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公开(公告)号：CN107919278A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710816716.2
申请日：2017-09-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/47573 , H01L21/67086 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括：在工艺槽中提供晶圆，工艺槽在其中容纳蚀刻剂；向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度；向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度；以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。
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公开(公告)号：CN107170700A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710514602.2
申请日：2012-12-07
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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公开(公告)号：CN103151285B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201210524045.X
申请日：2012-12-07
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/67034 , F26B5/04 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要： 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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公开(公告)号：CN103941853A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310659889.X
申请日：2013-12-09
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G06F17/30386 , H04N21/4345 , H04N21/437 , H04N21/44008 , H04N21/44204 , H04N21/44218 , H04N21/4532 , H04N21/47202 , H04N21/4782 , H04N21/6543
摘要： 一种用于确定电子设备的用户的情绪状态的系统和方法。所述系统配置为执行一种方法，所述方法使用电子设备接收输入情绪数据；将输入情绪数据与参考情绪数据进行比较，并且确定电子设备的用户的情绪状态；以及将所确定的用户的情绪状态发送给外部设备以与所述外部设备共享所述情绪状态。
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公开(公告)号：CN107170700B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710514602.2
申请日：2012-12-07
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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公开(公告)号：CN102984535A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210311158.1
申请日：2012-08-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N13/04 , G08C17/02 , A61B5/02 , A61B5/08 , A61B5/0476
CPC分类号： A61B5/743 , A61B5/02416 , A61B5/0476 , A61B5/0488 , A61B5/6803
摘要： 包括3D眼镜的用户健康监测系统、显示设备及其控制方法，该用户监测系统包括：获取用户的生物信号信息并发送的3D眼镜；显示单元，接收通过3D眼镜发送的生物信号信息，通过利用生物信号信息获取健康指数并根据健康指数控制显示状态。在这种配置下，可利用正在观看3D图像的用户的生物信号信息实时监测用户的健康状况，并且可根据用户的健康状况控制3D显示状态，从而保护用户的健康。
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公开(公告)号：CN101085580B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610121809.5
申请日：2006-08-24
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供一种利用纳米压印以简单的工艺形成同时具有亲水性和疏水性的微细图案的方法。本发明利用刻着具有疏水性的微细结构物的模具在亲水性抗蚀涂层的表面转印所述模具的微细结构物。转印所述微细结构物包含步骤：使所述模具的微细结构物接触所述亲水性抗蚀涂层并施加预定压力；通过加热或照射紫外线使所述亲水性抗蚀涂层硬化之后将所述模具移开。
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公开(公告)号：CN110060942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201811608953.0
申请日：2014-03-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
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公开(公告)号：CN104051299A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410090605.4
申请日：2014-03-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/67751 , H01L21/68785
摘要： 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
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公开(公告)号：CN110060942A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811608953.0
申请日：2014-03-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
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