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公开(公告)号：CN109100380A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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公开(公告)号：CN108896596A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811086081.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体，所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段，所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联，且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号，降低被测信号受到的干扰，从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN104202897B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN104944375B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510291419.1
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C01B6/02
Abstract: 本发明公布了一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，包括（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。本发明生产出的电极源片表面均匀的氢化层没有宏观裂纹，在强磁脉冲放电的情况下，各个部位的氢化层受到的外部冲击是一样的，不会发生并形成喷裂，大大提升了产品的放电稳定性，也极大地延长了电极源片的寿命。
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公开(公告)号：CN103915305B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410156712.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（11）和连接在阳极支撑体（11）上端的环形阳极（12）构成，上述触发电阻（5）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）和阴极（2）从外至内依次设置在阳极支撑体（11）内。本发明的触发电阻内置在真空弧离子源装置内，结构紧凑、体积小、节省安装空间，并且保证了电接触和绝缘可靠性，并能有效改善分布参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103984002A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410172550.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 含混合离子束流的H+离子截面信号采集系统和方法，涉及高能物理技术，本发明的系统包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本发明的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H+束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
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公开(公告)号：CN212277621U
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202021275612.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208721594U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821523191.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本实用新型公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203930077U
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201420212147.2
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 含混合离子束流的H+离子截面信号采集系统，涉及高能物理技术，本实用新型包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本实用新型的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H+束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
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公开(公告)号：CN211720806U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202020286136.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了电子加速器用旋转式X射线透射转换靶，包括真空腔体、旋转靶和轴承组件；其中，所述旋转靶安装在所述轴承组件上，由所述轴承组件带动所述旋转靶在真空腔体内作高速旋转运动；从加速器中输出的电子束沿着真空腔体的束流管道轰击旋转靶靶面外缘，部分能量转换为X射线经真空腔体上的透射窗出射到工作区域，且通过旋转靶的高速旋转使得剩余能量以热量的形式沉积到旋转靶外缘上的一条环形区域。本实用新型通过高速旋转的方式，在不改变电子束轰击位置的情况下，将电子束沉积的功率分散到整个靶上，从而降低电子束轰击区域的温度，避免转换靶烧蚀损耗。
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