半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101982884B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201010286825.6

    申请日:2005-10-12

    Inventor: 姜泰旭

    CPC classification number: H01L27/12 H01L29/78621

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。通过形成与电容器电介质膜厚度不同的栅极电极的栅极绝缘膜,可以在不改变电容量的情况下减小电容器的表面积。半导体器件包括:多个形成于包括第一区域和第二区域的衬底上的半导体层图形;形成于包括半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜,该绝缘膜在第一区域的一部分和第二区域上具有第一厚度,该第一厚度比第一区域内的半导体层图形的中心部分上的第二厚度小;及多个形成于绝缘膜上以覆盖第一区域内的半导体层图形的中心部分和第二区域内的半导体层图形的导电层图形。第一区域的半导体层图形作为沟道区域、源极和漏极区域和轻掺杂漏极区域,源极和漏极区域与轻掺杂漏极区域通过不同掺杂工艺形成。

    电致发光显示器件
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1722924B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200510083783.5

    申请日:2005-06-17

    CPC classification number: H01L27/3248 H01L51/5218 H01L2251/5315

    Abstract: 一种电致发光显示器件,其包括位于基板上的薄膜晶体管层,位于薄膜晶体管层上的至少一个绝缘层;以及被设置在绝缘层之上的像素层,其包括第一电极层、第二电极层、以及具有至少一个介于第一电极层和第二电极层之间的发射层的中间层。像素层包括反射层,其与薄膜晶体管层的源极或漏极接触,并且被设置在第一电极层之下,并且反射层包括透孔,通过该透孔第一电极层与源极或漏极接触。

    平板显示器以及其保护装置

    公开(公告)号:CN1725911B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200510079545.7

    申请日:2005-06-23

    CPC classification number: H01L51/524

    Abstract: 一种平板显示装置,包括:其上形成有一发光装置的一基板;形成在所述基板上的一密封基板;以及形成在所述密封基板上以保护所述发光装置的一保护板。所述保护板的内表面上形成多个槽,以增加保护板的弯曲阻抗,分散施加到平板显示器的载荷力,并且减少形成在平板显示器中的发光装置由于载荷而损坏的可能性。

    有机发光显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100556222C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200410010453.9

    申请日:2004-12-31

    CPC classification number: H01L27/3246 H01L51/0013

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器以及制造这种有机发光显示器的方法。根据本发明的有机发光显示器以及制造这种有机发光显示器的方法通过用淀积法将具有开口的无机象素限定层形成为较小厚度,能够避免由于第一电极和无机象素限定层之间的台阶引起有机层图案被切开,所述的开口用于暴露第一电极的至少一部分。另外,由于第一电极和有机层图案在转印步骤中紧密地贴附在一起,使得转印步骤可以采用低能的激光束,由此提高了转印效率,增加了OLED的发光效率,延长了OLED的使用寿命。

Patent Agency Ranking