公开(公告)号：CN107689374B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201710600268.2

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  高镛璿 ,  黄寅奭

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。

公开(公告)号：CN109037094B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN107039424B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN107919278A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710816716.2

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光秀 ,  车世浩 ,  高镛璿 ,  金建伶 ,  金坰显 ,  文彰燮 ,  成忠基 ,  宋善重 ,  李轸雨 ,  韩勋

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/67086 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括：在工艺槽中提供晶圆，工艺槽在其中容纳蚀刻剂；向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度；向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度；以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。

公开(公告)号：CN107170700B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN109037094A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN108257893A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0021 ,  B08B2203/007 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/67207

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。

公开(公告)号：CN110060942B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN107039424A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN104051299A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。