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公开(公告)号：CN106123928A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610417269.9
申请日：2016-06-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01D5/12
CPC classification number: G01D5/12
Abstract: 一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，包括电接触端子以及设置于衬底之上的第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管，所述第一有机薄膜晶体管作为负载元件，采用有机半导体层埋在栅绝缘层下面的顶栅底接触型结构，所述第二有机薄膜晶体管作为传感元件实现各类传感功能，采用有机半导体层暴露在外面的底栅底接触型结构，该第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管公用同一栅绝缘层，组成互补反相器，所述电接触端子与所述第一有机薄膜晶体管连接。较之于单一有机薄膜晶体管传感器而言，本发明极大地提升了传感器的稳定性和降低了传感器的功耗，具有稳定性好、功耗低、结构简单、加工工序简化和制造成本低的优点。
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公开(公告)号：CN104371206A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410625499.5
申请日：2014-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08L25/06 , C08K5/5419 , C08K5/544 , C08J3/24 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种交联聚苯乙烯材料及其制备方法、用途；所述交联聚苯乙烯材料包括含炔键的硅烷化合物、含叠氮基团的硅烷化合物和聚苯乙烯。本发明的交联聚苯乙烯混合物材料采用一种新型的有机硅烷交联剂，该交联剂利用加热条件下叠氮-炔的成环反应作为交联方式，实现了在较低温度、无金属催化剂和无副产物的条件下制备交联的聚苯乙烯混合物材料，制备工艺简单，所得材料绝缘性能优异，适合通过溶液法制备各种OFETs器件，前景十分广泛。
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公开(公告)号：CN119033341A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310612269.4
申请日：2023-05-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种动物健康智能预警系统和预警方法，系统包括穿戴传感模块、飞行数据收集模块和显示模块，其中：穿戴传感模块用于获取动物当前健康预警信息，并向飞行数据收集模块发送动物当前健康预警信息；飞行数据收集模块以巡航方式飞行至预设位置与穿戴传感模块连接，飞行数据收集模块用于实时接收动物当前健康预警信息，并向显示模块发送动物当前健康预警信息；显示模块与飞行数据收集模块连接，用于接收动物当前健康预警信息，并根据动物当前健康预警信息显示健康警报信息。本发明有利于动物的规模化监管、健康状况追踪和异常预警。
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公开(公告)号：CN117783245A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311777758.1
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/414 , H01L27/12 , H01L21/77 , G01N33/543
Abstract: 本发明涉及用于生化检测的薄膜晶体管生物芯片及其形成方法。所述用于生化检测的薄膜晶体管生物芯片包括：衬底；信号处理结构，沿第一方向位于所述衬底的顶面上，所述信号处理结构包括薄膜晶体管电路，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；前端传感器，沿所述第一方向集成于所述信号处理结构上方，且所述前端传感器与所述薄膜晶体管电路电连接；封装层，覆盖所述信号处理结构的表面，且所述封装层中具有开口，所述前端传感器位于所述开口内。本发明实现了高灵敏度的传感性能，克服了传统的薄膜晶体管系统不能直接与待测溶液接触来进行生化检测的问题。
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公开(公告)号：CN113725315B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111024868.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/12 , H01L31/0203
Abstract: 本发明涉及一种基于Micro‑LED的片上传感集成装置。所述基于Micro‑LED的片上传感集成装置包括：衬底；Micro‑LED芯片，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层和芯片阳极；第一封装层，覆盖所述衬底并包覆所述Micro‑LED芯片；功能传感结构，位于所述第一封装层上，且与所述Micro‑LED芯片错开设置，所述功能传感结构包括光敏有机薄膜晶体管、光电二极管中的一种或者两者的组合，所述光敏有机薄膜晶体管和所述光电二极管的制程温度均低于200℃；第二封装层，至少包覆所述功能传感结构。本发明免去了巨量转移及键结工艺所带来的良率、工艺复杂度、成本等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785745B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010527767.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/144 , H10K39/30
Abstract: 本发明涉及一种光传感器、光传感装置及其制备方法。所述光传感器包括：衬底；光电晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖于所述源电极和所述漏电极表面的光敏半导体层；第一透明钝化层，位于所述衬底表面且包覆所述光电晶体管；薄膜光敏器件，位于所述第一透明钝化层表面、且与所述光电晶体管错位设置，所述薄膜光敏器件包括位于所述第一透明钝化层表面的下触发电极、位于所述下触发电极表面的光敏功能层、以及位于所述光敏功能层表面的上触发电极；第二透明钝化层，位于所述第一透明钝化层表面且包覆所述薄膜光敏器件。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN116133428A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310113918.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种单片三维集成无电容动态随机存储装置及其形成方法。所述单片三维集成无电容动态随机存储装置包括衬底和存储单元；存储单元包括第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管、以及互连结构；第一晶体管包括第一源极、第一漏极、第一半导体层和第一栅极，第一源极、第一漏极和第一半导体层均位于衬底的顶面，第一栅极沿第二方向位于第一半导体层上方；第二晶体管包括第二源极、第二漏极、第二半导体层和第二栅极，第二源极、第二漏极和第二半导体层均位于第二栅极上方；互连结构的一端与第一栅极电连接、另一端与第二漏极电连接。本发明能够明显提升晶体管集成度和存储密度，降低DRAM中存储单元的尺寸。
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公开(公告)号：CN115566024A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211329111.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明中的单片三维集成半导体结构包括互补型场效应晶体管单元；互补型场效应晶体管单元包括衬底、位于衬底上的第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管、以及第一互连结构和第二互连结构；其中，第一晶体管包括第一源极、第一漏极、P型半导体层和第一栅极，第一栅极沿第二方向位于P型半导体层上方；第二晶体管包括第二源极、第二漏极、N型半导体层和第二栅极，第二栅极沿第二方向位于N型半导体层下方；第一互连结构电连接第一栅极和第二栅极；第二互连结构电连接第一漏极和第二漏极。本发明提升了互补场效应晶体管单元的集成度，降低了互补型场效应晶体管单元的尺寸，且改进半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN109855656B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910025969.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及物联网无线传感技术应用领域，尤其涉及一种晶体管型传感装置。所述晶体管型传感装置，包括柔性传感贴片；所述柔性传感贴片包括：贴附膜；传感结构，位于所述贴附膜表面，包括至少一个用于检测传感信息的柔性晶体管组，所述柔性晶体管组包括多个柔性晶体管；NFC芯片，位于所述贴附膜表面，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的控制结构；所述NFC芯片与所述柔性晶体管组连接，用于向所述柔性晶体管组提供电压信号并接收所述柔性晶体管组检测到的所述传感信息。本发明采用柔性晶体管技术与硅基芯片技术的结合，极大了降低了传感装置的工艺复杂度以及制造成本。
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公开(公告)号：CN109855656A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910025969.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及物联网无线传感技术应用领域，尤其涉及一种晶体管型传感装置。所述晶体管型传感装置，包括柔性传感贴片；所述柔性传感贴片包括：贴附膜；传感结构，位于所述贴附膜表面，包括至少一个用于检测传感信息的柔性晶体管组，所述柔性晶体管组包括多个柔性晶体管；NFC芯片，位于所述贴附膜表面，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的控制结构；所述NFC芯片与所述柔性晶体管组连接，用于向所述柔性晶体管组提供电压信号并接收所述柔性晶体管组检测到的所述传感信息。本发明采用柔性晶体管技术与硅基芯片技术的结合，极大了降低了传感装置的工艺复杂度以及制造成本。
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