公开(公告)号：CN109962159B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201910271349.1

申请日：2019-04-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 方梅 ,  肖柱 ,  李周 ,  张桑箭 ,  李浩

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种垂直型‑异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用，属于自旋电子学领域，本发明结合了横向器件与纵向器件的优点，一方面通过横向注入自旋极化电流，自旋极化电流横向注入有机材料，避免垂直结构电学短路问题；另一方面纵向探测电子自旋，自旋扩散通道长度即为薄膜厚度，采用楔形有机薄膜，实现自旋扩散通道长度的纳米级连续可调，通过外加电场和磁场，多模式实现有机物中电子自旋的操控和利用。本发明垂直型‑异域有机自旋电子器件，可用于操控自旋扩散长度在纳米量级的材料中的电子自旋，在同一器件中多模式实现电子自旋的操控，能够实现有机自旋阀的磁阻效应、non‑local磁阻效应、自旋Hanle效应。

公开(公告)号：CN109962159A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201910271349.1

申请日：2019-04-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 方梅 ,  肖柱 ,  李周 ,  张桑箭 ,  李浩

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种垂直型‑异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用，属于自旋电子学领域，本发明结合了横向器件与纵向器件的优点，一方面通过横向注入自旋极化电流，自旋极化电流横向注入有机材料，避免垂直结构电学短路问题；另一方面纵向探测电子自旋，自旋扩散通道长度即为薄膜厚度，采用楔形有机薄膜，实现自旋扩散通道长度的纳米级连续可调，通过外加电场和磁场，多模式实现有机物中电子自旋的操控和利用。本发明垂直型‑异域有机自旋电子器件，可用于操控自旋扩散长度在纳米量级的材料中的电子自旋，在同一器件中多模式实现电子自旋的操控，能够实现有机自旋阀的磁阻效应、non‑local磁阻效应、自旋Hanle效应。