-
公开(公告)号：CN102543247A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210010565.9
申请日：2012-01-14
摘要： 本发明公开了一种复合导电粉，其特征在于，它是由按重量百分比算：二氧化钛10%—85%，铁的氧化物15%—90%，以及占上述组份总量的0-80%的改性用金属氧化物或金属盐复合而成。本发明有效降低了导电粉的成本，稳定控制了陶瓷墙地砖电阻率，大大提高了防静电陶瓷墙地砖的产品质量。
-
公开(公告)号：CN101244895B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200710037624.0
申请日：2007-02-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，特征是控制复合溶胶体系中锌离子与Mx+离子的浓度比([Zn2+]/[Mx+])，调节复合薄膜中ZnO与MOx的颗粒大小和分布状态，并且利用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时，生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节。在所述的方法中，将少量的MOx溶胶与ZnO溶胶混合，搅拌均匀后形成稳定的复合溶胶。然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上，热处理后形成ZnO-MOx复合籽晶层。将ZnO-MOx的复合籽晶层浸入由Zn(NO3)2，NaOH和H2O组成的生长液中，50-90℃下生长0.5-5h后，在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO阵列。控制MOx溶胶的加入量，调节ZnO阵列的密度。
-
公开(公告)号：CN101127308B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710045967.1
申请日：2007-09-14
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L21/368
摘要： 本发明涉及一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法，其特点是将超声辐照技术与连续离子层吸附与反应方法相结合，薄膜沉积过程由若干个循环组成，每个循环包含四步：(1)阳离子前驱体溶液的吸附；(2)衬底超声辐照；(3)阴离子前驱体溶液的反应与吸附；(4)衬底超声辐照。阳离子前驱体采用金属锌的无机盐或有机醋酸盐与络合剂配制而成，络合剂可选择乙二胺或氨水等；阴离子前驱体采用无机硫化物如硫化钠；衬底为普通玻璃、石英玻璃、ITO导电玻璃、单晶硅、蓝宝石或其他材料。本发明的特点是：所得ZnS膜层致密的ZnS纳米粒子构成，粒子尺寸小至10-30nm；制作方法简单，成本低廉，无须加热或使用昂贵的真空设备，适合于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN102153333A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010594254.2
申请日：2010-12-19
IPC分类号： C04B35/00 , C04B33/00 , C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种可磁化陶瓷的制备方法，其特征在于，它是在非磁性陶瓷粉料中掺入可磁化物质，采用陶瓷制备工艺，制备可磁化的陶瓷制品；陶瓷制备工艺包括配料、混料、成形、烧成工序。本发明将可磁化物质直接掺入陶瓷原料中，通过陶瓷的高温烧结过程，使其在保留原有可磁化特性的同时，烧结在陶瓷本体内，从而解决磁性物质和陶瓷制品的结合问题，工序简单，制备方便，具有良好的推广价值。
-
公开(公告)号：CN101533890A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910048825.X
申请日：2009-04-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜，阻变氧化物层材料为ZnO或ZnO基掺杂阻变薄膜。在保持材料透明性的前提下，通过对ZnO基薄膜组分的调控，对薄膜材料的导电性及电阻转变性能进行控制，从而达到稳定存储的目的。本发明的存储单元结构的最大优点是基于低成本的氧化锌基同质结构薄膜材料，通过掺杂控制获得一种性能稳定且具有良好透明性的同质RRAM存储单元结构，有利于RRAM存储器件向低成本、高性能透明器件方向发展。
-
公开(公告)号：CN100437950C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610147845.9
申请日：2006-12-22
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L21/368 , C30B29/16 , C30B29/62 , C01G9/02 , B82B3/00
摘要： 本发明涉及一种高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法，具体步骤为：①以锌盐为原料，以乙二醇甲醚为溶剂，以有机胺盐为螯合剂，制备稳定的ZnO溶胶前驱体；②采用浸渍提拉法或旋转涂覆法将ZnO溶胶前驱体均匀沉积到玻璃基片上，热处理后形成透明的ZnO籽晶层，诱导随后ZnO纳米柱阵列的生长；③用锌盐、水和六亚甲基四胺按配比制备ZnO纳米柱生长液；④将覆盖有ZnO籽晶层的基片进入到ZnO纳米柱生长液中，在室温下进行超声预处理后，升温至95℃并且保温6小时。反应终止后，将基片去离子水冲洗、自然干燥后获得排列整齐的一维ZnO纳米柱阵列。使制备的ZnO纳米柱阵列的直径降至100nm以下，且保证其生长的直立性。
-
公开(公告)号：CN101113533A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710044966.5
申请日：2007-08-17
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C30B30/02
摘要： 本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用作薄膜太阳电池的窗口层、以及压电、光电、气敏等多种领域。本方法成本低廉，无需真空环境或使用有机物和高温加热设备，适合于大面积、规模化薄膜材料制备。
-
公开(公告)号：CN100337336C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200310109139.1
申请日：2003-12-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/103 , H01S5/327
摘要： 本发明涉及一种用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备p-型氧化锌薄膜材料，通过掺杂铟制备低阻n-型氧化锌薄膜材料，从而制得ZnO同质结p-n结的方法。在该方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备p-型氧化锌薄膜，通过向先驱体溶液中添加适量的铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备低阻n-型氧化锌薄膜。在不同的材料表面上，先后生长p-型(或n-型)和n-型(或p-型)ZnO薄膜即可制得ZnO同质结p-n结。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO同质结p-n结电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN101009228A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610147845.9
申请日：2006-12-22
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L21/368 , C30B29/16 , C30B29/62 , C01G9/02 , B82B3/00
摘要： 本发明涉及一种高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法，具体步骤为：①以锌盐为原料，以乙二醇甲醚为溶剂，以有机胺盐为螯合剂，制备稳定的ZnO溶胶前驱体；②采用浸渍提拉法或旋转涂覆法将ZnO溶胶前驱体均匀沉积到玻璃基片上，热处理后形成透明的ZnO籽晶层，诱导随后ZnO纳米柱阵列的生长；③用锌盐、水和六亚甲基四胺按配比制备ZnO纳米柱生长液；④将覆盖有ZnO籽晶层的基片进入到ZnO纳米柱生长液中，在室温下进行超声预处理后，升温至95℃并且保温6小时。反应终止后，将基片去离子水冲洗、自然干燥后获得排列整齐的一维ZnO纳米柱阵列。使制备的ZnO纳米柱阵列的直径降至100nm以下，且保证其生长的直立性。
-
公开(公告)号：CN1527361A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03151096.5
申请日：2003-09-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/40
摘要： 本发明涉及用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备空穴型氧化锌薄膜材料的方法。在本方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，在不同的材料表面上，经超声雾化热解反应制备空穴型氧化锌薄膜Zn2+∶NH4+∶In3+＝1∶(1－3)∶(0.05－0.2)；所用衬底为单晶硅片、玻璃片或蓝宝石；衬底温度控制在400～600℃。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对空穴型氧化锌薄膜电学性能和载流子浓度的控制，以满足制备氧化锌半导体材料和氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
76 条记录 (耗时 0.109 秒)
