公开(公告)号：CN105405867B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510564038.6

申请日：2015-09-07

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·G·拉文 ,  M·戴内塞 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649

摘要： 本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。

公开(公告)号：CN106062930B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201480076614.6

申请日：2014-12-31

申请人： 诺威量测设备股份有限公司

发明人： 尹戈尔·蒂罗韦斯

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/263 ,  H01L21/67 ,  G01B21/08

CPC分类号： B24B37/20 ,  B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/67219 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 提出了一种表面平坦化系统。所述系统包括：外部能源，用于在处理区域内生成局部能量分布；以及控制单元，用于操作所述外部能源，以由所述局部能量分布在所述处理区域内产生预定的温度模式，使得所述处理区域的不同位置经受不同的温度。假设与蚀刻材料成分相互作用的样品(例如，半导体晶片)位于所述处理区域内时，所述样品的表面的不同位置处的温度模式通过所述蚀刻材料成分产生不同的材料去除速率(不同的蚀刻速率)。

公开(公告)号：CN106206434B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

公开(公告)号：CN106298676B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510291873.7

申请日：2015-06-01

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 杨文忠 ,  尹德源 ,  王思婷

IPC分类号： H01L27/11517

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/42324

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：在基底上形成一栅极堆叠结构，其包含一浮动栅、一栅极间介电层、一控制栅、以及一金属层，在栅极堆叠结构上形成一共形衬层，在衬层上覆盖一掩模层，其中掩模层低于金属层使得部分衬层裸露而出，以及进行一氮化步骤将裸露的衬层转化成氮化衬层，使得栅极堆叠结构中至少包含金属层的部分会为氮化衬层所覆盖。

公开(公告)号：CN109273446A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201711284903.7

申请日：2017-12-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨宗谕 ,  黄仲仁 ,  吴云骥

IPC分类号： H01L27/11521

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/792

摘要： 提供一种制造集成电路的方法。在半导体衬底上形成栅极堆叠。栅极堆叠包括电荷储存膜及上覆在电荷储存膜上的虚拟控制栅极。虚拟控制栅极包含第一材料。由第一材料形成虚拟栅极层，且虚拟栅极层被形成为覆盖半导体衬底及栅极堆叠。使虚拟栅极层凹陷至低于栅极堆叠的顶表面后，将虚拟栅极层图案化，以形成与虚拟控制栅极交界的虚拟选择栅极并形成与虚拟选择栅极及虚拟控制栅极间隔开的虚拟逻辑栅极。在虚拟控制栅极、虚拟选择栅极、及虚拟逻辑栅极间形成有与虚拟控制栅极、虚拟选择栅极及虚拟逻辑栅极的顶表面齐平的顶表面的层间介电层。将虚拟控制栅极、虚拟选择栅极、或虚拟逻辑栅极分别替换为由第二材料形成的控制栅极、选择栅极、或逻辑栅极。

公开(公告)号：CN109148284A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811139642.4

申请日：2018-09-28

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 宋冬门 ,  李君 ,  夏余平 ,  刘开源 ,  王二伟

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67253

摘要： 该发明涉及一种液体槽，其中，所述液体槽包括：槽体，用于盛放液体，所述槽体的底部设有若干进水口；设有若干通孔的流量均匀板，所述流量均匀板用于放置在所述槽体内，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔，待处理物体用于放置在所述上腔，所述进水口位于所述下腔。本发明的液体槽具有流量均匀板，通过设置在所述流量均匀板上的孔对穿过所述流量均匀板的液体进行分流，使得通过所述孔进入到上腔的液体被分流成更多股，更多股的液体对上腔内存放的液体进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使液体槽中的液体中各种离子均匀分布。

公开(公告)号：CN108987402A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710396986.2

申请日：2017-05-31

申请人： 华邦电子股份有限公司

发明人： 刘重显 ,  陈俊旭 ,  蒋汝平

IPC分类号： H01L27/11521

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/518

摘要： 本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。在衬底上依序形成第一介电层与第一导体层。在衬底、第一介电层以及第一导体层中形成第一开口与位于第一开口上的第二开口。在第一开口中形成隔离结构。在衬底上形成第二介电层，使得第二介电层共形覆盖第一导体层的顶面与第二开口的表面。对第二介电层进行热处理，以强化第二介电层与第一导体层之间的键结。进行蚀刻工艺，移除第二介电层的一部分，以暴露出隔离结构的顶面。

公开(公告)号：CN108987300A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711269562.6

申请日：2017-12-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李孟宪 ,  吕新贤

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/67023 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

摘要： 使用清洁工艺来制造半导体器件。清洁工艺使用具有湿清洁部分和等离子体清洁部分的半导体制造工具。将半导体器件放置在湿清洁部分内的湿清洁室中，在其中实施湿清洁工艺。一旦完成，并且没有破坏氛围，从湿清洁部分去除半导体器件并且将其放置在等离子体清洁部分内的等离子体清洁室内。然后实施等离子体清洁。本发明的实施例还涉及半导体器件制造工具及其制造方法。

公开(公告)号：CN108886041A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680076407.X

申请日：2016-12-20

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  Z.卢 ,  D.毛 ,  张艳丽 ,  A.塞罗夫 ,  C.葛 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11582

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/7926

摘要： 可以在绝缘层和导电层的交替堆叠体中的导电层的每级处形成离散的硅氮化物部分。离散的硅氮化物部分可以用作电荷俘获材料部分，其每一个由前侧上的隧穿电介质部分以及背侧上的阻挡电介质部分横向地接触。隧穿电介质部分可以形成为离散的材料部分或隧穿电介质层内的部分。阻挡电介质部分可以形成为离散的材料部分或阻挡电介质层内的多个部分。可以通过沉积电荷俘获材料层并且在绝缘层的级处选择性地移除电荷俘获材料层的部分来形成离散的硅氮化物部分。可以采用各种方案来单体化电荷俘获材料层。

公开(公告)号：CN108807532A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710290101.0

申请日：2017-04-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 李勇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7854 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/66795

摘要： 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的鳍片；在所述鳍片上的硬掩模层；以及在所述衬底上用于隔离所述鳍片的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的上表面与所述硬掩模层的上表面基本齐平；对所述第一隔离材料层进行回刻，从而形成上表面高于所述硬掩模层的底表面的第二隔离材料层；在对所述第一隔离材料层进行回刻之后，执行氧化工艺或退火工艺；在执行氧化工艺或退火工艺之后，去除所述硬掩模层；对所述第二隔离材料层进行回刻，从而形成上表面低于所述鳍片的上表面的隔离区。本申请可以实现鳍片顶部的边角的圆形化。