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公开(公告)号：CN114136910B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111474323.0
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物中重复单元的摩尔分数的方法，通过获得已知两种重复单元的摩尔比的丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将待测样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品中两种重复单元的摩尔比，进而换算得到待测样品中重复单元的摩尔分数。该方法能够准确获得丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物待测样品中重复单元的摩尔分数，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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公开(公告)号：CN114136908A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111459965.3
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的保护率；该方法能够准确获得缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品的保护率，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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公开(公告)号：CN114136908B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111459965.3
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的保护率；该方法能够准确获得缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品的保护率，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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公开(公告)号：CN115616860A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211258412.6
申请日：2022-10-14
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物，包括如下组分：聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂；聚合物包括聚合物A，聚合物A具有如式(I)所示的结构：式中，R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种；R2选自氢、甲基和乙基中的任一种；结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65～80mol％：20～35mol％。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点，在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN113804867A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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公开(公告)号：CN114136909B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111460580.9
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法，通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的羟基保护率；该方法能够准确获得聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品的羟基保护率，且具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低等优势。
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公开(公告)号：CN117214118A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311169885.3
申请日：2023-09-11
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶树脂技术领域，具体涉及一种测定248nm光刻胶树脂中对羟基苯乙烯含量的方法。该方法包括：(a)取不同已知对羟基苯乙烯摩尔含量的同类型保护基团的树脂溶液标准品，旋涂烘干制备膜层，测定膜层厚度；(b)测定各膜层在不同波长下的吸光度A；(c)获取各个膜层在278nm处的光密度值，以光密度为横坐标，以对羟基苯乙烯基团在树脂中的摩尔含量为纵坐标，构建标准曲线Y＝aX+b，X为光密度，Y为对羟基苯乙烯的摩尔含量；(d)取待测样品，按照标准品同样的测试方法，测定膜层厚度及278nm的吸光度，获取光密度，根据标准曲线，计算待测样品中的对羟基苯乙烯的摩尔含量。测定结果稳定，准确性高，重复性好。
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公开(公告)号：CN117191731A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171417.X
申请日：2023-09-11
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种测定光刻胶光密度的方法，包括以下步骤：以紫外石英片一侧表面的Q点为旋涂中心点，将光刻胶旋涂在紫外石英片的表面上，经干燥形成膜层区域，选取所述膜层区域的第一区域，第一区域以旋涂中心点为中心点，第一区域与所述紫外石英片的长度比为15:45；将紫外石英片置于石英片卡板的卡槽中，石英片卡板上的等分刻线将第一区域等分为多个区域，测试多个区域的膜层厚度并获取平均值，即为第一区域的膜层厚度；再将紫外石英片固定于紫外分光光度计样品池中的支架中，用紫外分光光度计进行光谱测定，获取测定的各波长处的吸光度，根据公式计算光密度。该方法操作简单，结果准确，实验重复性好。
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公开(公告)号：CN113804867B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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公开(公告)号：CN114136910A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111474323.0
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物中重复单元的摩尔分数的方法，通过获得已知两种重复单元的摩尔比的丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将待测样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品中两种重复单元的摩尔比，进而换算得到待测样品中重复单元的摩尔分数。该方法能够准确获得丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物待测样品中重复单元的摩尔分数，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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