一种新型UVTaTi系高热稳定性的含铀高熵合金

    公开(公告)号:CN116732412A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310695347.1

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本发明公布了含铀元素基于U‑V‑Ta‑Ti系高热稳定性的高熵合金,属于高熵合金材料领域,U‑V‑Ta‑Ti系合金组分按原子百分比为:铀:15~60%;钒:10~35%;钽:10~35%;钛:15~50%;铌:0.01~10%;铝:0.01~10%,余量为不可避免的杂质;针对目前在高温下不能保持足够的强度的高熵合金NiCoFeCr以及高温下易相变的NbTiVZr、AlTiVNb等合金,同时其他研究对于含U高熵合金的研究未给予充分的重视,本发明提出基于U‑V‑Ta‑Ti系的具有高热稳定性的高熵合金,并充分考虑U元素的特殊作用,从而实现高熵合金的结构功能一体化。

    一种放射性试样的电子探针屏蔽样品座

    公开(公告)号:CN114518376A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202210150745.0

    申请日:2022-02-18

    Abstract: 本发明公开了一种放射性试样的电子探针屏蔽样品座,包括样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具;所述固定样品夹具和可调节样品夹具设置在样品台底盘上,所述固定样品夹具和可调节样品夹具相对设置,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间形成用于容纳标准样品和待测样品的容纳腔,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间的间距可调节;所述样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具均采用屏蔽材料制成。本发明的样品座在不影响电子探针正常测试的情况下能对放射性样品从源头上进行屏蔽,进而降低设备元器件所承受的辐射剂量水平、提高元器件的使用寿命、优化设备信息采集效率、保护试验人员和试验环境等的电子探针屏蔽样品座。

    一种中子毒物特性的高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN111945033A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010751525.4

    申请日:2020-07-30

    Abstract: 本发明公布了中子毒物特性的Al-Nb-Zr-Mo-Hf-B体系高熵合金,其属于高熵合金材料领域,其组分按质量百分比为:铝:5~15%;铌:20~30%;锆:37~60%;钼:4.99~15%;铪:1~20%,余量为硼元素(0.01~2%)和不可避免的杂质;针对目前典型BCC结构难熔高熵合金如TaNbMoW、TaNbMoWV等含有大量高密度金属元素,合金密度大,成本高,室温塑性差,难以作为结构材料应用的瓶颈问题,同时以外的研究为对中子毒物特性的高熵合金研究未给予充分的重视,本发明提出一种基于Al-Nb-Zr-Mo-Hf-B体系的高熵合金,并充分考虑B元素的特殊作用,从而实现高熵合金的结构功能一体化。

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