公开(公告)号：CN103338891B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201180051036.7

申请日：2011-10-24

申请人： 伊雷克托科学工业股份有限公司

发明人： 马克·A·昂瑞斯 ,  安德鲁·柏威克 ,  亚历山大·A·麦亚钦

IPC分类号： B23K26/08 ,  H01L21/60 ,  B23K26/36 ,  G06F17/50

CPC分类号： B23K26/364 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4853

摘要： 一种镭射加工系统包括用于赋予沿着相对于工件的光束轨迹的光束路径的第一相对运动的第一定位系统，用于确定沿着多个抖动行的光束路径的第二相对运动的处理器，用于赋予该第二相对运动的第二定位系统，和发出镭射光束脉冲的镭射源。该系统可补偿在加工速度中的变化从而以预定角度保留抖动行。例如，该抖动行可不顾加工速度而保持垂直于该光束轨迹。可将该加工速度调整以对整数抖动行加工来完成沟槽。可基于该沟槽宽度来选择每一行中的抖动点的数量。可藉由对加工速度和沟槽宽度的变化的调整来归一化注量。

公开(公告)号：CN103108722B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180044627.1

申请日：2011-09-09

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 角井素贵

IPC分类号： B23K26/36 ,  B23K26/362 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  B23K26/40 ,  H01S3/00 ,  H01S3/23 ,  H05K3/08 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01S5/0427 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/57 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L31/0463 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/1618 ,  H01S3/2308 ,  H01S2301/20 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及通过使用廉价脉冲激光光源能够进行高产量加工的激光处理方法。在该激光加工方法中优选使用的脉冲激光光源（1）具有MOPA结构，以及例如包括种子光源、YbDF（20）、带通滤波器（30）、YbDF（40）和YbDF（50）。该激光加工方法是一种使用脉冲光照来对形成在透明沉底上的金属薄膜进行加工的方法，其中种子光源（10）中包含的半导体激光直接受电信号调制，以重复输出脉冲光，脉冲光经光学放大器放大，光学放大器包括YbDF（20,40,50）作为光学放大介质，将经光学放大器放大后输出的脉冲光的总宽度的半值控制到0.5ns或更小，并且通过使以所述方式控制了其总宽度的半值的脉冲光穿过透明衬底照射到金属薄膜上来去除金属薄膜。

公开(公告)号：CN102185115B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110006551.5

申请日：2011-01-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李廷敏 ,  申章焕 ,  姜泰旭 ,  全震焕

IPC分类号： H01L51/56 ,  C03B23/24

CPC分类号： B23K26/0626 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0734 ,  B23K26/32 ,  B23K2103/52 ,  H01J9/261 ,  H01L51/5246

摘要： 本发明提供一种激光束照射装置、基板密封及制造有机发光显示器的方法。所述激光束照射装置将激光束照射到布置在第一基板与第二基板之间的密封单元上，以密封所述第一基板和所述第二基板。所述激光束在与所述激光束的行进方向垂直的表面上具有从所述激光束的中央部分向末端部分增大的束强度。所述激光束的中央部分处的束强度是所述激光束的末端部分处的束强度的一半或更小，并且所述激光束具有相对于所述激光束的行进方向对称的束分布曲线。

公开(公告)号：CN104174994A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410374693.0

申请日：2014-07-31

申请人： 北京万恒镭特机电设备有限公司

发明人： 李俊 ,  李纪东 ,  杨顺凯

IPC分类号： B23K26/067

CPC分类号： B23K26/0676 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/38 ,  B23K2101/40

摘要： 本发明提供一种分光装置及其方法，该分光装置包括一对透镜，两个透镜之间的距离可调，用以调整激光器出射高斯光束的光斑尺寸和发散角；一平面反射镜，将经所述一对透镜出射的水平光束偏转为垂直光束；一高斯光束整形元件，垂直光束透过高斯光束整形元件后，其光斑转换为能量密度均匀的平顶光斑；一分束元件，平顶光斑经其作用后分为一维或者二维光束阵列；一聚焦镜，所述光束阵列中每束光透过聚焦镜后聚焦，形成聚焦点阵。

公开(公告)号：CN103894735A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210568055.3

申请日：2012-12-24

申请人： 中国科学院沈阳自动化研究所

发明人： 乔红超 ,  刘伟军 ,  赵吉宾 ,  于彦凤

IPC分类号： B23K26/082 ,  B23K26/064 ,  B23K26/062

CPC分类号： B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/356 ,  B23K2101/001

摘要： 本发明公开了一种整体叶盘单/双面激光冲击强化光路系统，属于整体叶盘激光冲击强化加工领域。主要由光学平台、数控滑台、数控转台、反射镜、聚焦镜、匀光镜片、摆臂、能量计、防护板、防护罩、导光管等一起组成四套光路。这四套光路可以通过手动/自动的方式选择任意一套光路工作，也可以选择光路二和光路四同时工作，其中，光路一和光路三为聚焦光路，当输入直径＜27mm的激光束时，输出的激光光斑为直径2-5mm的光强均匀的圆形光斑，光路二和光路四为匀光光路，当输入直径＜27mm的激光束时，输出边长2-5mm的光强均匀的方形光斑。本发明结构简单，使用方面，在提高生产效率的同时，保证了激光冲击强化质量的均匀性和稳定性。

公开(公告)号：CN103268856A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310028523.2

申请日：2013-01-25

申请人： 超科技公司

发明人： 沈小华 ,  王耘 ,  王晓茹

IPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/00

CPC分类号： H01L21/2636 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/08 ,  B23K2101/40 ,  G01N21/55 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具改良温度表现的双光束雷射退火。一种可在雷射退火制程中减少晶圆表面温度变异的雷射退火系统与方法。所述系统与方法包含对晶圆表面以第一和第二激光束退火，其分别作为预热以及退火激光束且分别具有第一与第二强度。预热激光束使晶元表面温度趋近于退火温度，而退火激光束则将晶圆表面温度带至退火温度。在预热波长以及退火波长之下使用晶圆表面的反射率地图（reflectivity map）可确保良好的退火温度一致性。

公开(公告)号：CN101130218B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200710142495.1

申请日：2007-08-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎 ,  山崎舜平

IPC分类号： B23K26/36 ,  B23K26/06 ,  B23K26/04 ,  B23K26/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/268

CPC分类号： B23K26/0738 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0732 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  Y10S438/94

摘要： 本发明提供在使用大面积衬底进行半导体装置的大量制造时，在制造工艺中不使用分档器的半导体装置的制造设备。通过光控制单元，具体地说电光装置，对形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜选择性地照射激光来产生烧蚀，以部分地去除该薄膜，将保留了的区域中的薄膜形成为所希望的形状。电光装置通过输入根据半导体装置的设计CAD数据的电信号而起到可变掩模的作用。

公开(公告)号：CN101179012B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200710186035.9

申请日：2007-11-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  B23K26/00

CPC分类号： H01L21/02678 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

摘要： 在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为-500N/m以上且+50N/m以下。

公开(公告)号：CN101160646B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200680012575.9

申请日：2006-03-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 迪安·詹宁斯 ,  海凡·朗 ,  马克·亚姆 ,  维杰·帕里哈尔 ,  阿比拉什·玛雨尔 ,  亚伦·亨特 ,  布鲁斯·亚当斯 ,  约瑟夫·迈克尔·拉尼什

IPC分类号： H01L21/428

CPC分类号： B23K26/0608 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描，以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级，并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级，因此硅对此是透明的，但是长波长辐射被自由载流子吸收。

公开(公告)号：CN101990479A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980109980.6

申请日：2009-03-18

申请人： 万佳雷射有限公司

发明人： P·T·路姆斯比

IPC分类号： B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  B23K26/06

CPC分类号： B23K26/0732 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0823 ,  B41C1/05

摘要： 一种使滚筒表面曝光在来自脉冲激光源的具有适当能量密度的构图照射下以造成表面烧蚀而形成密集规则的三维微观结构阵列的方法包括以下步骤：相对于目标区定位掩膜，该掩膜具有在一条线上的多个按照固定间距的特征；通过掩膜投影均匀的线状激光束以投影由该掩膜上的多个特征构成的图像到目标区；在掩膜和目标区之间缩小光束所携的图像；定位滚筒表面在目标区中以便烧蚀；连续转动滚筒，从而该表面在垂直于滚筒转动轴的第一方向上移动并同时使该投影光束相对滚筒在平行于滚筒转动轴的第二方向上移动；使投影的微观结构阵列倾斜，以对应于激光束在滚筒表面上所沿着的螺旋路径；与滚筒在目标区内的准确角位相关地控制脉冲激光器的发射。还描述了一种执行该方法的设备。