用于数字化三轴GMI传感器的激励系统及方法

    公开(公告)号:CN118671673A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410922228.X

    申请日:2024-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种用于数字化三轴GMI传感器的激励系统及方法,涉及磁传感器领域,数字化三轴GMI传感器的激励系统主要包括:信号发生模块、数模转换模块和V‑I转换模块;其中,信号发生模块用于产生数字激励信号,数模转换模块用于将数字激励信号转换成高频激励电压信号,V‑I转换模块用于将高频激励电压信号转换成高频激励电流信号。实施本发明提供的用于数字化三轴GMI传感器的激励系统及方法,能提高高频激励电流输出的稳定性。

    基于MBN特征值融合的硅钢片缺陷检测方法及设备

    公开(公告)号:CN118626826A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410785835.6

    申请日:2024-06-18

    Abstract: 本申请提供了一种基于MBN特征值融合的硅钢片缺陷检测方法及设备,涉及变压器硅钢片缺陷检测领域,方法包括:采集变压器硅钢片n个不同位置的n组MBN信号;提取MBN信号的特征值,构建信息样本矩阵;根据信息样本矩阵,进行特征融合,得到融合后的特征值;通过n个不同位置以及融合后的特征值,建立变化曲线;确定变化曲线的异常点,完成变压器硅钢片的缺陷检测。根据MBN信号特征,从多方面提取多个MBN信号特征值,并采用主成分权重分析法进行多特征值融合,最后建立变压器硅钢片各个位置的MBN信号融合特征值曲线,通过异常特征值来评估变压器硅钢片是否存在缺陷及缺陷的大概位置,为硅钢片的安全评价提供可靠依据。

    一种基于反向互补忆阻突触阵列的BAM神经网络电路

    公开(公告)号:CN117131913A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311108697.X

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供了一种基于反向互补忆阻突触阵列的BAM神经网络电路,包括:所述BAM神经网络电路为双层神经网络电路,所述双层神经网络电路包括两个神经网络电路,所述神经网络电路包括:输入模块电路、忆阻突触电路以及激活模块电路;所述输入模块电路电连接所述忆阻突触电路,所述忆阻突触电路电连接所述激活模块电路。通过输入模块电路以及忆阻突触电路构建了反向互补式忆阻突触阵列,反向互补式忆阻突触阵列可以实现并行的权重编程,实现了双向联想记忆神经网络电路的并行权重编程与并行计算。

    一种面向微弱交变磁场测量的小型化数字式GMI传感器

    公开(公告)号:CN116626562A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310624611.2

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明公开一种面向微弱交变磁场测量的小型化数字式GMI传感器,涉及弱磁场探测传感器技术领域,包括:GMI模块及FPGA处理模块;GMI模块在激励信号作用下感应微弱交变磁场并产生模拟响应电压信号,将模拟响应电压信号转换为数字信号输出给FPGA处理模块;FPGA处理模块将参考信号与数字信号进行乘法运算产生调制交变磁场信号,再利用降采样降低调制交变磁场信号的采样率,输出交变磁场信号并计算其频率;FPGA处理模块还将同相参考信号和正交参考信号分别与交变磁场信号进行乘法运算,并将运算产生的两路直流量进行平方和运算并开平方,得到交变磁场信号的数字量幅值,从而实现了对微弱交变磁场信号的频率及幅值的计算。

    一种基于趋肤效应的样品表面覆膜无损检测方法及系统

    公开(公告)号:CN105675657B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201610017513.2

    申请日:2016-01-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于趋肤效应的样品表面覆膜的无损检测方法及系统,包括采用频率可变的交流信号作用于待测样品的两端;逐渐增加交流信号的频率,检测不同频率的交流信号对应的待测样品两端的电阻或电压,并进行曲线绘制获取待测样品的电阻‑频率曲线或电压‑频率曲线;分析待测样品的电阻变化量或待测样品两端电压变化量随频率变化的规律,并计算或标样对比得到待测样品覆膜的厚度。本发明的基于趋肤效应的样品表面覆膜的无损检测方法及系统,可对待测样品进行整体测量,检测灵敏度较高,并且可实现自动化测量,检测效率较高。另外,由于趋肤效应,高频时材料表面的缺陷对高频信号更敏感,通过改变交流信号的频率还可以获取镀膜表面缺陷及裂纹深度分布信息。

    一种双向限流的新型RRAM器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN108550695A

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201810253556.X

    申请日:2018-03-26

    Abstract: 本发明提供一种双向限流的新型RRAM器件,所述RRAM器件包括底电极、阻变层和顶电极,所述底电极采用储氧电极材料诱导阻变层中的氧空位形成导电丝,所述阻变层为内部含有氧元素的氧化物,所述顶电极采用可注射的金属电极生成金属丝导电桥。本发明还提供了所述RRAM器件的制作方法,步骤如下:在石英玻璃片上制作底电极;采用磁控溅射的方式在所述底电极的上方制作一层阻变层;采用磁控溅射的方式在所述阻变层的上方制作顶电极,即得到新型RRAM器件。本发明提供的新型RRAM器件融合了氧空位和金属阳离子两种机制,通过实验分析可得该新型RRAM器件有稳定的阻变过程且在节能等方面具有优势。

    一种双臂压电地震检波器芯体及双臂压电地震检波器

    公开(公告)号:CN107870348A

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201711329737.8

    申请日:2017-12-13

    CPC classification number: G01V1/181

    Abstract: 一种双臂压电地震检波器芯体及双臂压电地震检波器,包括第一端压电片至第四端压电片以及均由弹性材料制成的第一悬臂梁基底和第二悬臂梁基底,各端压电片分别位于两个臂梁基底的两端,两个悬臂梁基底的一端均与一固定支架刚性连接,固定支架用于与电地震检波器的外壳刚性连接且连接后固定支架处于竖直状态,各端电压片均电性连接输出导线。基于本发明提供芯体结构的地震检波器具有灵敏度高、抗干扰能力强、动态范围宽、轻便耐用等优点,在陆上地震勘探、井下槽波地震勘探等领域应用更为可靠和广泛,相比于单臂压电地震检波器,本发明在芯体占用空间相同的情况下,检测的频率范围更广。

    一种电池供电的过压欠压锁定、28V稳压保护电路

    公开(公告)号:CN104037883A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410288512.2

    申请日:2014-06-26

    Inventor: 邹倩 宋俊磊 夏芹

    Abstract: 本发明提供了一种电池供电的过压欠压锁定、28V稳压保护电路,属于电池电源的范畴,适用于前置放大器的供电等工业现场检测的场合。该电路包括:包括28V电源、电压过压锁定单元、电压欠压锁定单元以及电压稳定保护单元四个部分;所述的过压锁定是用于电池供电电压过高时的电压钳位;所述的电池欠压锁定单元是用于电池供电电压过低时的电压钳位;所述电压稳定保护单元是用于电压锁定后的电压稳定,消除负载变化引起的电压变化,并且具有电路保护功能;本发明能够实现电池供电时的过压或者欠压时的电压锁定,同时通过28V稳压模块稳定电压。

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