的所述第一端连接的第一端及连接于所述基准电位端子的第二端;电压检测电路,具有与所述第二蓄电电容的所述第一端连接的电压检测端子及检测信号输出端子;以及升压电路,具有与所述检测信号输出端子连接的检测信号输入端子、连接于所述第一蓄电电容的第一端的升压电力输入端子以及连接于所述第二蓄电电容的所述第一端及所述电压检测端子的节点的升压电力输出端子。
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公开(公告)号:CN114551628A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202111253066.8
申请日:2021-10-27
申请人: 艾普凌科株式会社
发明人: 二木俊郎
IPC分类号: H01L31/101 , H01L31/0352 , G01J1/42
摘要: 本发明提供一种光接收元件,其结构简单,可灵敏度良好地检测入射光中规定的光。一种光接收元件(100),检测太阳光(SL)中的紫外线(UV),所述光接收元件(100)具有:N型的半导体基板(1);P型导电层(2),形成于半导体基板(1)的表面;N型的紫外线吸收层(3),形成于导电层(2)的表面,使太阳光(SL)中的可见光(VL)透过且吸收紫外线(UV)而激发电子;以及N型的检测层(4),形成于在导电层(2)的表面远离紫外线吸收层(3)的位置,检测从紫外线吸收层(3)流入的电子作为第一光电流IL1。
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公开(公告)号:CN114442727A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202111090560.7
申请日:2021-09-17
申请人: 艾普凌科株式会社
IPC分类号: G05F3/26
摘要: 本发明提供一种温度依存性小的基准电压电路。所述基准电压电路,包括:第一NPN晶体管,集电极与基极短路且连接有二极管;第二NPN晶体管,集电极与基极短路且连接有二极管,发射极连接于第一电位节点,且以比第一NPN晶体管大的电流密度运行;第一电阻,与第一NPN晶体管串联连接;第二电阻,一端连接于第一NPN晶体管及第一电阻串联连接的电路;第三电阻,一端连接于第二NPN晶体管的集电极;连接点,供第二电阻的另一端与第三电阻的另一端连接;运算放大电路,在第二电阻的一端连接有反相输入端子,在第三电阻的一端连接有非反相输入端子,且在连接点连接有输出端子;以及电流供给电路,连接于第一NPN晶体管的集电极。
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