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公开(公告)号：CN117080319A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311048863.1
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了用于MICRO‑LED的晶圆级芯片制备及键合方法，包括：暴露出CMOS驱动基板上的像素区；图案化生长金属电极；沉积二氧化硅绝缘层；整圆Micro‑LED芯片与CMOS驱动基板键合；剥离Micro‑LED芯片衬底；制备出单个Micro‑LED像素；腐蚀侧壁刻蚀飞溅的ITO和金属；在单个Micro‑LED像素间沉积绝缘层制备共阴电极。本发明采用晶圆键合模式，键合时无需对准，弥补了die to die的对准精度问题，键合前在CMOS表面进行了金属化与钝化层保护，减小对像素和CMOS的化学损伤，相对于wafer to wafer，减小了键合接触面积，降低键合时的应力，提高键合良率。
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公开(公告)号：CN117003698A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310988871.8
申请日：2023-08-08
Applicant: 上海大学
IPC: C07D221/14 , G03F7/004 , G03F7/038 , C07D209/48
Abstract: 本发明涉及一种可聚合磺酸肟酯类光致产酸剂和光刻胶树脂及其制备方法，该方法包括：将溴化物Ⅰ和第一碱分散于第一溶剂中，加入R4H发生第一取代反应，加入羟胺发生脱水缩合反应，加入酸调节pH，过滤得到中间体Ⅱ；将中间体Ⅱ、第二碱和第二溶剂混合冷却，加入含R1‑R2的磺酰氯类化合物发生第二取代反应，得到光致产酸剂单体Ⅲ。与现有技术相比，本发明可以有效改善光致产酸剂分布不均匀和后烘过程中酸迁移的问题，实现了光致产酸剂在光刻胶膜中的均匀分布。
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公开(公告)号：CN116880419A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311036356.6
申请日：2023-08-17
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种夹取投放任务的调度方法、系统、设备及介质，涉及任务调度领域。该方法并发运行三个任务队列；第一任务队列包括：从车体夹取并投放到平台的第一任务；第二任务队列包括：从平台夹取并投放到车体的第二任务；第三任务队列包括：从平台夹取并投放到搅拌器中以及从搅拌器中夹取并投放到平台的第三任务；若第一任务队列不为空，则执行完第一任务后从第一任务队列出队进入第三任务队列；若第二任务队列不为空，则执行完第二任务后从第二任务队列出队；若第三任务队列不为空，则执行完第三任务后从第三任务队列出队进入第二任务队列；若三个任务队列均为空则结束。本发明能提高AGV机器人和机械臂配合完成夹取投放任务的效率。
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公开(公告)号：CN116864520A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310868179.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/205 , H01L29/20 , H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN势垒层和GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近GaN沟道层一侧产生二维电子气层；从绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至GaN沟道层的底面，形成用于沉积生长P型半导体层的凹槽；从发射区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部和集电区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部，向下刻蚀至发射区AlGaN势垒层的顶面，形成用于沉积生长发射极和集电极的两凹槽；在P型半导体层的顶面沉积生长基极；本发明可大大提高电子在发射区和集电区的迁移率，提升器件的大电流输出能力、功率密度和高频应用能力。
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公开(公告)号：CN116634782A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310609398.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种基于弹性体和体异质结共混体系的有机直接型X射线柔性探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在活性层中引入有机高分子聚合物弹性体材料，通过将有机高分子聚合物与体异质结材料组合，实现了器件高灵敏度与柔性特性的均衡；有机高分子聚合物弹性体材料的引入实现器件活性层整体的弹性模量的可调控，有效提升了器件的柔性特性；有机高分子聚合物弹性体材料的引入在对器件响应电流造成较小的影响的同时极大的降低的器件的暗电流，使得器件在以灵敏度与信噪比为代表的电学性能指标上得到了极大的提升，弥补了部分有机体异质结体系在X射线探测器领域的响应缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116581228A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310602820.7
申请日：2023-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/52 , H01L33/48 , H01L33/58 , H01L25/075
Abstract: 本发明提供一种柔性Micro LED显示屏及其封装方法，包括基板，所述基板的内部安装有支撑座，所述支撑座内部安装有伸缩柱，所述伸缩柱的顶部连接有垫片，所述垫片的顶部连接在蓝光Micro LED芯片的底部；所述蓝光Micro LED芯片的顶部与像素单元对接，所述像素单元的表面与彩膜单元对接，所述彩膜单元的表面与保护层；本发明通过将封装膜与保护层进行对接时，先将光学胶涂覆在保护层的表面上，此时将封装膜底部的两组侧板与凹口一侧开口对齐，使底块和拨块与保护层底部的凹口对接，这样封装膜底部便会通过两侧的侧板限制在保护层两侧固定的位置上，此时将封装膜向下按压使其底部与光学胶对接，由此在使用时便可以通过该结构提升封装膜安装时的精度。
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公开(公告)号：CN116314237A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310064065.1
申请日：2023-01-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种柔性显示集成器件及其制备方法，涉及功率半导体领域，该器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层；缓冲层和n型GaN层均为凸行结构；第一钝化层覆盖在自下而上依次设置的整体的上方，薄膜沟道层覆盖在第一钝化层顶端的上方，第二钝化层覆盖在第一钝化层和薄膜沟道层构成的整体的上方；阴极的顶部被第二钝化层覆盖，底部与n型GaN层连接；源极/阳极的顶部被薄膜沟道层覆盖，底部与p型GaN层连接，漏极的顶端被薄膜沟道层覆盖，底端与第一钝化层的上表面连接；栅极位于源极/阳极和漏极之间，栅极位于第二钝化层的上表面，本发明降低了制造工艺的难度。
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公开(公告)号：CN115903983A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211620932.7
申请日：2022-12-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种用于半导体器件瞬态热测试的恒流源，涉及瞬态热测试技术领域，该恒流源包括：DCDC隔离电源以及LDO降压模块、高精度电压基准模块、极性转换模块、25.5MA档电流源模块、2A档电流源模块、大小电流切换模块、以及BNC接口输出模块；本发明可以在大电流输出下保持高精度，还可以实现大小电流之间的快速切换，来实现瞬态热测试的要求。
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公开(公告)号：CN112397665B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011222393.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法，通过增强电子注入提升倒置有机电致发光器件性能。其倒置有机电致发光器件结构包括ITO基板、掺杂型电子注入层、能级匹配层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；本发明具体通过溶液工艺用氟化铯的甲醇溶液对二氧化锡溶液进行处理，所制备的氟化铯掺杂二氧化锡纳米颗粒薄膜相较于未处理二氧化锡薄膜电子迁移率得到提升。将其用做倒置有机电致发光器件的电子注入层，使相较于未处理二氧化锡薄膜做电子注入层的器件，本发明器件电子电流升高，驱动电压降低。本发明掺杂型电子注入层由工艺简单的溶液法制备获得，为实现低驱动电压、高效率的倒置溶液加工OLED器件提供了有效方案。
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公开(公告)号：CN115167253A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211038376.2
申请日：2022-08-29
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及智能农业大棚通信系统，具体是一种基于融合通信方案的智能农业大棚通信系统。本发明解决了现有智能农业大棚通信系统布局成本高、组网复杂的问题。一种基于融合通信方案的智能农业大棚通信系统，包括若干个大棚、安装于各个大棚之间的单个网关设备；每个大棚外部均安装有一个或两个协调器，且协调器通过LoRa与网关设备无线连接；每个大棚内部均安装有若干个采集节点，且采集节点通过nRF24L01与对应大棚外部的协调器无线连接；每个大棚内部均安装有若干个控制节点，且控制节点通过nRF24L01与对应大棚外部的协调器无线连接。本发明适用于智能农业大棚。
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