公开(公告)号：CN1832162A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004423.6

申请日：2004-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  平野哲也

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30

Abstract: 已有的GaN晶片表面是镜面，里面是粗糙面，用肉眼就能看到面粗糙度的不同从而区别表面和里面。这不是容易看清楚的不同，当里面未加利用和保护时恐怕会附着粒子，也恐怕也会使弯曲变大，发生裂缝·发生破裂等。我们希望不用粗糙度的不同也能够区别氮化物半导体矩形基片的表里。为了区别表里在矩形GaN基片的两个角部设置按顺时钟旋转地以长短顺序排列的切除缺口，在一个角部设置形成角度5°～40°的一个切除缺口，或者使表面一侧和里面一侧的面去除量不同，或者通过写入文字来区别表里。因为能够使里面更平滑使它的状态与表面近似，所以减少粒子的附着，既能减少弯曲，也能减少裂缝碎片等的发生。

公开(公告)号：CN1534734A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410001842.5

申请日：2004-01-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  入仓正登

IPC: H01L21/304 ,  B24D5/00 ,  B24D7/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L29/0657 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  H01L21/02021

Abstract: 本发明涉及缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法。用旋转砂轮倾斜地研削边缘部分(斜削)，但是成为使边缘部分的面粗糙度恶化(Ra10μm～6μm)、晶片发生破碎、破裂、裂缝等的原因。使圆形独立GaN晶片的边缘部分的面粗糙度为Ra10nm～Ra5μm。最好为Ra10nm～Ra1μm。更好为Ra10nm～Ra0.1μm。一面用砂轮带以弱的均匀的按压力压住晶片的侧周，一面使晶片旋转并改变砂轮带进行加工。因为不断地改变砂轮带所以即便使用粒子细的砂轮带也不会孔堵塞。通过用细粒子的砂轮带能够将晶片边缘部分加工到卓越的平滑度。又，本方法不仅适用于GaN而且也适用于其它的氮化物半导体基片。