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公开(公告)号：CN109962159B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910271349.1
申请日：2019-04-04
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直型‑异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用，属于自旋电子学领域，本发明结合了横向器件与纵向器件的优点，一方面通过横向注入自旋极化电流，自旋极化电流横向注入有机材料，避免垂直结构电学短路问题；另一方面纵向探测电子自旋，自旋扩散通道长度即为薄膜厚度，采用楔形有机薄膜，实现自旋扩散通道长度的纳米级连续可调，通过外加电场和磁场，多模式实现有机物中电子自旋的操控和利用。本发明垂直型‑异域有机自旋电子器件，可用于操控自旋扩散长度在纳米量级的材料中的电子自旋，在同一器件中多模式实现电子自旋的操控，能够实现有机自旋阀的磁阻效应、non‑local磁阻效应、自旋Hanle效应。
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公开(公告)号：CN110923645A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911149311.3
申请日：2019-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种组织可控的超高纯钴板的制备方法及其应用，制备方法包括：冷压成型、高真空度垂熔、高真空度电子束熔炼炉、氩气室不锈钢包套、道次锻造变形量和总变形量协同控制的三维高速等温热锻开坯、变角度交叉控制轧制和热处理，车削加工，包装等步骤，制备的超高纯钴纯度≥99.995％，平均晶粒度为10～40μm，板材中fcc结构的β-Co的含量超过50％，透磁率大于70％，透磁率不均匀性小于1％。本发明所设计的制备方法，能够有效控制成品的晶粒尺寸和晶粒度的分布，调控成品组织分布，这为其用作高品质靶材提供了原材料保障。
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公开(公告)号：CN110735068A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911149326.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种钴钽锆合金靶材的制备方法及其应用，属于特种材料制备技术领域，制备方法包括：通过成分设计、高真空垂熔+高真空电子束熔炼、三维等温热锻开坯和变角度控制轧制工艺等，以控制合金的组织结构及靶材性能，制备出高品质的钴钽锆合金靶材，所述的钴钽锆合金靶材，氧含量≤15ppm，平均晶粒度为5～20μm，靶材中相分布均匀，透磁率大于40％，透磁率不均匀性小于2％。本发明所设计的工艺，能够有效控制成品靶材的氧含量、组织结构均匀性及磁性能，这为其溅射出高品质薄膜提供了原材料保障。
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公开(公告)号：CN108436074B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810345132.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了钽钨合金箔材制备方法，其包括以下步骤：将钨粉与钽粉混合得到混合粉末，其中，钨粉的质量百分比为10.0‑11.5%，所述钨粉包括粒径为1‑3μm、3‑5μm、5‑7μm的钨粉；将混合粉末冷压成型，并进行真空烧结，得到烧结坯锭；而后进行真空垂熔处理，得到垂熔坯锭；将垂熔坯锭在氩气室中进行不锈钢包套；在预设开坯温度下对进步骤四处理后的垂熔坯锭进行锻造开坯；去掉坯锭表面不锈钢包套，交替进行多道次冷轧变形和退火处理，当坯锭冷轧变形至厚度为0.01mm后进行表面清洗；进行真空退火和带张力冷轧变形，得到厚度小于7μm的箔材；将箔材缠绕在铸铁管上进行真空退火处理，自然冷却后获得所需的钽钨合金箔材；该钽钨合金箔材钨含量高、厚度薄。
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公开(公告)号：CN105506329A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510905765.4
申请日：2015-12-09
Applicant: 中南大学 , 兰溪市金铎金属材料科技有限公司
Abstract: 本发明属于纳米合金材料技术领域，公开了一种高Al2O3浓度Cu-Al2O3纳米弥散强化合金的制备方法，该方法包括：Cu-Al合金粉末制备、混料、一次内氧化、高能机械球磨、二次内氧化、氢气还原、二次混料、冷压成型，真空包套、热挤压成棒材。该方法先采用一次内氧化法生成细小的Al2O3弥散粒子，再采用机械合金化高能球磨内氧化粉，一方面改善一次内氧化过程中形成的Al2O3增强相团聚、粗化和沿晶界分布现象，另一方面形成大量位错等内部缺陷作为二次氧化过程中氧的渗透通道，然后对球磨粉末采用二次内氧化以进一步氧化残余Al，获得综合性能优异的高Al2O3含量的Cu-Al2O3弥散强化铜合金。
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