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公开(公告)号：CN111916493A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910374122.X
申请日：2019-05-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/285
摘要： 本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的MgO外延薄膜界面层和BaTiO3铁电薄膜栅介质。
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公开(公告)号：CN107445199B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710452367.0
申请日：2017-06-15
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01G23/047 , C01G23/053 , B82Y40/00 , H01G9/20 , H01G11/46
摘要： 本发明提供多级结构二氧化钛纳米线阵列及其制备方法，多级结构二氧化钛纳米线阵列是由二氧化钛纳米线形成的阵列，所述二氧化钛纳米线为多级结构，包括二氧化钛单晶纳米线和包覆于所述二氧化钛单晶纳米线表面的二氧化钛纳米颗粒。在二氧化钛单晶纳米线的表面包覆二氧化钛纳米颗粒，由此形成的阵列具有高比表面积和填充密度，由此可以提高阵列的电致变色性能、电容性能和光电性能等。
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公开(公告)号：CN105217676B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410301806.4
申请日：2014-06-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01G23/053 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明涉及一种具有纳米片及纳米多孔结构的氧化钛气凝胶及其制备方法，所述氧化钛气凝胶具有纳米片及纳米多孔结构，所述氧化钛气凝胶的BET比表面积为50—300 m2/g。
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公开(公告)号：CN105304752B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510604391.2
申请日：2015-09-21
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长方法和生长装置，该生长方法利用常压化学气相沉积法，包括如下步骤：1）将衬底置于真空室的衬底基板中，并使真空室中的气压为1×10-2Pa或更低，且将衬底基板加热至160℃～240℃；2）向所述真空室通入二乙基锌蒸气、H2O蒸气、B2H6、和H2，其中二乙基锌蒸气、H2O蒸气、B2H6、和H2的流量比为（8～12）：（8～12）：（4～6）：0.8～1.2），保持真空室内的气压稳定在0.2torr～1torr，沉积3分钟以上，制得绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜。本发明通过精确调控反应气体组分、气体流量比例、生长时间等参数，可生长出（110）取向且具有良好光散射性能的氧化锌基透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN104194066B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410468390.5
申请日：2014-09-15
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种氧化硅?壳聚糖复合气凝胶及其制备方法，所述氧化硅?壳聚糖复合气凝胶包含壳聚糖、壳聚糖交联剂以及氧化硅，其中，壳聚糖质量分数为9%?65%，氧化硅质量分数为30%?90%，壳聚糖交联剂质量分数为1%~5%。
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公开(公告)号：CN105762197A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610216788.9
申请日：2016-04-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： H01L29/802 , H01L29/24 , H01L29/432 , H01L29/66969
摘要： 本发明涉及基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用，所述半导体铁电场效应异质结构包括以铌镁酸铅钛酸铅铁电单晶作为衬底和以形成于所述衬底上的二氧化钛半导体薄膜作为沟道，所述二氧化钛半导体薄膜的化学通式为TiO2?δ，其中0≤δ≤0.2，优选为0≤δ≤0.1。本发明以具有氧缺陷的纯相二氧化钛薄膜TiO2?δ为沟道，相较于过渡金属离子掺杂的氧化物半导体薄膜有效地简化了制备过程与制备条件，同时避免了薄膜成分不均匀等不利因素，为铁电场效应异质结构的进一步应用节约了成本。
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公开(公告)号：CN102502783B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110333246.7
申请日：2011-10-14
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种具有六角薄片状结构的碱式氯化锌纳米粉体的制备方法，其特征在于：首先将氯化锌和羟基试剂溶解于水或水-醇混合溶液，调整溶液pH值至2.0-9.0范围，再通过化学沉淀反应，在50-99℃水浴或烘箱加热条件下，反应0.1-72小时，即可得到碱式氯化锌粉体。所得碱式氯化锌的分子式为Zn5(OH)8Cl2·(H2O)，每个薄片均呈规则六角形状，六角薄片状的尺寸为0.1-100微米，厚度为20纳米至数微米。作为一种具有特殊六角薄片结构的含锌化合物——碱式氯化锌纳米粉体可望在化学合成、化学催化、光催化、传感器、纳米器件等诸多领域得到应用。
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公开(公告)号：CN101244895B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200710037624.0
申请日：2007-02-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，特征是控制复合溶胶体系中锌离子与Mx+离子的浓度比([Zn2+]/[Mx+])，调节复合薄膜中ZnO与MOx的颗粒大小和分布状态，并且利用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时，生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节。在所述的方法中，将少量的MOx溶胶与ZnO溶胶混合，搅拌均匀后形成稳定的复合溶胶。然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上，热处理后形成ZnO-MOx复合籽晶层。将ZnO-MOx的复合籽晶层浸入由Zn(NO3)2，NaOH和H2O组成的生长液中，50-90℃下生长0.5-5h后，在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO阵列。控制MOx溶胶的加入量，调节ZnO阵列的密度。
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公开(公告)号：CN101127308B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710045967.1
申请日：2007-09-14
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L21/368
摘要： 本发明涉及一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法，其特点是将超声辐照技术与连续离子层吸附与反应方法相结合，薄膜沉积过程由若干个循环组成，每个循环包含四步：(1)阳离子前驱体溶液的吸附；(2)衬底超声辐照；(3)阴离子前驱体溶液的反应与吸附；(4)衬底超声辐照。阳离子前驱体采用金属锌的无机盐或有机醋酸盐与络合剂配制而成，络合剂可选择乙二胺或氨水等；阴离子前驱体采用无机硫化物如硫化钠；衬底为普通玻璃、石英玻璃、ITO导电玻璃、单晶硅、蓝宝石或其他材料。本发明的特点是：所得ZnS膜层致密的ZnS纳米粒子构成，粒子尺寸小至10-30nm；制作方法简单，成本低廉，无须加热或使用昂贵的真空设备，适合于规模化生产。
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公开(公告)号：CN101533890A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910048825.X
申请日：2009-04-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜，阻变氧化物层材料为ZnO或ZnO基掺杂阻变薄膜。在保持材料透明性的前提下，通过对ZnO基薄膜组分的调控，对薄膜材料的导电性及电阻转变性能进行控制，从而达到稳定存储的目的。本发明的存储单元结构的最大优点是基于低成本的氧化锌基同质结构薄膜材料，通过掺杂控制获得一种性能稳定且具有良好透明性的同质RRAM存储单元结构，有利于RRAM存储器件向低成本、高性能透明器件方向发展。
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