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公开(公告)号：CN115207170A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211014217.9
申请日：2022-08-23
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种沉积异质结电池铜栅线的方法，包括如下步骤：S1、制绒清洗；S2、非晶硅薄膜沉积；S3、透明导电薄膜沉积；S4、沉积铜细栅线：在透明导电薄膜沉积硅片的正面或背面沉积铜细栅线，形成铜细栅线沉积硅片；S5、丝网印刷栅线；本发明中，通过在硅片上沉积铜细栅线，用铜金属代替贵重的银金属，能够有效降低异质结电池的生产成本，同时通过沉积方法形成细栅线，相比较于电镀铜，生产研发设备少，工艺流程简单，不需要处理电镀铜废液，降低电镀铜废液对环境的影响，有效保护环境，大幅降低异质结电池在生产过程中的设备成本和生产成本。
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公开(公告)号：CN115020544A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642162.X
申请日：2022-06-08
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，采用二次硼扩散，对经第一次硼扩散的正面使用含氟基刻蚀气体，获得指定深宽比且绒面损伤小的刻蚀图形，有利于在刻蚀图形区域上第二次硼扩散，从而在非刻蚀图形区域形成硼的轻掺区，在刻蚀图形区域金属栅线与硅片接触区域进行硼高浓度掺杂，减少电池正面的复合，有效提高电池的开路电压与填充因子，实现发射区优化，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114497288A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210092520.4
申请日：2022-01-26
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法，N型单晶硅片经预清洗、去损伤、制绒后，先对单晶硅片表面制作掩膜，然后在栅线位置开窗，再以化学抛光液进行刻蚀抛光，使得开窗区域形成光滑凹槽，再对单晶硅片进行单面磷扩散，则在单晶硅片其一面的光滑凹槽上形成重掺杂N+区域，且以该一面为电池正面，最后对单晶硅片进行去磷硅玻璃和掩膜、沉积、印刷栅线，制得栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池。本发明形成的重掺杂N+区域，调节了光生电子在太阳能电池中的传输路径，选择性的增强栅线位置的钝化效果，又不影响金字塔绒面的减反射效果，降低了正面透明导电膜的导电要求，降低了对低温银浆的要求。
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公开(公告)号：CN114192489A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111505989.8
申请日：2021-12-10
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
发明人： 许礼 , 张中建 , 高荣刚 , 龚琴赟 , 其他发明人请求不公开姓名
摘要： 本发明公开了一种LPCVD石英舟的清洗方法，采用碱洗液对石英舟进行碱洗。对于TOPCon工艺流程中LPCVD非晶硅制备方法使用的石英舟，采用碱洗液对石英舟进行清洗，去除表面的非晶硅层，但碱洗液不会与石英舟本身的氧化硅反应，因此清洗过程、清洗程度容易控制，仅需控制充分碱洗去除非晶硅层和充分水洗去除碱洗液，不仅去除非晶硅层的效果好，还没有对石英舟本身刻蚀的风险，石英舟的使用寿命大幅提高；相比于酸洗液，碱洗液的用料成本低，无酸洗产生的氟排放和废水处理成本。
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公开(公告)号：CN117380476A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311629342.5
申请日：2023-11-30
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种自动校准的狭缝涂布机，包括平台、工作台、滑轨、龙门架机构、传感模头机构、PLC控制器，工作台通过滑轨设于平台上和其滑动连接，龙门架机构跨设于工作台两侧并和平台固定连接，传感模头机构设于龙门架机构上和其活动连接，工作台、龙门架机构、传感模头机构均和PLC控制器信号连接，将基片放置于工作台上，然后PLC控制器控制龙门架机构和传感模头机构自动校准位置并完成涂布工艺，通过PLC控制器控制龙门架机构和传感模头机构对工作台上的基片的厚度偏差自动校准，实现狭缝涂布机模头自动校准减少校准时间，且保证每次校准的一致性，降低了成本，提高生产效率，提升涂布精度。
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公开(公告)号：CN116770272A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310547243.6
申请日：2023-05-12
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/673 , H01L31/18 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种石墨舟卡点的安装设备，包括架体装置、供料机构、角度调节机构，所述供料机构上设有出料口，所述角度调节机构上设有进料口，所述角度调节机构设于所述供料机构上，所述出料口和所述进料口对接，所述供料机构设于所述架体装置横梁上和其滑动连接，对改进后的卡点调整角度后进行安装和更换，提升了安装效率减少企业的成本，设置辅助收集板提升了卡点在整理机构内的运转效率，使卡点更精准的进入轨道装置内，将后轨道槽后端向上倾斜设置，使进入后轨道槽上的卡点顺利进入前轨道槽内，设置转动滚珠目的是保护卡点在调整角度时被损坏。
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公开(公告)号：CN114798702B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210489006.4
申请日：2022-05-07
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种PVB双玻组件回收方法，拆除组件上的接线盒、边框，将组件加热，用切刀沿胶膜与玻璃的界面切割出具有深度的初始切口，从初始切口对界面喷洒掺杂剂进行反应，并对玻璃施力，使玻璃逐步与胶膜剥离，连续喷洒和剥离操作，至玻璃与胶膜完全分离，对得到的胶膜‑电池片‑胶膜三层结构体上的胶膜表面打孔，然后整体放入预处理剂中浸泡，使胶膜与电池片完全分离。本发明针对PVB双玻组件的特性，通过特殊的方法和装置结合，弱化胶膜和玻璃界面之间、胶膜和电池片之间的粘接强度，不采用对胶膜整体切割的方法，实现胶膜与玻璃之间的有效、完整分离，基本消除胶膜在玻璃上的残留，剥离的速率可以得到较好保证，减少后续回收处理难度。
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公开(公告)号：CN116613247A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310727474.5
申请日：2023-06-19
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种背面P/N型掺杂区隔离的异质结电池制造方法，对异质结电池背面连续使用两种不同材料的掩膜，实现了非晶硅P型掺杂区和N型掺杂区隔离的前置，同时避免了激光对非晶硅层损伤；在掺杂磷非晶硅层上整面沉积第一导电层，在掺杂硼非晶硅层上沉积第二导电层，避免了使用低温银浆料；通过设置相互嵌套的P型掺杂区和N型掺杂区，缩小了重复单元的尺寸，降低了载流子从产生到被吸收的扩散距离，提高了电池转换效率。
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公开(公告)号：CN115241324A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210824378.8
申请日：2022-07-14
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池片单片生产标识方法：将作为电池片硅衬底的硅片进行制绒，制绒后的硅片表面具有密布的金字塔绒面；以激光扫描硅片表面，在金字塔绒面上打码形成唯一化的编码，而后制作成电池片；将电池片具有编码的表面朝上，以编码为参照选择一组相对侧，一侧设置入射光照向编码，另一侧设置相机接收入射光经编码的反射光，从而读取并识别编码。该方法在硅片制绒工序以后进行激光扫描打码，对硅片损伤小，不影响绒面的减反射作用从而不会影响电池的效率，对硅片生产过程可追溯性早，对硅片可实现单片有效追溯，识别时增强了激光扫描区域与未扫描区域的对比度，降低了编码的识别难度，提高了编码的识别准确率。
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公开(公告)号：CN114883452A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210641361.9
申请日：2022-06-08
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种选择性制备TCO膜层异质结太阳能电池的制造方法，在N型掺杂非晶硅层上沉积第一TCO薄膜，在第一TCO薄膜上对应于正面栅线位置选择性沉积第二TCO薄膜，在P型掺杂非晶硅层上沉积第三TCO薄膜，在第三TCO薄膜上对应于背面栅线位置选择性沉积第四TCO薄膜，合理控制TCO膜层与掺杂非晶硅层之间的功函数匹配，有利于电子和空穴的有效传输并收集，提高电导率，调节TCO膜层与金属栅线之间的接触电阻，可在不影响透光性的情况下降低金属栅线电极与TCO膜层之间的接触电阻，很好地解决透光性与导电率之间的矛盾，这在提高HJT太阳能电池光电转换效率的同时也降低了制造工艺难度。
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