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公开(公告)号：CN117214118A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311169885.3
申请日：2023-09-11
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶树脂技术领域，具体涉及一种测定248nm光刻胶树脂中对羟基苯乙烯含量的方法。该方法包括：(a)取不同已知对羟基苯乙烯摩尔含量的同类型保护基团的树脂溶液标准品，旋涂烘干制备膜层，测定膜层厚度；(b)测定各膜层在不同波长下的吸光度A；(c)获取各个膜层在278nm处的光密度值，以光密度为横坐标，以对羟基苯乙烯基团在树脂中的摩尔含量为纵坐标，构建标准曲线Y＝aX+b，X为光密度，Y为对羟基苯乙烯的摩尔含量；(d)取待测样品，按照标准品同样的测试方法，测定膜层厚度及278nm的吸光度，获取光密度，根据标准曲线，计算待测样品中的对羟基苯乙烯的摩尔含量。测定结果稳定，准确性高，重复性好。
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公开(公告)号：CN117191731A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171417.X
申请日：2023-09-11
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种测定光刻胶光密度的方法，包括以下步骤：以紫外石英片一侧表面的Q点为旋涂中心点，将光刻胶旋涂在紫外石英片的表面上，经干燥形成膜层区域，选取所述膜层区域的第一区域，第一区域以旋涂中心点为中心点，第一区域与所述紫外石英片的长度比为15:45；将紫外石英片置于石英片卡板的卡槽中，石英片卡板上的等分刻线将第一区域等分为多个区域，测试多个区域的膜层厚度并获取平均值，即为第一区域的膜层厚度；再将紫外石英片固定于紫外分光光度计样品池中的支架中，用紫外分光光度计进行光谱测定，获取测定的各波长处的吸光度，根据公式计算光密度。该方法操作简单，结果准确，实验重复性好。
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公开(公告)号：CN117092886A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311052314.1
申请日：2023-08-21
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司
摘要： 深紫外化学放大型负胶的顶部涂层组合物及其制备方法，属于半导体技术领域；顶部涂层组合物包括含有碱性基团的聚合物；该顶部涂层组合物通过采用含有碱性基团的聚合物作为顶部涂层组合物的有效成分，其能够有效的中和光刻胶在曝光区顶部邻近区域所产生的过量光酸，降低曝光区顶部邻近区域过度交联的发生，进而能够降低微桥结构的发生概率，同时还能提高光刻胶曝光能量窗口。
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公开(公告)号：CN103309160A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310277171.4
申请日：2013-07-03
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 本发明提供一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法，该负性化学放大光刻胶含有苯酚类树脂、光致产酸剂、交联剂、碱性添加剂、敏化剂和光刻胶溶剂。其中苯酚类树脂是所述新型负性化学放大光刻胶的主体材料，光致产酸剂是在光照时能够产生一定强度的酸，交联剂能够与酚羟基或邻/对位羟甲基官能团发生缩和反应。在所述新型负性化学放大光刻胶成像方法中包括涂布、烘烤、曝光、烘烤和显影等步骤。本发明所述的化学放大负性光刻胶，可以有效提高光刻胶的分辨率及感光速度，同时与正性光刻胶所用的试剂相同，适用于高档集成电路、平板显示及半导体照明芯片制造等领域。
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公开(公告)号：CN103309160B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310277171.4
申请日：2013-07-03
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 本发明提供一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法，该负性化学放大光刻胶含有苯酚类树脂、光致产酸剂、交联剂、碱性添加剂、敏化剂和光刻胶溶剂。其中苯酚类树脂是所述新型负性化学放大光刻胶的主体材料，光致产酸剂是在光照时能够产生一定强度的酸，交联剂能够与酚羟基或邻/对位羟甲基官能团发生缩和反应。在所述新型负性化学放大光刻胶成像方法中包括涂布、烘烤、曝光、烘烤和显影等步骤。本发明所述的化学放大负性光刻胶，可以有效提高光刻胶的分辨率及感光速度，同时与正性光刻胶所用的试剂相同，适用于高档集成电路、平板显示及半导体照明芯片制造等领域。
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