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公开(公告)号：CN112151358B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202010258067.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H10B12/00 , G03F1/76 , G03F1/56 , G03F1/48
Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。
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公开(公告)号：CN113424392A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013866.X
申请日：2020-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括多个电池子组的电池模块和包括该电池模块的电子设备。电池模块包括：电池组，包括多个电池子组；电力输送电路，可连接到多个电池子组；多个开关，连接在多个电池子组与电力输送电路之间；以及至少一个处理器，被配置为控制多个开关以，在第一时间间隔期间将存储在第一电池子组中的电力传输到电力输送电路，并且在第二时间间隔期间将存储在电力输送电路中的电力传输到第二电池子组。本文还提供了其他各种实施例。
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公开(公告)号：CN111095304A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057625.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备及其方法被提供用于执行深度学习。所述电子设备包括：存储器，被配置为存储目标数据和核数据；以及处理器，包括以矩阵形状布置的多个处理元件。所述处理器被配置为：将目标数据中包括的多个第一元素中的第一非零元素输入到所述多个处理元件中的每个，并将核数据中包括的多个元素中的第二非零元素顺序地输入到所述多个处理元件中的第一行中包括的多个第一处理元件中的每个。所述多个第一处理元件中的每个被配置为基于第一非零元素的深度信息和第二非零元素的深度信息执行输入的第一非零元素与输入的第二非零元素之间的运算。
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公开(公告)号：CN1716606A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078351.5
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/94 , H01L29/93 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种具有MOS变容二极管的半导体器件及其制造方法。MOS变容二极管包括金属栅极电极、置于金属栅极电极和半导体衬底之间的有源半导体板、和置于金属栅极电极和有源半导体板之间的电容器介电层。另外，下部绝缘层将MOS变容二极管与半导体衬底绝缘。根据本发明，金属栅极电极用于减少多晶硅耗尽，从而增大变容二极管的调谐范围，并制造可靠的金属电阻器而无需额外的光掩模。
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公开(公告)号：CN116891748A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350734.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、由式1‑7表示的化合物、由式1‑8表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑8中，CY1、X1至X6、T1、T1a、R2、Z1和a1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110832785B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880045395.3
申请日：2018-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/0408 , H04B7/06 , H04L1/06
Abstract: 本公开涉及一种用于将支持比超4G系统更高数据速率的5G通信系统与IoT技术融合的通信方法和系统。基于5G通信技术和与IoT相关的技术，本公开可以应用于智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售业、安全和安保服务。本发明中公开了一种应用波束分集的收发方法和装置。
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公开(公告)号：CN108024009B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201711039001.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/7243 , H04M1/72454 , G06F3/147 , G06F3/041 , H04M1/02
Abstract: 本文公开了电子设备和方法。电子设备包括壳体、触摸屏以及电耦接到显示器的至少一个处理器。处理器实现包括以下步骤的方法：限定电子设备的显示器的主区域和延伸区域，检测对显示的内容的选择，由处理器检测沿着内容的边缘设置的内容的一部分的特征是否等于或小于阈值，以及基于所述部分的特征是否等于或小于阈值，放大所选的显示内容以在主区域上显示并延伸到延伸区域。
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公开(公告)号：CN114207723A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056709.7
申请日：2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括：以非易失性方式和易失性方式存储数据的存储器和被配置为控制该存储器的存储器控制器。该存储器包括:包括第一字线和第二字线的字线对；正交于第一字线和第二字线并包括第一位线和第一互补位线的第一位线对；以及包括第一存储单元和在字线方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元的存储单元对。第一存储单元和第二存储单元各自以易失性方式存储数据。
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公开(公告)号：CN113778177A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111068354.6
申请日：2017-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F3/0488
Abstract: 本文公开了具有孔区域的电子设备及控制其孔区域的方法。电子设备包括壳体、触摸屏以及电耦接到显示器的至少一个处理器。处理器实现包括以下步骤的方法：限定电子设备的显示器的主区域和延伸区域，检测对显示的内容的选择，由处理器检测沿着内容的边缘设置的内容的一部分的特征是否等于或小于阈值，以及基于所述部分的特征是否等于或小于阈值，放大所选的显示内容以在主区域上显示并延伸到延伸区域。
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公开(公告)号：CN106716864B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201580049276.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及提供用于支持超过比如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统的较高数据速率的准第五代(5G)或5G通信系统。方法和装置被提供用于无线通信系统中的设备。请求通过至少一个第二设备的信道估计的信息从第一设备被传输至所述至少一个第二设备。在所述第一设备处从所述至少一个第二设备接收作为反馈的信道信息。
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