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公开(公告)号：CN104900720A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510100285.0
申请日：2015-03-06
申请人： 恩智浦有限公司
发明人： 奥利弗·泰森 , 马蒂厄·佩林 , 洛尔·罗兰杜罗斯科特
IPC分类号： H01L29/94
CPC分类号： H01L29/93 , H01L23/4824 , H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/423 , H01L29/66174 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H03B5/124 , H03B5/1243 , H01L2924/00
摘要： 一种MOS变容管结构，包括：具有阱区的半导体主体，以及布置在所述阱区上的多个栅极电极和多个阴极电极，其中所述栅极电极包括细长焊盘，并且多个阴极触点通过阴极连接图案相连，所述阴极连接图案包括多个臂，所述多个臂中的每个臂布置为在相应的栅极电极焊盘的一部分上延伸。
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公开(公告)号：CN103227210A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210473705.6
申请日：2012-11-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈重辉
CPC分类号： H01L29/945 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L27/0811 , H01L27/0886 , H01L28/92 , H01L29/66181 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/94
摘要： 一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。该鳍式电容器还可以包括位于一个或多个导电体和下面的半导体材料之间的绝缘材料。本发明提供了去耦FinFET电容器。
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公开(公告)号：CN101675521B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880012100.9
申请日：2008-11-19
申请人： 新思科技有限公司
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L27/0811
摘要： 本发明的实施例提供一种控制包括电源轨和接地轨的功率系统中的噪声的系统。该系统包括：MOS晶体管，与去耦合电容器串行耦合于电源轨与接地轨之间；以及电感封装连接，与MOS晶体管和去耦合电容器并行耦合到电源轨。MOS晶体管、去耦合电容器和电感封装连接的组合形成谐振电路。在操作期间，该系统确定在电源轨上的Vdd信号中是否有噪声。基于存在于Vdd信号中的噪声，该系统调节MOS晶体管的阻抗以减少谐振电路在兴趣频率(ω兴趣)附近的频率范围中的噪声而不造成在其它频率的切换噪声的不必要增加。
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公开(公告)号：CN101667574B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910174780.0
申请日：2005-01-31
申请人： 英飞凌科技股份公司
CPC分类号： H01L29/94 , H01L27/0811
摘要： 本发明涉及一种在n沟槽(20)中包含电容器(12)的电路布置(10)。电容器(12)的特定极化确保耗尽区在沟槽(20)中形成，并且电容器(12)具有高的ESD抗性。一种可选存在的辅助掺杂层(26)确保尽管在高的ESD抗性情况下电容器的高面积电容。
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公开(公告)号：CN101258592B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680026427.2
申请日：2006-06-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L27/0811 , H01L28/40 , H01L29/78648 , Y10T436/235 , Y10T436/25125 , Y10T436/2525 , Y10T436/25375
摘要： 一种用于双栅极CMOS结构的制造方法和器件。所述结构包括在绝缘层(100)中的第一板(106a-d)和在所述绝缘层之上电对应所述第一板的第二板(110a-d)。隔离结构(108a-d)在所述第一板与所述第二板之间。
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公开(公告)号：CN101410944A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010876.2
申请日：2007-04-03
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0811 , H01L23/5223 , H01L27/0688 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种安装在半导体芯片上的电容电路组件(310)及其形成方法，包括在第一和第二端口之间并联电路连接的多个渐扩电容器，该多个并联的渐扩电容器包括至少一个金属氧化物硅电容器(312)和选自包括垂直原生电容器(316)和金属－绝缘体－金属电容器(314)的组的至少一个电容器。在一个方面，该组件具有垂直取向，该金属氧化物硅电容器(312)位于底部并限定占用面积，中间垂直原生电容器(316)包括多个水平金属层，其包括与多个平行负极板交替的多个平行正极板。在另一方面，垂直不对称的取向提供了减小的总寄生电容量。
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公开(公告)号：CN1707813A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510076121.5
申请日：2005-06-08
申请人： 赛芬半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/94
CPC分类号： H01L27/0811
摘要： 一种电容器，该电容器包括：容性地耦合到第二有源层的第一有源层，第二有源层容性地耦合到第三层，第三层容性地耦合到第四层，其中电容器的阳极连接到第一和第二有源层中的一个，而电容器的阴极连接到第一和第二有源层中的另外一个，并且其中第三层为浮动的。第四层可以连接到电源电压，比如但不限于地。
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公开(公告)号：CN102576703B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080026142.5
申请日：2010-05-03
申请人： 意法爱立信有限公司
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L27/0808 , H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L27/0811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种数控可变电容集成电子电路模组(100)，包括以矩阵布置的一组基本单元。各基本单元本身包括功能块(11)、控制块(12)和控制接点，所述功能块能够在两个独立电容值之间切换，所述控制接点将所述基本单元的所述控制块和所述功能块连接。所述功能块和所述控制块组成所述矩阵布置的不同的区(110，120)，以减少所述模组的输出通路和供电通路之间的电容交互作用。所述功能块还能够以矩阵布置内的绕组通路顺序切换。本发明的模组能够用于能够产生4GHz信号的振荡器。
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公开(公告)号：CN103811462A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310559850.0
申请日：2013-11-12
申请人： 辉达公司
发明人： 翟军
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L29/66181 , H01L27/0811 , H01L29/66189 , H01L29/94
摘要： 提供用于中介层的去耦电容器。本发明的实施例总地涉及用于封装集成电路的中介层。中介层包括电容性器件用于减少耦连到中介层的临近的集成电路之间的信号噪声和泄漏。电容性器件由掺杂的半导体层形成。在一个实施例中，中介层包括具有相反的导电性的掺杂区的衬底。第一和第二氧化层安置在掺杂区之上。安置在第二氧化层中的第一互连电耦连到第一导电性的掺杂区，并且安置在第二氧化层中的第二互连电耦连到第二导电性的掺杂区。还公开了利用掺杂的半导体层的附加的电容性器件。
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公开(公告)号：CN101047067B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200710089801.X
申请日：2007-03-30
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01G4/008 , H01G4/33 , H01L27/016 , H01L27/0682 , H01L27/0802 , H01L27/0811 , H01L28/55 , H05K1/09 , H05K1/162 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0355 , Y10T29/417 , Y10T29/435
摘要： 本发明提供一种高容量且低泄漏电流的薄膜电容器的制造方法。在镍纯度大于等于99.99重量％的镍基板(10)上形成含有有机金属化合物的前驱电介质层(11D)后，进行退火，使前驱电介质层(11D)变为电介质层(11)。由此，将镍基板(10)中含有的一种或多种杂质(例如铁、钛、铜、铝、镁、锰、硅及铬中的至少之一)在退火中从镍基板(10)向前驱电介质层(11D)扩散的扩散量抑制在微量。
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