氮化硅烧结体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1142218A

    公开(公告)日:1997-02-05

    申请号:CN95191835.4

    申请日:1995-12-26

    IPC分类号: C04B35/591

    CPC分类号: C04B35/591

    摘要: 本发明缩短了制造氮化硅烧结体时反应烧结中的氮化时间,从而提高了生产率;并且通过反应烧结得到致密且高强的氮化硅烧结体。Si3N4烧结体的未配对电子浓度为1015~1021/cm3。市售Si粉末在非氮气气氛中于300~800℃下煅烧3~5小时得到未配对电子浓度为1015~1020/cm3的Si粉末,使用所得的Si粉末进行反应烧结得到氮化硅烧结体。特别是,在所得的Si粉末中添加烧结助剂的同时添加价态尤其为+1~+3价且其共价键半径RM与Si的共价键半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi<0.5的关系的元素或其化合物作为氮空位形成剂,并把所得的混合体进行反应烧结制造出Si3N4烧结体。