用于极远紫外光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法

    公开(公告)号:CN1869811B

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200610092874.X

    申请日:2006-05-29

    CPC classification number: G21K1/062 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F1/24

    Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法,其中,该反射掩模包括:基板,以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层,以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层,在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层,该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响,并且可以消除不必要的EUV光线,使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料,掩模制作过程能够简易地处理。

    显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100511699C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200610127090.6

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: H01L51/5234 H01L27/124 H01L27/3276 H01L2251/5315

    Abstract: 一种显示装置及其制造方法,该显示装置包括:薄膜晶体管,形成在第一绝缘基板上;像素电极,电连接到薄膜晶体管;有机层,形成在像素电极上;共电极,形成在有机层上;导电层,形成在共电极上;透明电极层,形成在导电层上;透明电极,施加有共电压;以及第二绝缘基板,位于透明电极层上。因而,本发明提供了一种有效施加共电压的显示装置。

    有机发光二极管显示器
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1971938A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200610137801.8

    申请日:2006-11-01

    Inventor: 金勋 成沄澈

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/1248 H01L27/3258 H01L51/5253

    Abstract: OLED显示器包括阻挡层,以基本阻挡来自有机材料的水分。例如,OLED显示器包括基板;第一信号线,形成在基板上;第二信号线,与第一信号线交叉;驱动电压线,形成在基板上,以传输第一电压;第一TFT,连接到第一和第二信号线;第二TFT,连接到第一TFT和驱动电压线;钝化层,形成在第一和第二TFT上;阻挡层,形成在钝化层上;第一电极,形成在阻挡层上,并连接到第二TFT;第二电极,用于接收第二电压,并位于第一电极对面;以及发光件,形成在第一和第二电极之间。因为在作为有机层的钝化层上形成作为无机层的阻挡层,可避免(或基本减少)水分流入有机发光件。此外,因为形成钝化层作为无机层,可最小化钝化层的水分含量,因此可延长有机发光件的寿命。

    用于极远紫外光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法

    公开(公告)号:CN1869811A

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN200610092874.X

    申请日:2006-05-29

    CPC classification number: G21K1/062 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F1/24

    Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法,其中,该反射掩模包括:基板,以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层,以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层,在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层,该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响,并且可以消除不必要的EUV光线,使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料,掩模制作过程能够简易地处理。

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