公开(公告)号：CN105190894A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480008732.3

申请日：2014-02-17

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·杜塔

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L27/08 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： 描述了用于实现可变(例如，可调谐)3端电容器件的方法和装置。在各实施例中，彼此间隔开的垂直控制柱在具有与控制柱的极性相反的极性的阱中延伸。控制柱按平行于深沟槽栅极与阱拾取区但在深沟槽栅极与阱拾取区之间延伸的一行来安排。通过改变施加到控制柱的电压，柱周围耗尽区的大小可变化，从而造成沟槽栅极与连接到阱拾取区的拾取端之间的电容的变化。控制柱的一般垂直的性质便于控制大范围的电压，同时允许使用常见半导体制造步骤进行制造，使得器件易于与其他半导体器件一起实现在芯片上。

公开(公告)号：CN104900720A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510100285.0

申请日：2015-03-06

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 奥利弗·泰森 ,  马蒂厄·佩林 ,  洛尔·罗兰杜罗斯科特

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0808 ,  H01L27/0811 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1243 ,  H01L2924/00

摘要： 一种MOS变容管结构，包括：具有阱区的半导体主体，以及布置在所述阱区上的多个栅极电极和多个阴极电极，其中所述栅极电极包括细长焊盘，并且多个阴极触点通过阴极连接图案相连，所述阴极连接图案包括多个臂，所述多个臂中的每个臂布置为在相应的栅极电极焊盘的一部分上延伸。

公开(公告)号：CN100499121C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510087360.0

申请日：2005-07-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平 ,  陈俊宏

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L28/40 ,  H01L29/93 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属-绝缘层-金属(MIM)、金属-氧化层-金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。

公开(公告)号：CN101174507A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200610098892.9

申请日：2002-04-02

申请人： 京瓷无线公司

发明人： 斯坦利·斯拉夫科·通西赫

IPC分类号： H01G7/06 ,  G01R27/26

CPC分类号： G01R27/2694 ,  H01G7/06 ,  H01L27/0808 ,  H01P1/203 ,  H01P1/20336 ,  H01P1/20363 ,  H01P1/20381 ,  H01P1/2039 ,  H01P1/2056 ,  H01P1/213 ,  H01P5/04 ,  H03B5/04 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1262 ,  H03B5/1293 ,  H03B5/1841 ,  H03B5/362 ,  H03F1/56 ,  H03F3/191 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H03H7/0123 ,  H03H7/12 ,  H03H7/20 ,  H03J5/246 ,  H03L1/022 ,  H03L7/18 ,  H04B1/0053 ,  H04B1/0458 ,  H04B1/30 ,  H04B1/40

摘要： 本发明公开了一种可调谐铁电元件(610－614)以及用于测量该铁电元件损耗的窄带谐振电路(610－620)。该铁电元件可以是集成在谐振电路中的电容器。测试方法消除其它来源的损耗，从而分离出由铁电材料引致的损耗，并且证实这种损耗是很低的。

公开(公告)号：CN101002360A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580025362.5

申请日：2005-07-21

申请人： 基奥赛拉无线公司

发明人： 乔治·法夫雷加-桑什 ,  格雷戈里·普瓦拉斯内 ,  斯坦利·S·通西赫 ,  艾伦·德兰

IPC分类号： H01Q1/24 ,  H01Q5/00 ,  H01Q9/04 ,  H04B1/18

CPC分类号： H01P5/04 ,  G01R27/2694 ,  H01G7/06 ,  H01L27/0808 ,  H01P1/203 ,  H01P1/20336 ,  H01P1/20363 ,  H01P1/20381 ,  H01P1/2039 ,  H01P1/2056 ,  H01P1/213 ,  H01Q1/00 ,  H01Q1/243 ,  H01Q3/44 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q9/0421 ,  H01Q9/0442 ,  H01Q9/16 ,  H01Q9/28 ,  H01Q9/30 ,  H01Q9/42 ,  H01Q13/02 ,  H01Q13/06 ,  H01Q13/203 ,  H01Q13/22 ,  H03B5/04 ,  H03B5/1841 ,  H03B5/362 ,  H03F1/56 ,  H03F3/191 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H03H7/38 ,  H03J5/246 ,  H03L1/022 ,  H03L7/18 ,  H04B1/0053 ,  H04B1/0458 ,  H04B1/30

摘要： 已经提供了用于选择性地匹配通信带宽分段阻抗的分波段天线匹配方法和天线匹配系统。所述方法包括：从天线接受频变阻抗；以及在第一通信波段的分波段为天线选择性地提供共轭阻抗匹配。在某些方面中，所述方法在第二通信波段的分波段为天线选择性地提供共轭阻抗匹配。更具体地，所述方法包括：将第一调谐电路调谐到第一频率；同时将第二调谐电路调谐到第二频率，以便在所述第一通信波段的低端对天线进行匹配。同样地，所述第一调谐电路被调谐到第三频率以及所述第二调谐电路被调谐到第四频率，以便响应于所述第三和第四频率而在所述第一通信波段的高端对天线进行匹配。

公开(公告)号：CN1841740A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200510135095.9

申请日：2005-12-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑钧隆 ,  郑光茗 ,  林生元

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/417

摘要： 本案揭示一种用以改良CMP制程及改良与主动区域电气绝缘的空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域的一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性的一第一井区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，是位于该基板中，以定义含有第一、第二及第三平台区的相邻平台区；以及一第二井区，是具有第二极性，位于具有该第二极性的该第一平台下方，以形成一PN接面界面；其中具有该第一极性的该第二及第三平台区是形成于相邻该第一平台区的每一侧。

公开(公告)号：CN1527406A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124889.6

申请日：2003-11-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 钱相润 ,  徐春德

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/00 ,  H01G5/00

CPC分类号： H01L27/0808

摘要： 本发明涉及一种使用CMOS工艺用以提高品质因数的射频(RF)可变电容器的结构以及制造这种射频可变电容器的方法。该RF可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，其结构包括第一电容器，该第一电容器的电容可变范围在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之间，还包括第二电容器，该第二电容器串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容。

公开(公告)号：CN1369918A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103173.8

申请日：2002-02-05

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大西照人 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  藤井泰三 ,  杉浦三津夫 ,  南善久

IPC分类号： H01L29/93 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0808

摘要： 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备:含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN－HBT具备:与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。

公开(公告)号：CN103731120A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310613023.5

申请日：2013-10-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： W·巴卡尔斯基 ,  A·托马斯

IPC分类号： H03H11/28

CPC分类号： H03H7/38 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0641 ,  H01L27/08 ,  H01L27/0808 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H04B1/0458 ,  H04B1/18 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有改善品质因数的阻抗匹配网络和用于匹配阻抗的方法。一种阻抗匹配网络包括第一和第二信号端子以及参考电位端子。该网络进一步包括在第一信号端子与参考电位端子之间的第一分流支路，第一分流支路包括可变电感元件和第一电容元件。阻抗匹配网络还包括在第二信号端子与参考电位端子之间的第二分流支路，第二分流支路包括第二电容元件。在第一信号端子和第二信号端子之间的串联支路包括第三电容元件。可选地，第一、第二和／或第三电容元件可以被实现为可变电容元件。可变电容元件包括多个晶体管，其中晶体管的关断电容Coff的组合提供了可变电容元件的总电容，作为至少两个独立晶体管控制信号的函数。

公开(公告)号：CN102084488A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980122331.X

申请日：2009-06-15

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L-E·沃纳森

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/334 ,  H01L27/08 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G11C27/024 ,  H01L27/0808 ,  H01L27/0811 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/872 ,  H01L29/94 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1228 ,  H03B2200/0042

摘要： 本发明提供纳米结构MOS电容器，其包括被介质层(5)至少部分包围的纳米线(2)以及包围该介质层(5)至少一部分的栅电极(4)。优选地，该纳米线(2)从基板(12)凸出。该栅电极(4)限定纳米线(2)的栅控部分(7)，在向栅电极(4)施加第一预定电压时允许该栅控部分(7)完全耗尽。还提供一种通过使用这种纳米结构MOS电容器在电子电路中提供可变电容的方法。归功于本发明，可以提供具有增加的电容调制范围的MOS电容器。本发明的另一优点是提供和现有技术MOS电容相比具有相对较低耗尽电容的MOS电容器。