-
公开(公告)号：CN105424090B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510868610.8
申请日：2015-12-01
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS压阻式复合传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器的顶层硅，衬底硅与顶层硅相对绝缘设置，顶层硅远离衬底硅的一侧为晶圆表面，晶圆表面并位于加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在顶层硅上并设置有连通晶圆表面以及衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式复合传感器，其加速度传感器可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值的变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式复合传感器的加工方法，用于加工如上的MEMS压阻式复合传感器。
-
公开(公告)号：CN105675921A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610032044.1
申请日：2016-01-18
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/125 , G01P21/00
CPC分类号： G01P15/125 , G01P21/00
摘要： 本发明公开了一种加速度传感器及其制作方法，所述方法包括：在衬底中形成空腔和位于所述空腔上方的与衬底绝缘并依次相互绝缘连接的第一悬空薄膜、第二悬空薄膜和第三悬空薄膜；在所述第一悬空薄膜上形成与之电连接的第一电极，在所述第二悬空薄膜上形成与之电连接的第二电极，在所述第三悬空薄膜上形成与之电连接的第三电极，以及在衬底上方形成与之电连接的第四电极；形成扭转梁结构，所述第一悬空薄膜、第二悬空薄膜和第三悬空薄膜通过所述扭转梁结构与所述衬底连接，且所述第一悬空薄膜和第二悬空薄膜沿所述扭转梁结构对称；所述第一悬空薄膜和第二悬空薄膜与所述衬底形成差分电容式检测结构；所述第三悬空薄膜与所述衬底构成晶圆级检测电容结构,实现了晶圆级自检测功能，避免采用离心机测试，降低了由于加速度传感器失效造成的成本损失。
-
公开(公告)号：CN105353167A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510863889.0
申请日：2015-12-01
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/12
CPC分类号： G01P15/124
摘要： 本发明公开一种MEMS压阻式加速度传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器的顶层硅，所述衬底硅与所述顶层硅相对绝缘设置，所述顶层硅远离所述衬底硅的一侧为晶圆表面，所述晶圆表面并位于所述加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在所述顶层硅上并设置有连通所述晶圆表面以及所述衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式加速度传感器，其可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值得变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式加速度传感器的加工方法，用于加工如上所述的MEMS压阻式加速度传感器。
-
公开(公告)号：CN106289334A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610621825.4
申请日：2016-08-02
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01D5/241 , G01P15/125 , G01L9/12
CPC分类号： G01D5/241 , G01L9/0072 , G01P15/125
摘要： 本发明提供了一种具有自检测功能的电容式复合传感器，包括至少一个加速度传感器和一个压力传感器，基于预制空腔SOI晶圆，所述的预制空腔SOI晶圆依次设置有衬底、绝缘层、器件层以及位于衬底的空腔，所述压力传感器设有空腔；每个所述加速度传感器亦设有空腔，所述加速度传感器的所述空腔的上方开设有贯穿所述器件层、所述绝缘层的释放槽。本发明的电容式复合传感器其加速度传感器基于预制空腔SOI晶圆制造，避免采用键合工艺或者牺牲层技术制作加速度传感器结构，刻蚀及可动结构释放都采用干法刻蚀工艺，其检测差分电容及自检测驱动电容的极板面积由器件层厚度或/和刻蚀深度决定，一致性好，预制空腔SOI晶圆衬底上做有接地电极，减小噪声信号对器件性能的影响。
-
公开(公告)号：CN106248993A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610589605.8
申请日：2016-07-26
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/125 , G01P15/08
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/0802
摘要： 本发明提供了一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器，包括晶圆硅衬底，质量块，以及至少一个过载限位装置，过载限位装置由限位挡板和第二连接件组成，限位挡板一端与晶圆硅衬底相连，一端自由；第二连接件一端与晶圆硅衬底相连，一端与质量块相连。本发明还提供一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器的制造方法。限位挡板的厚度及限位距离由刻蚀工艺的刻蚀深度决定，整个晶圆的加工一致性好，采用机械限位结构，省去电学限位结构的复杂控制IC，从而保证限位过载保护的精确性，利于成品小型化。
-
公开(公告)号：CN106093471A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610589538.X
申请日：2016-07-26
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/12
CPC分类号： G01P15/124
摘要： 本发明提供了一种含有自检测功能的面内压阻式加速度传感器，基于SOI晶圆制作，所述的SOI晶圆依次设置有衬底、中间氧化层、器件层，采用侧面掺杂，在加速度传感器的部分悬臂梁侧壁形成压阻条，部分悬臂梁侧壁形成自检测电极；侧壁形成的压阻条可以减小轴向串扰，自检测的方式是利用静电力模拟加速度输入引起的加速度传感器悬臂梁产生的形变，从而检测加速度传感器的性能，检测方式完全与IC检测探针台兼容。采用正面释放加速度传感器，加工一致性高，器件面积小。本发明还提供了一种含有自检测功能的面内压阻式加速度传感器的制作方法，实现可以进行晶圆级自检测的面内压阻式加速度传感器的结构与加工工艺。
-
公开(公告)号：CN106018880A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610625432.0
申请日：2016-08-02
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/125 , G01P21/00
CPC分类号： G01P15/125 , G01P21/00
摘要： 本发明提供了一种含有自检测功能的面内电容式加速度传感器，至少具有一个面内加速度敏感方向，基于预制空腔SOI晶圆，预制空腔SOI晶圆依次设置有衬底、绝缘层、器件层，以及位于衬底的空腔，器件层、绝缘层设置有释放槽，通过释放槽释放加速度传感器的可动结构。本发明的一种含有自检测功能的面内电容式加速度传感器基于预制空腔SOI晶圆制造，避免采用键合工艺或者牺牲层技术制作加速度传感器结构，刻蚀及可动结构释放都采用干法刻蚀工艺，整个制作工艺流程完全与标准CMOS工艺兼容；其检测差分电容及自检测驱动电容的极板面积由器件层厚度决定，一致性好；预制空腔SOI晶圆衬底上做有接地电极，减小噪声信号对器件性能的影响。
-
公开(公告)号：CN105883713A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610031107.1
申请日：2016-01-18
申请人： 上海芯赫科技有限公司
CPC分类号： B81C1/00952 , B81B3/0016 , B81C99/004 , G01D5/24 , G01D18/00
摘要： 本发明公开了一种电容式复合传感器及其制造方法。所述方法包括：在衬底中形成独立的第一空腔和第二空腔，所述第一空腔上方形成第一悬空薄膜，所述第二空腔上方形成悬空薄膜区域，所述悬空薄膜区域内包括至少一个第二悬空薄膜；在所述第一悬空薄膜上形成与所述第一悬空薄膜电连接的第一电极，在所述悬空薄膜区域内的每个第二悬空薄膜上形成与之电连接的第二电极，以及在衬底上方形成与所述衬底电连接的衬底电极。本发明还提供了电容式复合传感器，实现了工艺流程简单且可以避免粘附现象的效果，实现了电容式复合传感器可以具有晶圆级自检测功能。
-
公开(公告)号：CN105890827A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610031110.3
申请日：2016-01-18
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电容式压力传感器及其制造方法。方法包括：在衬底中形成空腔和位于空腔上方的悬空薄膜，其中，悬空薄膜与衬底间形成第一凹槽，且通过第一凹槽间隙结构连接；进行电隔离处理，形成表面电隔离层；表面电隔离层上形成掩膜层；图形化刻蚀掩膜层和表面电隔离层，在悬空薄膜上方以及衬底上形成第二凹槽；导电层填充并覆盖第二凹槽；刻蚀导电层和掩膜层，形成电隔离沟槽；沉积绝缘层，并刻蚀绝缘层，形成分别并位于悬空薄膜上方以及衬底上方的第三凹槽；用第一电极和第二电极分别填充覆盖悬空薄膜上方以及衬底上方对应的第三凹槽。实现了工艺流程简单且可以避免粘附现象,可靠性高的效果。
-
公开(公告)号：CN105424090A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510868610.8
申请日：2015-12-01
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS压阻式复合传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器的顶层硅，衬底硅与顶层硅相对绝缘设置，顶层硅远离衬底硅的一侧为晶圆表面，晶圆表面并位于加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在顶层硅上并设置有连通晶圆表面以及衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式复合传感器，其加速度传感器可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值的变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式复合传感器的加工方法，用于加工如上的MEMS压阻式复合传感器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.032 秒)
