-
公开(公告)号：CN106199072A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589586.9
申请日：2016-07-26
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种含有自检测功能的多轴压阻式加速度传感器，基于SOI晶圆，所述的SOI晶圆依次设置有衬底、中间氧化层、器件层，包括至少一个含有自检测功能的面内压阻式加速度传感器和至少一个含有自检测功能的面外压阻式加速度传感器，在至少一个面内加速度传感器的部分悬臂梁侧壁形成压阻条，部分悬臂梁侧壁形成自检测电极。本发明还提供了一种含有自检测功能的多轴压阻式加速度传感器的制作方法，实现可以进行晶圆级自检测的多轴压阻式加速度传感器的结构与加工工艺。
-
公开(公告)号：CN106018879A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610312471.5
申请日：2016-05-12
申请人： 上海芯赫科技有限公司
CPC分类号： G01P15/08 , B81B3/0051 , B81C1/00666 , G01P2015/0862
摘要： 本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及基于MEMS加工工艺制成的MEMS加速度传感器，包括硅衬底、硅衬底中的第一预定空腔及第一预定空腔上方的悬空硅膜、至少一个第二预定空腔及其第二预定空腔上方的悬空硅膜、半导体掺杂电阻，半导体掺杂与导电线电连接；于第一预定空腔上方形成第一连接件、第一释放槽，于第二预定空腔上方形成限位挡板、第二释放槽、第二连接件，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，第一连接件、第二连接件一端与硅衬底连接，另一端和第一预定空腔上方的悬空硅膜连接，通过悬空释放结构中的限位挡板实现精确的限位过载保护目的，结构简单，且易于加工。
-
公开(公告)号：CN105743328A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610272685.4
申请日：2016-04-28
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种晶体管、电荷泵组件以及电荷泵，该晶体管外部接入端包括源极在内的至少两个接入端，其内部形成有至少一个等效二极管，与其中一个接入端相连，与所述等效二极管相连的接入端作为中间电压输入端，其他所述接入端作为高电压输入端，其中，所述高电压输入端的允许输入电压高于中间电压输入端的允许输入电压，且所述中间电压输入端的允许输入电压小于所述等效二极管的击穿电压。与现有的晶体管相比，本发明实施例提供的晶体管允许输入的电压较高，将其应用于电荷泵中，可以达到提高电荷泵输出电压的目的。
-
公开(公告)号：CN105036059A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510353813.3
申请日：2015-06-24
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开提供一种电容式MEMS传感器的加工方法及电容式MEMS传感器，该方法可以利用SON(silicon-on-nothing)技术单面加工出两层硅膜，作为电容的两级，并利用下层硅膜受压后形变导致的电容变化测定压力大小，这种加工方式IC产线即可满足，无需额外设备，无需阳极键合等非CMOS产线工艺，利于控制整片晶圆上传感器性能的一致性。
-
公开(公告)号：CN104991086A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510353812.9
申请日：2015-06-24
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS加速度传感器的加工方法，采用〈111〉晶向的硅晶圆作为衬底硅，在所述衬底硅上刻蚀具有第一上表面和第一下表面的第一腔体，以及具有第二上表面和第二下表面的第二腔体，并使所述第一腔体与所述第二腔体相互连通，使所述衬底硅位于所述第一腔体上方的部分作为加速度传感器的质量块，位于所述第二腔体上方的部分作为加速度传感器的悬臂梁，保证所述质量块的厚度大于所述悬臂梁的厚度。该方法为低成本的MEMS加速度传感器加工方法；在同一片晶圆上加速度传感器的性能一致性高。
-
-
-
-
搜索结果
25 条记录 (耗时 0.046 秒)
