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公开(公告)号:CN107919278A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201710816716.2
申请日:2017-09-12
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/47573 , H01L21/67086 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要: 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括:在工艺槽中提供晶圆,工艺槽在其中容纳蚀刻剂;向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度;向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度;以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。
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